云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- DLTS

DLTS: 作品数：63被引量：83H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：封松林崔连森王海龙张峰闫果果更多>>; 相关机构：中国科学院四川大学潍坊学院华南理工大学更多>>; 相关期刊：《暨南大学学报（自然科学与医学版）》《Journal of Modern Physics》《电子测量技术》《量子电子学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家攀登计划国家高技术研究发展计划安徽省自然科学基金更多>>

Defects evolution in n-type 4H-SiC induced by electron irradiation and annealing: 《Journal of Semiconductors》2024年第7期77-83,共7页Huifan Xiong Xuesong Lu Xu Gao Yuchao Yan Shuai Liu Lihui Song Deren Yang Xiaodong Pi; supported by the Open Fund(2022E10015)of the Key Laboratory of Power Semiconductor Materials and Devices of Zhejiang Province&Institute of Advanced Semiconductors,ZJU-Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center。; Radiation damage produced in 4H-SiC by electrons of different doses is presented by using multiple characterization techniques. Raman spectra results indicate that SiC crystal structures are essentially impervious to ...; 关键词：4H-SIC deep level transient spectroscopy(DLTS) photoluminescence(PL) DEFECTS

Trap analysis on Pt-AlGaN/GaN Schottky barrier diode through deep level transient spectroscopy: 《Journal of Semiconductors》2023年第4期92-97,共6页Ashish Kumar Jayjit Mukherjee D.S.Rawal K.Asokan D.Kanjilal; the financial support received from the Department of Science and Technology,India through DST-INSPIRE Faculty scheme(DST/INSPIRE/04/2015/001572).; Trap characterization on GaN Schottky barrier diodes(SBDs)has been carried out using deep-level transient spectroscopy(DLTS).Selective probing by varying the ratio of the rate window values(r)incites different trap si...; 关键词：deep traps Pt-SBD DLTS rate window defects

HfO2/SrTiO3氧化物场效应晶体管的深能级瞬态谱测试方法研究: 《电子测量技术》2020年第9期23-28,共6页肖化宇杨潇唐义强曾慧中张万里; 国家自然科学基金(51672035)项目;国家重点研发计划(2017YFB0406401)项目资助; 研究了深能级瞬态谱(DLTS)测量HfO2/SrTiO3(STO)场效应晶体管中缺陷的方法。该场效应晶体管的沟道为Ar+轰击SrTiO3表面形成的导电层,导电层表现为n型掺杂,其载流子浓度约为2.5×1013 cm-2;栅介质为通过磁控溅射的方法制备的非晶氧化铪...; 关键词：HfO2/SrTiO3 场效应晶体管 DLTS 缺陷介电常数

重离子辐照1200V碳化硅二极管漏电退化的缺陷分析被引量：4: 《装备环境工程》2020年第3期53-58,共6页曹爽于庆奎郑雪峰常雪婷王贺孙毅梅博张洪伟唐民; 国家自然科学基金项目(11875068,11805271)。; 目的研究1200 V碳化硅二极管重离子辐照诱生缺陷对漏电流退化的影响。方法以SiC结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky Diode,JBSD)为样品,采用能量为208 MeV,LET=37.3 MeV·cm^2/mg的锗离子进行辐照试验,利用半导体器件分析仪...; 关键词：SIC JBSD DLTS 缺陷辐照重离子漏电退化

Influence of deep defects on electrical properties of Ni/4H-SiC Schottky diode: 《Chinese Physics B》2019年第2期400-405,共6页Jin-Lan Li Yun Li Ling Wang Yue Xu Feng Yan Ping Han Xiao-Li Ji; Project supported by the National Key Research and Development Program of China(Grant No.2016YFB0400402); In this paper, we investigate the influence of deep level defects on the electrical properties of Ni/4H-SiC Schottky diodes by analyzing device current-voltage(I-V) characteristics and deep-level transient spectra(DLT...; 关键词：4H–SiC SCHOTTKY diodes SCHOTTKY barrier HEIGHTS DEEP DEFECTS DLTS

Identifying defect energy levels using DLTS under different electron irradiation conditions被引量：1: 《Nuclear Science and Techniques》2017年第12期262-268,共7页Chun-Sheng Guo Ruo-Min Wang Yu-Wei Zhang Guo-Xi Pei Shi-Wei Feng Zhao-Xian Li; supported by the Beijing education and scientific research department(No.KM201510005008); Electron beams of 0.5, 1.5, 2.0, and 5.0 MeV were used to irradiate n-Si diodes to fluences of5.5×10^(13), 1.7×10^(14), and 3.3×1014 e cm^(-2). The forward voltage drop, minority carrier lifetime, and deep level tr...; 关键词：Electron IRRADIATION Deep level transient spectroscopy (DLTS) MINORITY CARRIER life time Silicon DIODE

本征非晶硅薄膜钝化晶体表面特性的DLTS分析: 《激光与光电子学进展》2017年第12期364-369,共6页龚敏刚黄海宾田罡煜高超孙喜莲邓新华袁吉仁周浪; 江西省重点研发计划-技术引进与合作研究-重点项目(2016BBH80043);国家自然科学基金(61306084;61464007;51561022;11664025);江苏省能量转换材料与技术重点实验室开放课题(NJ20160032);毫米波国家重点实验室开放课题(K201606);江西省自然科学基金(20161BAB201012);江西省教育厅科学技术研究重点项目(GJJ150021); 以SiH_4和H_2作为气源,采用热丝化学气相沉积法制备a-Si:H薄膜钝化c-Si表面,采用准稳态光电导法和I-V法分析了工艺参数对钝化效果的影响,采用C-V法和深能级瞬态谱法对钝化后硅片表面的缺陷态进行测试。实验结果表明,在频率为200 kHz时,...; 关键词：薄膜非晶硅钝化表面缺陷 DLTS 激活能俘获截面

气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心: 《发光学报》2016年第12期1532-1537,共6页王海龙韦志禄李耀耀王凯潘文武吴晓燕岳丽李士玲龚谦王庶民; 国家自然科学基金(61176065,61205055);山东省自然科学基金(ZR2014FM011);信息功能材料国家重点实验室开放课题(SKL201307)资助项目; 利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP0.97...; 关键词：InPBi 深中心深能级瞬态谱(DLTS) 气源分子束外延(GSMBE)

DLTS测试条件对不同位置深能级表征的影响: 《半导体技术》2016年第11期869-874,共6页黄瑾郑清洪; 国家自然科学基金青年科学基金资助项目(61306065);福建省自然科学基金资助项目(2015J05133); 材料纯度、生长工艺、退火条件均会影响半导体材料中的杂质或缺陷能级状态,如何精确测量半导体中的能级位置、俘获截面及浓度是进行材料物理研究、制备高性能电子器件的关键步骤。利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,采用不同测试条件测量n+p...; 关键词：深能级瞬态谱(DLTS) 深能级能级位置俘获截面锁相频率脉冲宽度

Influence of surface states on deep level transient spectroscopy in AlGaN/GaN heterostructure: 《Chinese Physics B》2016年第6期489-493,共5页朱青马晓华陈伟伟侯斌祝杰杰张濛陈丽香曹艳荣郝跃; Project supported by the National Key Basic Research Program of China(Grant No.2011CBA00606);the Program for New Century Excellent Talents in University,China(Grant No.NCET-12-0915);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61334002 and 61404097); Deep level transient spectroscopy（DLTS） as a method to investigate deep traps in AlGaN/GaN heterostructure or high electron mobility transistors（HEMTs） has been widely utilized.The DLTS measurements under differen...; 关键词：ALGAN/GAN hole-like traps DLTS surface states

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