云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- INGAASP/INP

INGAASP/INP: 作品数：153被引量：81H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：王圩高鼎三张静媛马朝华杜云更多>>; 相关机构：中国科学院吉林大学中国科学院上海冶金研究所重庆光电技术研究所更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

室温下高探测效率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管: 《红外与毫米波学报》2024年第1期1-6,共6页祁雨菲王文娟孙京华武文梁焰曲会丹周敏陆卫; Supported by the National Natural Science Foundation of China(NSFC)(62174166,11991063,U2241219);Shanghai Municipal Science and Technology Major Project(2019SHZDZX01,22JC1402902);the Strategic Priority Research Program of Chinese Academy of Sciences(XDB43010200)。; 描述了一种高性能平面InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD),该二极管具有单独的吸收、分级、电荷和倍增(SAGCM)异质结构。通过电场调节和缺陷控制,SPAD在293 K的门控模式下工作,光子探测效率(PDE)为70%,暗计数率(DCR)为14.93 kHz,后脉冲...; 关键词：单光子雪崩二极管暗计数率光子探测效率后脉冲概率

γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器性能的影响: 《红外与毫米波学报》2024年第1期44-51,共8页孙京华王文娟诸毅诚郭子路祁雨菲徐卫明; Supported by the National Natural Science Foundation of China(NSFC)(62174166,11991063,U2241219);Shanghai Municipal Science and Technology Major Project(2019SHZDZX01,22JC1402902);the Strategic Priority Research Program of Chinese Academy of Sciences(XDB43010200)。; 对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器(SPADs)进行了总剂量为10 krad(Si)和20 krad(Si)的γ辐照,并进行了原位和移位测试。辐照后,暗电流和暗计数率有轻微的下降,而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后,这些退化基本恢复...; 关键词：Γ辐照 INGAASP/INP 单光子雪崩探测器单光子性能

多模光纤耦合InGaAsP/InP单光子探测器模块被引量：1: 《半导体光电》2021年第3期327-331,共5页崔大健张承赵江林敖天宏李艳炯严银林; 针对1064nm波段高灵敏激光测距应用,设计了一种由单光子雪崩光电二极管(SPAD)、微型热电制冷器(TEC)、主动淬灭主动恢复电路(AQAR)、温控单元、高压单元、FPGA等混合集成的高性能单光子探测器模块。SPAD芯片采用了分离吸收渐变电荷倍增(...; 关键词：集成制冷单光子雪崩光电二极管激光测距 AQAR

A 10 Gb/s 1.5 μm Widely Tunable Directly Modulated InGaAsP/InP DBR Laser被引量：1: 《Chinese Physics Letters》2020年第6期22-25,共4页Dai-Bing Zhou Song Liang Yi-Ming He Yun-Long Liu Wu Zhao Dan Lu Ling-Juan Zhao Wei Wang; Supported by the National Key Research and Development Program of China(Grant Nos.2017YFF0206103,2016YFB0402301,2018YFB2200801);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61635010,61320106013,61474112,and 61574137)。; We report 10 Gb/s data transmissions using a packaged two-section InGaAsP/InP distributed Bragg reflector(DBR)laser.The tunable DBR laser has a wavelength tuning range of 12.12 nm.The DBR laser has greater than 10.84 ...; 关键词：INGAASP/INP Gb/s tuning

低暗计数率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管被引量：2: 《红外与激光工程》2017年第12期272-278,共7页石柱代千宋海智谢和平覃文治邓杰柯尊贵孔繁林; 装备发展预研项目; 通过对InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD)的探测效率、暗计数率等基本特性与该器件的禁带宽度、电场分布、雪崩长度、工作温度等参数之间关系的分析,采用比通常的InxGa As(x=0.53)材料具有更宽带隙的InxGa1-xAsyP1-y(x=0.78,y=0.47)材...; 关键词：单光子雪崩二极管 INGAASP/INP 1.06μm 自由模式暗计数率

InGaAsP/InP激光器结构与量子阱数的优化被引量：2: 《激光杂志》2017年第5期6-10,共5页赵霞飞贾华宇李灯熬罗飚刘应军马臖; 国家863计划课题(2015AA016901);山西省自然科学基金项目(2015011050); 为了优化应用于光纤通讯和CATV系统需求的高性能的量子阱激光器,对波长在1.55μm左右的InGaAsP/InP量子阱激光器的有源区结构和量子阱数目进行了优化分析。本文针对In(1-x)GaxAsyP(1-y)量子阱激光器,提供了一种有源区结构优化方法。在...; 关键词：多量子阱激光器 INGAASP/INP 有源区结构量子阱个数

InGaAsP/InP量子阱中电子-电子散射率研究: 《电子技术（上海）》2016年第9期4-7,3,共5页李正王海龙陈莎陈丽; 在有效质量近似下,利用打靶法和费米黄金法则计算出In1-xGaxAsyP1-y/InP量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明,In1-xGaxAsyP1-y/InP量子阱中电子-电子的散射率随电子初态能的增大而降低...; 关键词：In1-xGaxAsyP1-y/InP量子阱电子费米黄金法则散射率

Multiwavelength generation using an add-drop microring resonator integrated with an InGaAsP/InP sampled grating distributed feedback被引量：1: 《Chinese Optics Letters》2016年第2期27-32,共6页S.E.Alavi I.S.Amiri M.R.K.Soltanian R.Penny A.S.M.Supa'at H.Ahmad; Grant number LRGS(2015)NGOD/UM/KPT,RU007/2015 and RUG OF UTM,09H77 and 10J97 from the university of Malaya (UM) and Universiti Teknologi Malaysia (UTM); A system of an add-drop microring resonator integrated with a sampled grating distributed feedback （SG-DFB） is investigated via modeling and simulation with the time-domain traveling wave （TDTW） method. The propos...; 关键词：Ga As Multiwavelength generation using an add-drop microring resonator integrated with an InGaAsP/InP sampled grating distributed feedback DFB SG

Fabrication and optimization of 1.55-μm InGaAsP/InP high-power semiconductor diode laser被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2015年第9期89-92,共4页柯青谭少阳刘松涛陆丹张瑞康王圩吉晨; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61274046,61201103);the National High Technology Research and Development Program of China(No.2013AA014202); A comprehensive design optimization of 1.55-#m high power InGaAsP/InP board area lasers is performed aiming at increasing the internal quantum efficiency （ηi） while maintaining the low internal loss （αi） of the ...; 关键词：high power laser INP internal loss internal quantum efficiency

Optimization of 1.3-μm InGaAsP/InP Electro-Absorption Modulator: 《Chinese Physics Letters》2015年第8期83-86,共4页王会涛周代兵张瑞康陆丹赵玲娟朱洪亮王圩吉晨; Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 61274046,61474111 and 61321063;the National High-Technology Research and Development Program of China under Grant No 2013AA014202; We report the simulation and experimental results of 1.3-μm InGaAsP/InP multiple quantum well （MQW） electro-absorption modulators （EAMs）. In this work, the quantum confined Stark effect of the EAM is system- atic...; 关键词：EAM INP Optimization of 1.3 m InGaAsP/InP Electro-Absorption Modulator

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