邢启江

作品数：8被引量：3H指数：1
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供职机构：北京大学更多>>
发文主题：INGAASP/INP串联电阻变温光弹效应金属薄膜更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《半导体光电》《量子电子学报》《功能材料与器件学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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GaN材料键合技术研究进展被引量：1
《半导体光电》2003年第6期377-381,共5页袁志军 高文胜 唐昕龙 邢启江 
国家自然科学基金资助项目(69976003)
　GaN材料及其有关光电子器件的研制是近年来光电子研究领域内的研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺。利用键合技术也可以研制出一些新型的光电子器件,这些器件用其他生长技术是不可能实现的。概括地介...
关键词：GAN 外延片键合 光电子集成 
在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用
《Journal of Semiconductors》2001年第7期846-852,共7页邢启江 徐万劲 武作兵 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :699760 0 3 )
从理论上计算了厚度为 110 nm的 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条在 In Ga As P/ In P双异质结构中形成的应力场分布 ,及由应力场分布引起的折射率变化 .在 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条下半导体中 0 .2— 2μm深度范围内 ,由应变引...
关键词：侧向光 光弹效应 InGaAsP/InP双异质结构 半导体材料 
由W_(0.95)Ni_(0.05)金属薄膜形成光弹波导结构的热稳定性
《半导体光电》2001年第1期21-25,37,共6页邢启江 徐万劲 
国家自然科学基金!资助项目 (6 9976 0 0 3)
InGaAsP/InP双异质结构外延片在直流负偏压 12 0V作用下 ,利用射频溅射和光刻剥离技术在样品表面淀积厚为 110nm的W0 .95Ni0 .0 5金属薄膜应变条 ,并在该应变条下的半导体内形成了对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好限制作用的光弹...
关键词：光弹效应 热稳定性 金属薄膜 波导结构 
由WNi金属薄膜形成光弹波导结构的研究
《量子电子学报》2000年第5期441-442,共2页邢启江 徐万劲 
关键词：WNi 光弹 波导结构 金属薄膜 
高温退火对InGaAsP/InP双异质结光弹波导结构的影响
《功能材料与器件学报》2000年第3期266-269,共4页邢启江 
国家自然科学基金资助项目!(69976003)
光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构。InGaAsP/InP双异质结外延片在直流负偏压120V作用下,利用射频溅射和光刻刻剥离技术在样品表面沉积110nm厚的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条。在W0.95－Ni0.05金属薄膜应变条...
关键词：平面型波导器件 INGAASP/INP 高温退火 
快速热退火提高应变InAs／InP量子阱结构的晶体质量被引量：1
《半导体光电》1996年第4期357-361,共5页邢启江 章蓓 王舒民 
研究了快速热退火对应变ＩｎＡＳ／ＩｎＰ单量子阱（ＳＱＷ）结构光学性质的影响。样品经最佳条件７００℃ｔ，５ｓ的快速热退火，８Ｋ温度下量子阱的荧光强度增加了４倍，量子阱荧光峰仅蓝移１．５５ｍｅＶ。而且，发现在样品中的深辐...
关键词：半导体 量子阱结构 快速热退火 火荧光 晶体质量 
用LPE生长1.35μm InGaAsP/InP量子阱结构的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1993年第9期540-544,T001,共6页邢启江 王舒民 王若鹏 陈娓兮 章蓓 赵沧桑 党小忠 虞丽生 
在国内首次利用LPE生长技术在n-InP(100)衬底上成功地生长1.35μm InGaAsP分别限制单量子阱结构。通过对样品的横截面进行的TEM观测,量子阱的阱宽和过渡层的厚度分别为160A和30A。在10K和77K光致发光谱测量中,我们观察到n=1的子能级上...
关键词：INGAASP/INP LPE生长 量子阱 结构 
在n—InP(100)衬底上低温液相外延生长1.55μm GaInAsP双异质结构层的研究
《半导体光电》1990年第4期324-328,332,共6页邢启江 王舒民 陈娓兮 章蓓 王若鹏 
在590℃温度下,不使用1.3μm GaInAsP 防回熔层,直接在 n-InP(100)衬底上液相外延生长出1.55μm InP/GaInAsP/InP 双异质结构外延片。对这种外延片的生长情况及其特性和 InP 衬底的热损伤情况,本文作了详细的分析和讨论。
关键词：GAINASP 异质结构 液相外延 n-InP 
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