云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 深能级

深能级: 作品数：267被引量：213H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：李兴冀杨剑群卢励吾吕钢周洁更多>>; 相关机构：中国科学院哈尔滨工业大学北京大学四川大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>

大尺寸超高纯锗单晶的生长和性能研究: 《人工晶体学报》2025年第1期34-39,共6页赵青松牛晓东顾小英狄聚青; 2022—2023年度核能开发科研项目高纯锗能谱仪工程化技术研究(HNKF202224(28))。; 高纯锗探测器具有分辨率高、探测效率高、稳定性好等优点,应用越来越广泛,但是其关键原材料超高纯锗单晶需要满足极高的纯度和晶体结构要求,制备难度很大。国内超高纯锗单晶制备技术仍不成熟,制备的晶体质量仍不够高。利用直拉法和自制...; 关键词：锗探测器超高纯锗单晶霍尔测试净载流子浓度位错密度深能级杂质浓度

电子辐照对4H-SiC MOS材料缺陷的影响: 《人工晶体学报》2024年第9期1536-1541,共6页刘帅熊慧凡杨霞杨德仁皮孝东宋立辉; 浙江大学杭州国际科创中心人才专项。; 4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下...; 关键词：4H-SiC MOS 电子辐照缺陷变化双碳间隙原子深能级瞬态谱

纤锌矿结构砷化镓纳米线中的深能级缺陷研究: 《量子电子学报》2024年第4期671-678,共8页乔旭冕李新化谷毛毛龚书磊弓紫燕吴超可吴超赵雷鸣; 安徽省首批揭榜性质课题(2021e03020007);安徽省重点研究与开发计划项目(202104a05020048)。; 深能级缺陷是造成纤锌矿结构砷化镓纳米线中持续光电导效应的主要原因。采用基于高斯分布的缺陷复合动力学方程分析了纤锌矿结构砷化镓纳米线的光电导衰减曲线,得到平均载流子捕获势垒为60.2 meV。通过分析光照下光电导瞬态行为,提出了...; 关键词：光电子学光电导纤锌矿结构砷化镓深能级缺陷分子束外延

深能级瞬态谱技术在Ⅲ-Ⅴ族太阳电池辐照损伤微观分析中的应用: 《现代应用物理》2024年第2期1-17,共17页李盟艾尔肯·阿不都瓦衣提王忠旭唐光海张淑艺王亭保杨鑫庄玉; 国家自然科学基金资助项目(U2330121);云南省科技厅重点基金资助项目(202201AS070019)。; 首先介绍了深能级瞬态谱(deep level transient spectroscopy,DLTS)技术在GaAs,GaInP及多结太阳电池辐照损伤微观分析中的应用,然后对DLTS技术在退火对GaAs,GaInP中主要陷阱的影响中如何发挥作用进行了综述,最后梳理了DLTS、时间分辨荧...; 关键词：深能级瞬态谱缺陷辐照损伤 Ⅲ-Ⅴ族太阳电池损伤机理

六氟钽酸氨拓扑转变制备低深能级缺陷Ta_(3)N_(5)光阳极实现超低偏压光电化学分解水: 《Chinese Journal of Catalysis》2024年第6期144-153,共10页徐伟甄超朱华泽姚婷婷邱建航梁艳白朔陈春林成会明刘岗; 国家自然科学基金项目(52425201,52072377,52188101);国家重点发展计划项目(2021YFA1500800);中国科学院青年创新促进会项目(2020192);中国科学院青年基础研究项目(YSBR-004);新基石科学基金(科学探索奖).; Ta_(3)N_(5)是一种具有2.1 eV直接带隙的n型半导体,其带隙跨越水的氧化还原电位.此外,Ta_(3)N_(5)的理论太阳能制氢效率(STH)高达15.9%,超过商业化应用的效率门槛(10%),是一种理想的光电化学分解水制氢光阳极材料.采用Ta2O5作为前驱体,...; 关键词：(NH_(4))_(2)Ta_(2)O_(3)F_(6) 拓扑转变低缺陷Ta3N5 起始电位光电化学分解水

揭示银关联缺陷的双重作用:环保型AgIn0.5Ga0.5S2中发光和载流子动力学的操纵者: 《Science China Materials》2024年第1期214-222,共9页刘高豫徐丽丽胡扬李晓明 Seokwoo Jeon 张胜利曾海波; financially supported by the Natural Science Foundation of Jiangsu Province (BK20180071);the Fundamental Research Funds for the Central Universities (30919011109);Qing Lan Project of Jiangsu Province;the Six Talent Peaks Project of Jiangsu Province (XCL-035)。; AgIn_(0.5)Ga_(0.5)S_(2)由于环境友好、合成成本低、成分灵活可调等优点在许多领域受到广泛关注.适当的直接带隙、无禁戒跃迁和高激子结合能使其成为一种有前途的发光材料.多组分体系的演化丰富了光电特性,并使其本征缺陷更加复杂.反过...; 关键词：深能级反位缺陷发光材料本征缺陷浅能级热力学稳定性禁戒跃迁多组分体系

中子辐射导致的SiC功率器件漏电增加特性研究: 《物理学报》2023年第18期329-337,共9页彭超雷志锋张战刚何玉娟马腾蔡宗棋陈义强; 国家自然科学基金(批准号:12075065,62274043);广东省基础与应用基础研究基金(批准号:2021B1515120043);广东省重点研发计划(批准号:2022B0701180002);广州市科技计划(批准号:202201010868)资助的课题。; 基于14 MeV中子辐照研究了碳化硅(silicon carbide,SiC)肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)器件的位移损伤退化特性.结果表明:...; 关键词：碳化硅功率器件中子辐照位移损伤深能级瞬态谱

NiO/Ga_(2)O_(3) p+-n异质结功率二极管中陷阱介导双极型电荷输运研究被引量：1: 《Science China Materials》2023年第3期1157-1164,共8页汪正鹏巩贺贺郁鑫鑫纪晓丽任芳芳杨燚顾书林郑有炓张荣叶建东; supported by the National Key R&D Program of China(2022YFB3605400);the State Key Research and Development Project of Guangdong(2020B010174002);the National Natural Science Foundation of China(62234007,U21A20503 and U21A2071).; 构筑NiO/Ga_(2)O_(3)p+-n异质结是克服Ga_(2)O_(3)p型掺杂瓶颈从而实现双极型功率电子器件的有效途径,然而限制器件性能的缺陷行为与双极型电荷输运等物理机制尚不明晰.本论文研究了NiO/Ga_(2)O_(3)p+-n异质结中陷阱介导的载流子输运、...; 关键词：深能级瞬态谱双极型功率电子器件电荷输运功率二极管载流子输运开启电压亚阈值区

碳化硅结势垒肖特基二极管质子辐照损伤研究被引量：3: 《核技术》2023年第2期42-50,共9页刘翠翠李治明韩金华郭刚殷倩张艳文刘建成; 中核集团"青年英才"科研项目(No.11FY212306000801)资助。; 碳化硅功率器件凭借优异性能被抗辐照应用领域寄予厚望。为探究碳化硅功率器件抗中能质子辐照损伤能力,明确其辐射效应退化机制,对标低地球轨道累积十年等效质子位移损伤注量,针对高性能国产碳化硅结势垒肖特基二极管开展了10 MeV质子...; 关键词：碳化硅结势垒肖特基二极管中能质子辐射效应电学性能深能级缺陷

深能级瞬态谱检测电子级多晶硅中的痕量Zn元素含量的研究应用: 《当代化工研究》2023年第1期57-59,共3页支云云薛心禄王志强岳玉芳; 本文研究用深能级瞬态谱(DLTS)分析电子级多晶硅中的痕量Zn元素含量,首先采用传统电容深能级变温测试方法,通过测试发现没有有效结果,接着对测试方法进行改进,采用光生深能级测试方式进行测试,测试结果表明在整个变温范围内瞬态曲线符...; 关键词：深能级瞬态谱电子级多晶硅痕量Zn元素

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