静态随机存取存储器

作品数：86被引量：134H指数：7
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应用于航空航天领域的低功耗多节点抗辐射静态随机存取存储器设计
《电子与信息学报》2025年第3期850-858,共9页柏娜 李钢 许耀华 王翊 
安徽高校协同创新项目(GXXT-2022-080,GXXT-2023-015)。
随着对太空的探索的深入,人们发现应用于航天领域的静态随机存取存储器(SRAM)易受到高能粒子轰击发生电节点翻转(SEU)和多节点翻转(SEMNU)。该文为解决SRAM的单粒子翻转问题提出一种16TSRAM单元可以用于SRAM的抗翻转应用,该单元包含3个...
关键词：单粒子翻转 抗辐射 静态随机存取存储器 
新型低电压SRAM读写辅助电路设计
《中国集成电路》2025年第1期54-58,64,共6页刘勇 彭春雨 
安徽省教育厅高校自然科学基金项目2023AH040011。
随着微处理器对低功耗与高能效需求的增长,SRAM作为其主要功耗与面积来源,优化SRAM功耗至关重要。降低电源电压是降低功耗的重要方法,但也会严重影响SRAM的读写性能。针对此问题,本文提出了一种新型读写辅助电路结构,该结构可以增强写...
关键词：低电压 低功耗 静态随机存取存储器(SRAM) 读写辅助电路 
基于SRAM和NVM的存内计算技术综述被引量：1
《计算机研究与发展》2024年第12期2937-2951,共15页张章 施刚 王启帆 马永波 刘钢 钱利波 
国家自然科学基金项目(U19A2053,62111540271);浙江省自然科学基金项目(LDT23F04022F04)。
集存储与计算于一身的快速低功耗存内计算架构,突破了存储与计算分离的传统冯·诺依曼体系,解决了限制处理器算力的“内存墙”问题,成为新型计算架构的研究热点.存内计算的基础器件包括高速且工艺成熟的静态随机存取存储器(static RAM,S...
关键词：非冯·诺依曼 静态随机存取存储器 忆阻器 磁性随机存取存储器 存内计算 
基于原补码实现的位串行SRAM存内计算
《北京理工大学学报》2024年第10期1095-1104,共10页徐伟栋 娄冕 李立 张凯 龚龙庆 
军科委技术探索项目(222-CXCY-M05-01-01-01);航天青年拔尖人才基金(YY2022-015)。
针对目前大多数存内计算无法独立处理非卷积计算的问题,提出了一种将转置8T单元与基于向量的位串行存内运算相结合的通用混合型存内计算.采用原码一位乘、补码加法和溢出激活处理,可支持任意位宽的整数/小数及正/负数的乘累加操作,也可...
关键词：存内计算 深度神经网络 静态随机存取存储器 能效 
基于RS和BCH码的SRAM-PUF密钥提取方法及性能分析
《计算机工程》2024年第7期187-193,共7页周昱 于宗光 
物理不可克隆函数(PUF)是芯片制造过程中随机偏差形成的唯一和不可复制的物理指纹,使用这个特征可以鉴别各个芯片,然而PUF芯片因环境变化会影响输出,导致在认证应用时可能失败。介绍了模糊提取器的密钥提取方法,通过在静态随机存取存储...
关键词：物理不可克隆函数 静态随机存取存储器 模糊提取器 里德-所罗门码 BCH码 
FinFET器件单粒子翻转物理机制研究评述
《航天器环境工程》2024年第2期225-233,共9页王仕达 张洪伟 唐民 梅博 孙毅 
鳍式场效应晶体管(FinFET)器件由于其较高的集成度以及运算密度,已成为未来航天应用领域的重要选择。FinFET器件的辐射敏感性与其制作工艺和工作条件息息相关。为了解FinFET器件的单粒子翻转(SEU)敏感机制,文章结合国内外开展的相关研究...
关键词：鳍式场效应晶体管 单粒子翻转 软错误率 静态随机存取存储器 
存储体编译和布局协同的片上缓存设计方法
《国防科技大学学报》2024年第1期198-203,共6页刘必慰 熊琪 杨茗 宋雨露 
国家部委基金资助项目。
为了提高片上缓存的速度、降低面积和功耗,提出了一种存储体编译和布局协同的片上缓存设计方法。该方法基于存储体在芯片上的不同空间位置预估该存储体的时序余量,分别采用拆分/合并、尺寸调整、阈值替换和长宽比变形等多种配置参数穷...
关键词：片上缓存 静态随机存取存储器 协同设计 低功耗 
纳米级FDSOI静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应被引量：2
《原子核物理评论》2023年第4期628-635,共8页杨金虎 赵培雄 王亮 刘亚娇 张振华 焦扬 赵世伟 翟鹏飞 孙友梅 刘杰 
国家自然科学基金资助项目(12105341,12035019)。
全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)工艺是制备高可靠宇航电子器件的理想半导体工艺,因此深入揭示FDSOI工艺器件的单粒子效应机理对抗辐射加固设计具有理论指导意义。针对22 nm FDSOI SRAM测试器件,研究了不同重离子及电学参数对器件单粒子翻转敏...
关键词：单粒子效应 重离子 多单元翻转 全耗尽绝缘体上硅 静态随机存取存储器 入射角度 
基于双MCU与双端口SRAM的高速传感系统设计被引量：1
《武汉轻工大学学报》2023年第5期114-120,共7页宋玉琢 徐建 刘文林 魏文菲 
随着半导体设备的广泛使用,对传感器测量系统的需求也大大增加,传统的传感器测量系统将MCU(微控制单元)与传感器组合使用,用于实时采集、处理和分析数据,但是受限于存储容量、处理速度、测量精度等无法满足高速实时处理数据的需求。基于...
关键词：微控制单元(MCU) 双端口静态随机存取存储器(SRAM) 高速传感系统 实时性 
基于静态随机存取存储器单粒子效应的中子能谱测量方法被引量：1
《现代应用物理》2023年第3期84-89,共6页秋妍妍 谭志新 易晗 贺永宁 赵小龙 樊瑞睿 
广东省基础与应用基础研究基金资助项目(2021B1515120027);粒子探测与电子学国家重点实验室基金资助项目(SKLPDE-ZZ-202008)。
通过对静态随机存取存储器(static random-access memory,SRAM)单粒子翻转截面的研究,提出了一种更有效、成本更低、可测量一到几十兆电子伏能量范围内中子能谱的新方法。利用已发表单粒子翻转截面信息的SRAM,采用奇异值分解(singular v...
关键词：中子能谱测试 单粒子翻转 SRAM翻转截面 奇异值分解 
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