石柱

作品数：6被引量：22H指数：3
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供职机构：西南技术物理研究所更多>>
发文主题：铟镓砷芯片雪崩二极管光敏面像元更多>>
发文领域：电子电信核科学技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《红外与激光工程》更多>>
所获基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
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64×64 InGaAs/InP三维成像激光焦平面探测器被引量：12
《红外与激光工程》2018年第8期107-111,共5页李潇 石柱 代千 覃文治 寇先果 袁鎏 刘期斌 黄海华 
总装备部十二五预研项目
针对900~1 700 nm波长无扫描激光三维成像雷达的需求,研制了一种规模为64×64的线性模式雪崩焦平面阵列(LM-APD-FPA),它由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与CMOS专用读出电路(ASIC)组成。该器件采用飞行时间(TOF)测距的方式工作,APD光敏...
关键词：焦平面阵列 线性模式 铟镓砷 飞行时间测距 三维成像 
低暗计数率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管被引量：2
《红外与激光工程》2017年第12期272-278,共7页石柱 代千 宋海智 谢和平 覃文治 邓杰 柯尊贵 孔繁林 
装备发展预研项目
通过对InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD)的探测效率、暗计数率等基本特性与该器件的禁带宽度、电场分布、雪崩长度、工作温度等参数之间关系的分析,采用比通常的InxGa As(x=0.53)材料具有更宽带隙的InxGa1-xAsyP1-y(x=0.78,y=0.47)材...
关键词：单光子雪崩二极管 INGAASP/INP 1.06μm 自由模式 暗计数率 
用于光子计数的InGaAs/InP SPAD设计被引量：6
《红外与激光工程》2015年第3期934-940,共7页纪应军 石柱 覃文治 代千 冯万鹏 胡俊杰 
重点研究了InGaAs/InP SPAD的隧道贯穿电场、雪崩击穿电场、雪崩宽度与过偏电压的关系,提出了过偏电压的计算方法。分析了InGaAs/InP SPAD的基本特性即探测效率、暗计数率与其过偏电压、工作温度、量子效率、电场分布的依赖关系,提出了...
关键词：InGaAs/InP单光子雪崩二极管 雪崩宽度 工作温度 电场分布 
中心带雪崩光电二极管的InGaAs PIN四象限探测器被引量：3
《红外与激光工程》2010年第5期824-829,共6页石柱 何伟 覃文治 向秋澄 
介绍了研制的中心带雪崩管的PIN四象限InGaAs光电探测器。这种光电探测器PD芯片具有一个平面结构的InGaAs PIN四象限光电二极管,其中心位置带有一个雪崩光电二极管,位于同一晶片上。探测器的5个PD芯片被安装在各自厚膜集成的前置放大器...
关键词：四象限光电探测器 人眼安全激光测距 激光坐标定位 INGAAS PIN和APD 
2μm激光探测器的设计和制备
《红外与激光工程》2006年第z5期37-42,共6页石柱 王鸥 
通过分析2μm波长的差分吸收雷达(DIAL)用于测量大气气象参数和 CO_2分布等测量对激光探测器的技术要求,介绍了相应的2μm波长光电二极管探测器的技术指标。根据该指标进行了器件的材料、材料结构和器件结构设计。其外延材料采用了 In_(...
关键词：2μm 激光 探测器 设计 制备 
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