深能级缺陷

作品数：39被引量：54H指数：3
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相关作者：梁广兴李兴冀杨剑群董志远赵有文更多>>
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纤锌矿结构砷化镓纳米线中的深能级缺陷研究
《量子电子学报》2024年第4期671-678,共8页乔旭冕 李新化 谷毛毛 龚书磊 弓紫燕 吴超可 吴超 赵雷鸣 
安徽省首批揭榜性质课题(2021e03020007);安徽省重点研究与开发计划项目(202104a05020048)。
深能级缺陷是造成纤锌矿结构砷化镓纳米线中持续光电导效应的主要原因。采用基于高斯分布的缺陷复合动力学方程分析了纤锌矿结构砷化镓纳米线的光电导衰减曲线,得到平均载流子捕获势垒为60.2 meV。通过分析光照下光电导瞬态行为,提出了...
关键词：光电子学 光电导 纤锌矿结构砷化镓 深能级缺陷 分子束外延 
六氟钽酸氨拓扑转变制备低深能级缺陷Ta_(3)N_(5)光阳极实现超低偏压光电化学分解水
《Chinese Journal of Catalysis》2024年第6期144-153,共10页徐伟 甄超 朱华泽 姚婷婷 邱建航 梁艳 白朔 陈春林 成会明 刘岗 
国家自然科学基金项目(52425201,52072377,52188101);国家重点发展计划项目(2021YFA1500800);中国科学院青年创新促进会项目(2020192);中国科学院青年基础研究项目(YSBR-004);新基石科学基金(科学探索奖).
Ta_(3)N_(5)是一种具有2.1 eV直接带隙的n型半导体,其带隙跨越水的氧化还原电位.此外,Ta_(3)N_(5)的理论太阳能制氢效率(STH)高达15.9%,超过商业化应用的效率门槛(10%),是一种理想的光电化学分解水制氢光阳极材料.采用Ta2O5作为前驱体,...
关键词：(NH_(4))_(2)Ta_(2)O_(3)F_(6) 拓扑转变 低缺陷Ta3N5 起始电位 光电化学分解水 
碳化硅结势垒肖特基二极管质子辐照损伤研究被引量：3
《核技术》2023年第2期42-50,共9页刘翠翠 李治明 韩金华 郭刚 殷倩 张艳文 刘建成 
中核集团"青年英才"科研项目(No.11FY212306000801)资助。
碳化硅功率器件凭借优异性能被抗辐照应用领域寄予厚望。为探究碳化硅功率器件抗中能质子辐照损伤能力,明确其辐射效应退化机制,对标低地球轨道累积十年等效质子位移损伤注量,针对高性能国产碳化硅结势垒肖特基二极管开展了10 MeV质子...
关键词：碳化硅结势垒肖特基二极管 中能质子 辐射效应 电学性能 深能级缺陷 
Basic reason for the accumulation of charge on the surface of polymer dielectrics被引量：1
《Science China Materials》2022年第10期2884-2888,共5页Tianyu Wang Xiaofen Li Boya Zhang Dayu Li Jianbo Liu Guixin Zhang 
supported by the National Natural Science Foundation of China (52177151, 51631005 and 51907154);the National Key Research and Development Plan of China (2017YFB0902503 and2016YFB0900802);Beijing Science and Technology Plan(Z191100002019014);the administration of Tsinghua University。
Due to their outstanding electrical insulation performance,low energy loss and high reliability,polymer dielectrics are widely used in flexible electronics,capacitors and large-scale power transmission equipment[1–5]...
关键词：电荷量 第一性原理计算 聚合物表面 电介质 电场畸变 深能级缺陷 电荷测量 电荷特性 
SiC功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展
《电子与封装》2022年第5期1-9,共9页杨治美 高旭 李芸 黄铭敏 马瑶 龚敏 
国家自然科学基金(61704116、61974096);模拟集成电路重点实验室基金(6142802190505);国防科技工业抗辐照应用技术创新中心项目(KFZC2020021001)。
第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件在航天、航空和核工业等强辐射领域的极端环境下应用时会受到辐照损伤的影响诱生缺陷,最终导致器件性能退化或者失效。简要介绍了SiC功率器件辐照效应发展历程和辐照效应,梳理轻离(粒)子辐照诱生...
关键词：碳化硅 辐照诱生缺陷 深能级缺陷 电学性能 重离子辐照 
钒掺杂Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长与深能级缺陷研究被引量：1
《稀有金属材料与工程》2022年第5期1873-1878,共6页游思伟 艾涛 栾丽君 
陕西省重点研发计划﹣国际科技合作项目(2020KWZ-008)。
CdMnTe(碲锰镉)材料作为新一代的半导体材料,在核辐射探测领域具有很高的应用价值。本实验采用Te溶液垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体,研究其光电性能及深能级缺陷的分布。紫外-可见-近红外光谱分析表明晶锭中部和尾部的禁...
关键词：Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V 深能级缺陷 深施主能级 费米能级 
锗掺杂/替位锌黄锡矿太阳能电池研究进展被引量：6
《科学通报》2021年第17期2202-2214,共13页徐啸 周家正 郭林宝 吴会觉 石将建 李冬梅 罗艳红 孟庆波 
国家自然科学基金(51627803,51421002,5181101570,51972332)资助。
锌黄锡矿(CZTS(e))太阳能电池作为新兴薄膜太阳能电池的代表之一,以其原材料储量丰富、制备工艺简单、环境友好、成本低廉等优势受到广泛关注.为了进一步提升CZTS(e)太阳能电池的器件效率,在光吸收层内引入掺杂或替位元素成为近年来CZTS...
关键词：Sn相关深能级缺陷 形貌改善 缺陷钝化 抑制原子无序 Ge-Sn组分梯度 
CdZnTe晶体中深能级缺陷对空间电荷分布特性的影响
《物理学报》2020年第22期351-358,共8页郭榕榕 林金海 刘莉莉 李世韦 王尘 林海军 
国家自然科学基金青年科学基金(批准号:51702271,61904155);福建省自然科学基金(批准号:2020J05239);福建省教育厅中青年教师教育科研项目(批准号:JAT170407)资助的课题。
CdZnTe晶体内的空间电荷积累效应是影响高通量脉冲型探测器性能的关键因素.为了探索CdZnTe晶体中深能级缺陷对空间电荷分布及器件性能的影响规律,本文采用Silvaco TCAD软件仿真了CdZnTe晶体内包含位置为E_v+0.86 eV,浓度为1×10^12 cm^-...
关键词：CdZnTe核辐射探测器 深能级缺陷 空间电荷 收集效率 
碳空位对10 kV 4H-SiC pin二极管载流子寿命的影响
《微纳电子技术》2020年第8期604-608,共5页夏经华 查祎英 桑玲 杨霏 吴军民 
国家电网有限公司总部科技资助项目(5455GB170004)。
使用p+n-n+外延结构制备了10 kV4H-SiC pin二极管,在室温下通过时间分辨光致发光(TRPL)谱法在低掺杂外延层中测量载流子寿命,根据晶圆上大量二极管的电容-电压测量值估算掺杂浓度,采用深能级瞬态谱(DLTS)法获得了影响载流子寿命的主要...
关键词：4H-SIC PIN二极管 载流子寿命 碳空位 深能级缺陷 
甲胺(MA)基钙钛矿太阳电池光诱导缺陷机理及稳定性提高被引量：1
《材料导报》2020年第2期2001-2004,共4页王磊 吴天昊 崔丹钰 杨旭东 
国家自然科学基金(11574199)~~
有机-无机杂化钙钛矿太阳电池的研究发展迅速,然而其稳定性差,提高其稳定性一直是该领域的研究难点。影响稳定性的主要因素包括水、氧、光照、热等,其中水、氧可通过有效的封装技术加以隔绝,而获得光照稳定性的方法仍需要深入探索。本...
关键词：甲胺 钙钛矿 太阳电池 光稳定性 开路电压 深能级缺陷 
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