何伟

作品数:3被引量:8H指数:2
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供职机构:西南技术物理研究所更多>>
发文主题:光电探测器雪崩光电探测器加速寿命试验光纤分路器更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《科学技术与工程》《红外与激光工程》《兵器装备工程学报》更多>>
所获基金:国防科技工业技术基础科研项目更多>>
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硅雪崩光电探测器工作寿命试验及失效分析研究被引量:3
《兵器装备工程学报》2016年第8期160-163,共4页邓敏 孙莉 周小燕 何伟 梁晨宇 李龙 
通过FMEA分析和加速寿命试验,确定了硅雪崩光电探测器的主要失效模式有两种,一种是暗电流超标,另一种是前放输出电压不合格;对这两种失效模式进行了失效分析,认为是高温应力引起器件内部气氛的变化,主要是氢气含量变大引起器件暗电流不...
关键词:硅雪崩光电探测器 FMEA 加速寿命试验 失效分析 
硅雪崩光电探测器加速工作寿命试验应用研究被引量:2
《科学技术与工程》2016年第16期199-201,211,共4页周小燕 何伟 梁晨宇 向秋澄 李龙 邓敏 
国防科技工业技术基础科研项目资助
为了通过加速寿命试验评估硅雪崩光电探测器的工作寿命,通过FMEA分析和摸底试验,确定了硅雪崩光电探测器的主要失效模式、敏感应力和极限应力,设计并实施了加速工作寿命试验,得到了与理论分析和摸底试验相同的结果:温度应力是影响硅雪...
关键词:工作寿命 温度应力 暗电流 加速寿命试验 
中心带雪崩光电二极管的InGaAs PIN四象限探测器被引量:3
《红外与激光工程》2010年第5期824-829,共6页石柱 何伟 覃文治 向秋澄 
介绍了研制的中心带雪崩管的PIN四象限InGaAs光电探测器。这种光电探测器PD芯片具有一个平面结构的InGaAs PIN四象限光电二极管,其中心位置带有一个雪崩光电二极管,位于同一晶片上。探测器的5个PD芯片被安装在各自厚膜集成的前置放大器...
关键词:四象限光电探测器 人眼安全激光测距 激光坐标定位 INGAAS PIN和APD 
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