GaN材料键合技术研究进展  

Research Advances in Wafer Bonding Technique of GaN Material

作　　者：袁志军[1] 高文胜[1] 唐昕龙[1] 邢启江[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学院,北京100871

出　　处：《半导体光电》2003年第6期377-381,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(69976003)

摘　　要：　GaN材料及其有关光电子器件的研制是近年来光电子研究领域内的研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺。利用键合技术也可以研制出一些新型的光电子器件,这些器件用其他生长技术是不可能实现的。概括地介绍了近年来键合技术在GaN光电子器件及其集成领域内的研究进展和应用情况。The development of GaN material and its optoelectronic devices is one of the hot spots on optoelectronic research fields in recent years, and wafer bonding technology is an attractive fabrication method which has the potential for achieving desirable optoelectronic integration. It may also open up a new array of optoelectronic devices that are otherwise not possible to be realized by using other growth techniques. In this paper, research advances and applications of wafer bonding technology in the fields o...

关 键 词：GAN 外延片键合 光电子集成 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]