唐民

作品数：19被引量：77H指数：6
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供职机构：中国空间技术研究院更多>>
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发文领域：电子电信航空宇航科学技术自动化与计算机技术理学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《装备环境工程》《核电子学与探测技术》《太赫兹科学与电子信息学报》更多>>
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FinFET器件单粒子翻转物理机制研究评述
《航天器环境工程》2024年第2期225-233,共9页王仕达 张洪伟 唐民 梅博 孙毅 
鳍式场效应晶体管(FinFET)器件由于其较高的集成度以及运算密度,已成为未来航天应用领域的重要选择。FinFET器件的辐射敏感性与其制作工艺和工作条件息息相关。为了解FinFET器件的单粒子翻转(SEU)敏感机制,文章结合国内外开展的相关研究...
关键词：鳍式场效应晶体管 单粒子翻转 软错误率 静态随机存取存储器 
宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准规范体系被引量：10
《现代应用物理》2020年第2期61-70,共10页陈伟 唐民 郭晓强 于庆奎 罗尹虹 梅博 姚志斌 丁李利 李瑞宾 王桂珍 杨善潮 王祖军 马武英 
国家自然科学基金资助项目(11690040,11690043)。
宇航器件抗辐射性能主要依靠地面辐射模拟装置开展试验和评估,试验与评估标准规范是科学评价宇航器件抗辐射性能的重要依据。本文针对宇航器件空间辐射效应地面模拟试验的需求,分析了国内外宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准...
关键词：宇航器件 空间辐射效应 试验与评估 标准 规范 
重离子辐照1200V碳化硅二极管漏电退化的缺陷分析被引量：4
《装备环境工程》2020年第3期53-58,共6页曹爽 于庆奎 郑雪峰 常雪婷 王贺 孙毅 梅博 张洪伟 唐民 
国家自然科学基金项目(11875068,11805271)。
目的研究1200 V碳化硅二极管重离子辐照诱生缺陷对漏电流退化的影响。方法以SiC结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky Diode,JBSD)为样品,采用能量为208 MeV,LET=37.3 MeV·cm^2/mg的锗离子进行辐照试验,利用半导体器件分析仪...
关键词：SIC JBSD DLTS 缺陷 辐照 重离子 漏电退化 
MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析被引量：1
《航天器环境工程》2019年第5期458-462,共5页于庆奎 张洪伟 孙毅 梅博 李晓亮 吕贺 王贺 李鹏伟 唐民 王哲力 文平 
国家自然科学基金项目(编号：11875068;11475256)
为验证一款GaN功率放大器抗空间辐射效应能力,对其进行了重离子单粒子效应试验研究。被试样品是由GaN HEMT、MOS电容器和电感器等组成的混合电路。试验源为加速器产生的锗离子(Ge^+13,能量205 MeV),线性能量传输(LET)值为37.4 MeV cm^2...
关键词：氮化镓功率放大器 单粒子效应 重离子辐照试验 单粒子介质击穿 MOS电容器 
SiC器件单粒子效应敏感性分析被引量：14
《原子能科学技术》2019年第10期2114-2119,共6页于庆奎 曹爽 张洪伟 梅博 孙毅 王贺 李晓亮 吕贺 李鹏伟 唐民 
国家自然科学基金资助项目(11875068,11475256)
新一代航天器需要使用耐高压、功率损耗低的第3代半导体SiC器件,为了给器件选用和抗辐射设计提供依据,以SiCMOSFET和SiC二极管为对象,进行单粒子效应敏感性分析。重离子试验发现,在较低电压下,重离子会在SiC器件内部产生永久损伤,引起...
关键词：碳化硅 空间 航天器 辐射效应 单粒子效应 单粒子烧毁 
粒子入射条件对28 nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究被引量：1
《电子与封装》2019年第6期32-40,共9页金鑫 唐民 于庆奎 张洪伟 梅博 孙毅 唐路平 
利用器件仿真工具TCAD,建立28nm体硅工艺器件的三维模型,研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28nm体硅工艺器件单粒子效应电荷共享的影响规律。结果表明,粒子LET值增大、入射角度的增大、器件间距的减小和浅槽隔离(STI)深度的减少都...
关键词：器件仿真 28nm 单粒子效应 电荷共享 多位翻转 
SiC结势垒肖特基二极管的重离子单粒子效应被引量：3
《现代应用物理》2019年第1期54-58,共5页于庆奎 张洪伟 孙毅 梅博 魏志超 李晓亮 王贺 吕贺 李鹏伟 曹爽 唐民 
国家自然科学基金资助项目(11875068;11475256;61634008)
在100～600V偏压下,对600,1 200,3 300V的SiC结势垒肖特基二极管用加速器产生的氙(Xe)和钽(Ta)重离子进行了辐照实验。结果表明,器件漏电流随入射离子LET、注量及偏压的增加而增大,甚至出现了短路失效。分析认为,肖特基结局部被重离子破...
关键词：SIC 肖特基二极管 单粒子效应 单粒子烧毁 单粒子锁定 
纳米器件质子在轨单粒子翻转率预计方法被引量：3
《太赫兹科学与电子信息学报》2017年第1期145-147,158,共4页于庆奎 罗磊 唐民 孙毅 魏志超 李铮 
国家自然科学基金资助项目(11475256))
研究了纳米器件在空间轨道中质子引起单粒子翻转(SEU)率的预计方法。以65 nm SRAM为样品,利用加速器进行了质子和重离子单粒子翻转试验,分别基于质子试验数据和重离子试验数据,预计了空间轨道中质子引起的单粒子翻转率。结果表明,用重...
关键词：辐射效应 纳米器件 质子 重离子 单粒子翻转 
一种检测和校正存储器双错的低冗余加固方法被引量：1
《宇航学报》2014年第8期924-930,共7页祝名 朱恒静 刘迎辉 于庆奎 唐民 
为了提高宇航用存储器的抗单粒子翻转能力,本文对传统的单错误修正、双错误探测(Single Error Correction and Double Error Detection,SEC-DED)码的构造进行了改进和优化,给出了构建单错校正、双错检测、相邻双错校正(Single Error Cor...
关键词：存储器 抗辐射加固 错误修正码 多位翻转 
Xilinx低等级FPGA高可靠应用的升级试验方法研究被引量：6
《电子产品可靠性与环境试验》2014年第1期11-17,共7页刘迎辉 朱恒静 张大宇 唐民 宁永成 段超 
随着微电子设计与制造水平的不断提高,部分低质量等级集成电路逐渐地具备了应用于高可靠性要求的军事和宇航领域的能力。Xilinx FPGA作为高性能逻辑器件的典型代表,具有较高的设计和工艺成熟度,在军事和宇航领域有着广阔的应用前景。全...
关键词：现场可编程门阵列 低等级 高可靠性 升级试验 
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