暗电流

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光电探测器暗电流宽温拟合算法研究
《光通信研究》2025年第1期77-82,共6页袁国振 任海兰 
【目的】为了消除光电探测器(PD)内正负(PN)结固有暗电流物理特性的影响,在提升探测器功率探测范围和扩宽探测器工作环境温度范围的同时提高PD探测精度,文章设计了一套在标定PD时应用的暗电流补偿算法。【方法】首先,通过分析光电二极...
关键词：暗电流 光电探测器 宽温范围 低功探测 补偿算法 
钝化层结构对EBCMOS噪声特性的影响
《中国激光》2025年第1期205-213,共9页何欣悦 焦岗成 程宏昌 杨展 李野 宋德 陈卫军 
国家自然科学基金(U2141239,12274041)。
为获得高信噪比的电子轰击型CMOS(EBCMOS)成像器件,基于微光成像和半导体理论构建了EBCMOS的信噪比理论计算模型。用像素内信噪比(SNR)、像素内总噪声电子数(N_(pixel))、像素内倍增电子数(N_(M))和单位像素内暗电流电子数(N_(dark))等...
关键词：微光成像 EBCMOS器件 信噪比 暗电流 钝化层 界面态密度 
倍增层Si浓度对β-FeSi_(2)/Si红外探测器性能的影响研究
《河南科技》2025年第1期73-77,共5页朱朝阳 叶伟 彭慧龙 陈昱坤 
陕西省教育厅重点实验室项目(16JS016);陕西省教育厅专项科研计划(18JK0151);陕西“十四五”教育科学规划2022年度课题(SGH22Y1351)。
【目的】为降低暗电流,改善器件性能,对不同的倍增层Si掺杂浓度在电场分布、暗电流和响应度等性能方面的影响进行探讨,以获得掺杂浓度的最优值。【方法】利用半导体仿真软件Silvaco-TCAD深入探讨了倍增层Si掺杂浓度对β-FeSi_(2)/Si近...
关键词：掺杂浓度 倍增层 暗电流 红外探测器 
一种低暗电流红外光敏晶体管理论与工艺研究
《电子器件》2024年第6期1441-1444,共4页陈培仓 徐阳 张铮 史良旭 王涛 吴建伟 
针对现有红外光敏晶体管芯片125℃高温下暗电流超过1 mA/mm^(2),无法胜任高温场景应用难题,开展了红外光敏晶体管暗电流影响因子研究。通过在结构上增加浓硼区注入设计和工艺上降低材料外延电阻率,获得了常温下暗电流小于1 nA/mm^(2)、...
关键词：红外光敏晶体管 暗电流 高温 浓硼 电阻率 
电子轰击引起CMOS图像传感器增益衰减研究
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第12期1414-1420,共7页闫磊 石峰 程宏昌 苗壮 杨晔 樊海波 韩剑 焦岗成 
为探究氧化铝钝化层结构的CMOS图像传感器在较高电流密度的电子轰击后电子倍增系数减小问题,本文模拟氧化铝钝化层CMOS图像传感器制备工艺方法。在晶向为(100),掺杂浓度为5×10^(18) cm^(-3)的P型硅表面制备氧化铝钝化层,模拟电子束轰击...
关键词：电子轰击(EBCMOS) 氧化铝钝化层 暗电流 电子倍增系数 图像传感器 
超小间距微台面InGaAs探测器光电性能研究
《红外与毫米波学报》2024年第6期755-761,共7页田宇 于春蕾 李雪 邵秀梅 李淘 杨波 于小媛 曹嘉晟 龚海梅 
上海市自然科学基金(22ZR1472600)。
超小中心距InGaAs探测器的制备需要降低探测器像元间的串音和探测器的暗电流。通过探索微台面InGaAs探测器制备工艺,成功制备了10µm和5µm中心距微台面InGaAs光敏芯片测试结构,并对其像元间的串音和探测器的暗电流进行了详细研究。结...
关键词：铟镓砷 微台面 串音 暗电流 
具有快响应速度和低暗电流的垂直MSM型CsPbBr_(3)薄膜光电探测器
《物理学报》2024年第20期277-285,共9页程学明 崔文宇 祝鲁平 王霞 刘宗明 曹丙强 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2022YFC3700801);济南市教育局(批准号:JNSX2023015);济南市科技局(批准号:202333042)资助的课题.
卤化物钙钛矿具有优异的电学和光学性能,是光电子器件中理想的有源层候选材料,特别是在高性能光探测方面显示出更具竞争力的发展前景,其中全无机钙钛矿CsPbBr_(3)因其良好的环境稳定性而被广泛关注.本文报道了一种具有快响应速度和低暗...
关键词：CsPbBr_(3) 光电探测器 垂直结构 低暗电流 高响应速度 
基于自适应滤波的暗电流消除设计
《激光杂志》2024年第8期38-45,共8页宋佳钫 孙自闯 
暗电流作为光电探测器的固有噪声,是影响双光束分光光度计检测性能的重要因素。为消除此影响,提出自适应滤波双光束分光光度计。首先,设计实时暗电流检测系统,能在每个检测周期内捕获样品信号、参考信号和暗电流信号。其次,针对时域差...
关键词：暗电流 双光束分光光度计 光电探测器 分光系统 级联滤波 
光通信用激光器及光电二极管质子位移损伤效应研究
《现代应用物理》2024年第4期96-102,115,共8页玛丽娅·黑尼 李豫东 王信 何承发 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(12205367);新疆维吾尔自治区“天山英才培养”计划资助项目(2023TSYCCX0045);新疆电子信息材料与器件实验室资助项目(2021D04012)。
激光器、探测器等光通信器件对空间辐射环境中高能粒子引入的位移损伤敏感,且随时间累积不可恢复。针对光通信用垂直腔面发射激光器和光电二极管开展了质子辐照试验,并对辐照前后器件的光功率-电流-电压曲线、阈值电流、低频噪声等参数...
关键词：位移损伤 垂直腔面发射激光器 InGaAs光电二极管 阈值电流 暗电流 
nBn结构长波红外碲镉汞器件优化设计
《红外技术》2024年第7期815-820,共6页覃钢 孔金丞 任洋 陈卫业 杨晋 秦强 赵俊 
基础加强计划领域基金(2019-JCJQ-JJ-527)。
分析了Type-I型能带对nBn结构碲镉汞器件性能的影响。通过理论计算获得了势垒层组分、掺杂浓度与能带带阶的关系,确定了nBn结构长波器件吸收层掺杂浓度与暗电流的关系。优化了nBn结构长波红外碲镉汞器件的掺杂浓度、势垒层与吸收层之间...
关键词：nBn结构 长波红外 碲镉汞 能带带阶 暗电流 
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