王信

作品数：39被引量：77H指数：5
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供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
发文主题：锗硅异质结双极晶体管总剂量单粒子效应总剂量效应比较器更多>>
发文领域：电子电信理学核科学技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《物理学报》《环境技术》《原子能科学技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金中国博士后科学基金更多>>
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光通信用激光器及光电二极管质子位移损伤效应研究
《现代应用物理》2024年第4期96-102,115,共8页玛丽娅·黑尼 李豫东 王信 何承发 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(12205367);新疆维吾尔自治区“天山英才培养”计划资助项目(2023TSYCCX0045);新疆电子信息材料与器件实验室资助项目(2021D04012)。
激光器、探测器等光通信器件对空间辐射环境中高能粒子引入的位移损伤敏感,且随时间累积不可恢复。针对光通信用垂直腔面发射激光器和光电二极管开展了质子辐照试验,并对辐照前后器件的光功率-电流-电压曲线、阈值电流、低频噪声等参数...
关键词：位移损伤 垂直腔面发射激光器 InGaAs光电二极管 阈值电流 暗电流 
基于锗硅异质结双极晶体管的低噪声放大器及其反模结构的单粒子瞬态数值仿真研究
《物理学报》2024年第12期288-299,共12页黄馨雨 张晋新 王信 吕玲 郭红霞 冯娟 闫允一 王辉 戚钧翔 
针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行TCAD仿真建模,基于SiGe HBT器件模型搭建低噪放大器(LNA)电路,开展单粒子瞬态(SET)的混合仿真,研究SET脉冲随离子不同LET值、入射角度的变化规律.结果表明:随着入射离子LET值的增大,LNA端口的SE...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 反模 混合仿真 
TPS61322集成式升压DC-DC电源变换器的总剂量效应研究
《固体电子学研究与进展》2022年第5期422-428,共7页徐锐 周东 刘炳凯 李豫东 王信 刘海涛 文林 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(61704190);中国科学院青年创新促进会资助项目(20211437)。
对低功率、升压型集成式DC-DC电源变换器的电离总剂量辐射损伤效应进行了研究。探讨了变换器在不同负载、不同输入电压条件下输出电压随总剂量的变化关系;揭示了升压型器件在高剂量率条件下输出电压瞬间损伤退化机理;分析了器件在关机模...
关键词：总剂量效应 Boost电源变换器 输出电压 负载电流损伤机理 高剂量率损伤效应 
SiGe HBT单粒子效应关键影响因素数值仿真
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第9期869-876,共8页张晋新 郭红霞 吕玲 王信 潘霄宇 
国家自然科学基金资助项目(11805270;12005159;61704127)。
针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体三维器件数值仿真工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究SiGe HBT单粒子效应的损伤机理,以及空间极端环境与器件不同工作模式耦合作用下的单粒子效应关键影响因素。分析比较不同条件下离...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 极端环境 数值仿真 
三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应被引量：3
《物理学报》2022年第5期308-318,共11页张晋新 王信 郭红霞 冯娟 吕玲 李培 闫允一 吴宪祥 王辉 
国家自然科学基金(批准号:11805270,12005159,61704127)资助的课题。
为探索锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)总剂量效应的损伤机理,采用半导体器件三维模拟工具(TCAD),建立电离辐照总剂量效应损伤模型,分析比较电离辐射在SiGe HBT不同氧化层结构的不同位置引入陷阱电荷缺陷后,器件正向Gummel特性和反向Gum...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 总剂量效应 三维数值模拟 
不同温度辐照下栅控双极晶体管的总剂量效应参数退化研究被引量：1
《原子能科学技术》2021年第12期2183-2190,共8页相传峰 李小龙 陆妩 王信 刘默寒 于新 蔡娇 张瑞勤 何承发 荀明珠 刘海涛 张巍 于刚 郭旗 
Supported by National Natural Science Foundation of China (11805270,12005293);West Light Foundation of Chinese Academy of Sciences(2019-XBQNXZ-B-013,2018-XBQNXZ-B-003)。
本文选用特殊测试结构的栅控横向PNP(gated lateral PNP,GLPNP)双极晶体管为研究对象,在不同辐照温度下,得到了温度和剂量对GLPNP双极晶体管辐射损伤的响应机制。试验结果表明,温度和剂量是影响界面陷阱电荷生成和退火动态平衡的关键因...
关键词：温度效应 总剂量效应 界面陷阱电荷 GLPNP双极晶体管 
模拟数字转换器AD574总剂量和单粒子翻转的协合效应被引量：1
《辐射研究与辐射工艺学报》2021年第4期91-96,共6页相传峰 姚帅 于新 李小龙 陆妩 王信 刘默寒 孙静 郭旗 蔡娇 杨圣 
国家自然科学基金(11805270、U1532261、12005293);中科院西部之光项目(2018-XBQNXZ-B-003)资助。
以美国亚德诺半导体技术有限公司bipolar/I2L工艺的1^(2)位模拟数字转换器AD574为研究对象,在^(60)Coγ辐照条件下累积400 Gy(Si)的电离剂量(Totalionizingdose,TID),对累积总剂量前后的样品进行激光单粒子翻转(Single-event upset,SEU...
关键词：模拟数字转换器 总剂量效应 单粒子翻转 协合效应 
增强型氮化镓功率器件的总剂量效应被引量：5
《微电子学》2021年第3期444-448,共5页陈思远 于新 陆妩 王信 李小龙 刘默寒 孙静 郭旗 
中科院西部之光项目(2019-XBQNXZ-B-014);国家自然科学基金资助项目(U1532261,U1630141,61534008)。
研究了P型帽层和共源共栅(Cascode)结构氮化镓(GaN)功率器件高/低剂量率辐照损伤效应。试验结果表明,P型帽层和Cascode结构GaN功率器件都不具有低剂量率损伤增强效应(ELDRS);Cascode结构GaN功率器件总剂量辐照损伤退化更明显;P型帽层结...
关键词：氮化镓功率器件 总剂量效应 低剂量率损伤增强效应 
双极运算放大器LM158电离总剂量与重离子协同辐射效应研究被引量：1
《核技术》2021年第5期62-68,共7页蔡娇 姚帅 陆妩 于新 王信 李小龙 刘默寒 孙静 郭旗 
国家自然科学基金青年基金(No.11805270);自治区天池博士计划项目(新科政字[2018]111号);中科院西部之光(No.2017-XBQNXZ-B-008)资助。
为研究双极运算放大器电离总剂量与单粒子瞬态的协同效应,选取双极运算放大器LM158分别在高剂量率0.1 Gy·s^(-1)(Si)和低剂量率1×10^(−4) Gy·s^(-1)(Si)条件下进行^(60)Coγ射线辐照试验,累积电离总剂量至1000 Gy(Si)后,再进行重离...
关键词：双极运算放大器 电离总剂量 单粒子瞬态 协同效应 
偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
《辐射研究与辐射工艺学报》2020年第5期60-66,共7页王利斌 王信 吴雪 李小龙 刘默寒 陆妩 
模拟集成电路重点实验室稳定支持项目(JCKY2019210C055);自治区天池博士计划项目(新科证字[2018]111号);西部之光(2018-XBQNXZ-B-003)资助。
本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数...
关键词：SIGE BICMOS 偏置条件 电离总剂量 氧化物陷阱电荷 界面态 
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