单粒子翻转

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应用于航空航天领域的低功耗多节点抗辐射静态随机存取存储器设计
《电子与信息学报》2025年第3期850-858,共9页柏娜 李钢 许耀华 王翊 
安徽高校协同创新项目(GXXT-2022-080,GXXT-2023-015)。
随着对太空的探索的深入,人们发现应用于航天领域的静态随机存取存储器(SRAM)易受到高能粒子轰击发生电节点翻转(SEU)和多节点翻转(SEMNU)。该文为解决SRAM的单粒子翻转问题提出一种16TSRAM单元可以用于SRAM的抗翻转应用,该单元包含3个...
关键词：单粒子翻转 抗辐射 静态随机存取存储器 
一种基于节点冗余技术的低功耗容忍DNU锁存器设计
《中国集成电路》2025年第3期50-54,共5页施峰 张瑾 
随着集成电路特征尺寸不断缩减,软错误逐渐成为影响集成电路可靠性的主要威胁因素。针对这种情况,本文提出了一种基于节点冗余技术的低功耗容忍DNU锁存器设计(DNUTL)。该锁存器使用由四对反相器构成的存储单元保证数据稳定锁存,另外采...
关键词：软错误 节点冗余 单粒子翻转 多节点翻转 
多重散射对40nm SRAM和3D-SRAM单粒子翻转的影响
《安徽大学学报(自然科学版)》2025年第1期53-60,共8页罗云龙 李刚 张宇 
基于RPP(rectangular parallelepiped)模型,利用Geant4软件包,构建了一个40 nm SRAM器件模型用于单粒子翻转效应模拟,通过Weibull函数拟合得到σ_(sat)和LET_(th)分别为8.98×10^(-9)cm^(2)·bit^(-1)和0.084 MeV/(mg·cm^(-2)).基于3D...
关键词：GEANT4 单粒子翻转 多重散射 3D-SRAM 
多核微处理器EDAC与位交织加固存储系统单粒子翻转特性分析
《微电子学与计算机》2025年第1期110-116,共7页池雅庆 胡春媚 陈建军 梁斌 陈小文 
国家自然科学基金(62174180)。
纠检错结合位交织作为主流的大容量片上存储器抗单粒子翻转加固方法,广泛应用于面向恶劣环境的先进微处理器中。基于高LET重离子辐照试验,探究某多核微处理器中EDAC与位交织加固存储系统的单粒子翻转特性,首次发现其SEU来源于加速器重...
关键词：EDAC SEC-DED 位交织 单粒子翻转 SRAM 
28 nm体硅工艺FPGA BRAM脉冲激光试验及翻转特性
《空间科学学报》2024年第6期1147-1154,共8页薛国凤 周昌义 安军社 吴昊 王天文 
国家重点研发计划项目资助(2022YFF0503900)。
针对SRAM型FPGA内部BRAM在轨出现翻转错误以及如何有效进行容错设计的问题,提出了测试BRAM空间单粒子效应和多位翻转图样的方法.多位翻转图样可以表征单次单粒子事件导致的BRAM中相邻单元的翻转特征,进而用于分析逻辑字内是否存在多位翻...
关键词：单粒子效应 脉冲激光 多单元翻转(MCU) BRAM翻转图样 单粒子翻转容错 
一种基于配置位流的FPGA刷新技术
《通信对抗》2024年第3期34-36,共3页陈贺贤 邓明 张朝晖 
单粒子翻转(SEU)是目前影响航天电子设备可靠运行的重大威胁之一,特别是随着以FPGA为代表的大规模可编程集成电路在航天电子设备中的广泛应用,如何对星载信号处理机进行抗单粒子翻转加固已经成为迫切需要解决的问题。介绍了一种FPGA刷...
关键词：单粒子翻转 FPGA 三模允余 实时刷新 
双埋氧绝缘体上硅SRAM铀离子单粒子效应研究
《现代应用物理》2024年第4期40-46,58,共8页王春林 高见头 刘凡宇 陈思远 王娟娟 王天琦 李博 倪涛 
国家自然科学基金资助项目(U2267210)。
随着集成电路技术的进步,提高电路的单粒子翻转(single event upset,SEU)阈值变得愈发困难。双埋氧层绝缘体上硅(double silicon-on-insulator,DSOI)技术为单粒子加固技术提供了新方法。利用哈尔滨工业大学空间地面模拟装置(space envir...
关键词：绝缘体上硅 双埋氧层绝缘体上硅 静态随机存储器 单粒子效应 单粒子翻转 
NMOS晶体管电荷共享导致的SRAM单元单粒子翻转恢复效应研究
《中国集成电路》2024年第6期48-55,共8页高珊 李洋 郝礼才 赵强 彭春雨 蔺智挺 吴秀龙 
国家自然科学基金(62274001);国家自然科学基金(62104002);安徽省省高校科研重点项目(2023AH040011);安徽省重点研发项目(2022a05020044);国家自然科学基金(62104001)。
基于Synopsys公司的三维器件模拟软件TCAD,本文研究了NMOS晶体管电荷共享导致SRAM单元的单粒子翻转恢复(SEUR)效应。分析了NMOS晶体管电荷共享导致SEUR效应的物理机制,系统研究了NMOS晶体管偏置(如电源电压、P阱偏置电压)和工艺参数(如P...
关键词：单粒子翻转恢复效应 SRAM 电荷共享 工艺参数 
一种高速时钟分配电路单粒子效应测试系统设计
《现代电子技术》2024年第10期57-63,共7页魏亚峰 蒋伟 陈启明 孙毅 刘杰 李曦 张磊 
时钟分配电路是电子系统中信号处理单元参考时钟及多路时钟分配的关键元器件,其跟随系统在宇宙空间中容易受宇宙射线辐照发生单粒子效应,进而影响系统性能指标甚至基本功能。为此,提出一种针对数字单元翻转的微测试方法,结合分段存储技...
关键词：单粒子效应 时钟分配电路 HI-13串列加速器 HIRFL回旋加速器 单粒子锁定 单粒子翻转 
FinFET器件单粒子翻转物理机制研究评述
《航天器环境工程》2024年第2期225-233,共9页王仕达 张洪伟 唐民 梅博 孙毅 
鳍式场效应晶体管(FinFET)器件由于其较高的集成度以及运算密度,已成为未来航天应用领域的重要选择。FinFET器件的辐射敏感性与其制作工艺和工作条件息息相关。为了解FinFET器件的单粒子翻转(SEU)敏感机制,文章结合国内外开展的相关研究...
关键词：鳍式场效应晶体管 单粒子翻转 软错误率 静态随机存取存储器 
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