覃文治

作品数：6被引量：23H指数：3
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供职机构：西南技术物理研究所更多>>
发文主题：铟镓砷芯片焦平面探测器雪崩雪崩二极管更多>>
发文领域：电子电信理学金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《红外与激光工程》《激光技术》更多>>
所获基金：中国人民解放军总装备部预研基金四川省科技计划项目更多>>
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32×32 Si盖革模式激光焦平面探测器被引量：1
《激光技术》2024年第5期665-670,共6页王江 王鸥 刘向东 袁利 柯尊贵 郝昕 覃文治 杨赟秀 
国家重点研发计划资助项目(2021YFB3203101)。
为了满足350 nm~1100 nm波长范围内远距离及微弱激光3维成像探测的需求,提出了一种规模为32×32的盖革模式硅激光焦平面阵列探测器,它主要由硅雪崩光电二极管阵列、读出电路芯片、微透镜阵列、半导体制冷器、引脚网格阵列壳体等元件组...
关键词：传感器技术 雪崩焦平面探测器 盖革模式 硅 激光3维成像 
InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器发展研究被引量：1
《激光技术》2021年第1期105-108,共4页张伟 徐强 谢修敏 邓杰 覃文治 胡卫英 陈剑 宋海智 
四川省科技计划资助项目(2018TZDZX0001);国家重点研发计划资助项目(2017YFB0405302)。
基于InGaAs纳米线的光电探测器,由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究。综述了InGaAs纳米线光电探测器的探测机理、材料结构、器件性能和当前的研究现状。讨论了InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器结构设计、纳米线材料精密生长、纳米线...
关键词：传感器技术 雪崩焦平面探测器 InGaAs纳米线阵列 光电二极管 探测器 
64×64 InGaAs/InP三维成像激光焦平面探测器被引量：12
《红外与激光工程》2018年第8期107-111,共5页李潇 石柱 代千 覃文治 寇先果 袁鎏 刘期斌 黄海华 
总装备部十二五预研项目
针对900~1 700 nm波长无扫描激光三维成像雷达的需求,研制了一种规模为64×64的线性模式雪崩焦平面阵列(LM-APD-FPA),它由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与CMOS专用读出电路(ASIC)组成。该器件采用飞行时间(TOF)测距的方式工作,APD光敏...
关键词：焦平面阵列 线性模式 铟镓砷 飞行时间测距 三维成像 
低暗计数率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管被引量：2
《红外与激光工程》2017年第12期272-278,共7页石柱 代千 宋海智 谢和平 覃文治 邓杰 柯尊贵 孔繁林 
装备发展预研项目
通过对InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD)的探测效率、暗计数率等基本特性与该器件的禁带宽度、电场分布、雪崩长度、工作温度等参数之间关系的分析,采用比通常的InxGa As(x=0.53)材料具有更宽带隙的InxGa1-xAsyP1-y(x=0.78,y=0.47)材...
关键词：单光子雪崩二极管 INGAASP/INP 1.06μm 自由模式 暗计数率 
用于光子计数的InGaAs/InP SPAD设计被引量：6
《红外与激光工程》2015年第3期934-940,共7页纪应军 石柱 覃文治 代千 冯万鹏 胡俊杰 
重点研究了InGaAs/InP SPAD的隧道贯穿电场、雪崩击穿电场、雪崩宽度与过偏电压的关系,提出了过偏电压的计算方法。分析了InGaAs/InP SPAD的基本特性即探测效率、暗计数率与其过偏电压、工作温度、量子效率、电场分布的依赖关系,提出了...
关键词：InGaAs/InP单光子雪崩二极管 雪崩宽度 工作温度 电场分布 
中心带雪崩光电二极管的InGaAs PIN四象限探测器被引量：3
《红外与激光工程》2010年第5期824-829,共6页石柱 何伟 覃文治 向秋澄 
介绍了研制的中心带雪崩管的PIN四象限InGaAs光电探测器。这种光电探测器PD芯片具有一个平面结构的InGaAs PIN四象限光电二极管,其中心位置带有一个雪崩光电二极管,位于同一晶片上。探测器的5个PD芯片被安装在各自厚膜集成的前置放大器...
关键词：四象限光电探测器 人眼安全激光测距 激光坐标定位 INGAAS PIN和APD 
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