张战刚

作品数：28被引量：47H指数：4
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供职机构：工业和信息化部电子第五研究所更多>>
发文主题：单粒子效应单粒子翻转重离子软错误加速器更多>>
发文领域：电子电信理学航空宇航科学技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《原子能科学技术》《电子与封装》《微电子学》《原子核物理评论》更多>>
所获基金：国家自然科学基金广州市科技计划项目中国科学院知识创新工程重要方向项目中国博士后科学基金更多>>
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直流输电用特高压晶闸管大气中子失效率评估和损伤机理被引量：1
《原子能科学技术》2024年第1期248-256,共9页彭超 周杨 陈中圆 雷志锋 马腾 张战刚 张鸿 何玉娟 
国家电网公司科学技术项目。
本文基于散裂中子源开展了直流输电用8.5 kV/5 kA晶闸管的加速辐照试验。试验证实了大气中子导致的晶闸管单粒子烧毁失效现象,同时基于加速辐照试验结果计算了大气中子导致的晶闸管失效率。晶闸管的反向偏置电压和结温是影响晶闸管器件...
关键词：晶闸管 单粒子效应 大气中子 失效率 
位移损伤效应对AlGaN/GaN HEMT器件的影响被引量：1
《原子能科学技术》2023年第12期2274-2280,共7页陈柏炜 孙常皓 马腾 宋宏甲 王金斌 彭超 张战刚 雷志锋 梁朝辉 钟向丽 
国家自然科学基金(12075065,12275230,12027813);空间环境材料行为及评价技术国家级重点实验室基金(6142910220209)。
对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)分别进行3 MeV质子辐照和14 MeV中子辐照实验。3 MeV质子辐照下累积注量达到1×10^(15) cm^(-2)或14 MeV中子辐照下累积注量达到2×10^(13)cm^(-2)时,AlGaN/GaN HEMTs饱和漏电流下降,阈值电压正向漂...
关键词：AlGaN/GaN HEMT 质子辐照 中子辐照 位移损伤 
中子辐射导致的SiC功率器件漏电增加特性研究
《物理学报》2023年第18期329-337,共9页彭超 雷志锋 张战刚 何玉娟 马腾 蔡宗棋 陈义强 
国家自然科学基金(批准号:12075065,62274043);广东省基础与应用基础研究基金(批准号:2021B1515120043);广东省重点研发计划(批准号:2022B0701180002);广州市科技计划(批准号:202201010868)资助的课题。
基于14 MeV中子辐照研究了碳化硅(silicon carbide,SiC)肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)器件的位移损伤退化特性.结果表明:...
关键词：碳化硅功率器件 中子辐照 位移损伤 深能级瞬态谱 
大气中子及α粒子对芯片软错误的贡献趋势被引量：2
《电子与封装》2023年第8期70-76,共7页余淇睿 张战刚 李斌 吴朝晖 雷志锋 彭超 
国家自然科学基金(12175045,12075065);电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室开放基金(ZHD202106)。
在先进工艺集成电路中,高能中子、热中子和α粒子造成的软错误愈发受到关注。研究了150nm至16nmFinFET工艺节点器件在大气环境中的单粒子效应。随着工艺节点的缩小,高能中子引起的单粒子翻转截面和软错误率整体上均呈下降趋势。高能中...
关键词：单粒子效应 中子 热中子 Α粒子 FINFET 
基于青藏高原的14 nm FinFET和28 nm平面CMOS工艺SRAM单粒子效应实时测量试验
《物理学报》2023年第14期161-171,共11页张战刚 杨少华 林倩 雷志锋 彭超 何玉娟 
国家自然科学基金(批准号:12175045,12075065);广东省重点领域研发计划(批准号:2022B0701180002)资助的课题。
本文基于海拔为4300 m的拉萨羊八井国际宇宙射线观测站,开展了14 nm FinFET和28 nm平面互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺静态随机存取存储器(static randomaccess memory,SRAM)阵列的大气辐射...
关键词：FINFET 中子 单粒子翻转 软错误 
国内典型地区地面大气中子能谱测量与仿真被引量：1
《强激光与粒子束》2023年第5期153-158,共6页彭超 雷志锋 张战刚 杨少华 来萍 路国光 
广东省基础与应用基础研究基金项目(2021B1515120043);广州市科技计划项目(202102021201)。
基于多球能谱仪开展了广州、兰州和拉萨等地区的大气中子能谱和通量测量,获取了大气中子能谱的典型特征。测量结果表明:不同地区的大气中子通量受海拔高度的影响明显,地面大气中子通量随着海拔的增加而增加。此外,基于蒙特卡罗仿真工具...
关键词：大气中子 单粒子效应 地面辐射环境 能谱测量 
硅外延平面NPN双极晶体管的总剂量辐射损伤缺陷研究被引量：1
《原子能科学技术》2022年第10期2187-2194,共8页彭超 雷志锋 张鸿 张战刚 何玉娟 
本文针对国产NPN双极晶体管开展了不同偏置下的总剂量辐照试验。试验结果表明,辐照主要导致双极晶体管的基极电流增加和电流增益降低。同时,NPN晶体管在反向偏置下表现出较零偏下更严重的退化。分析发现,双极晶体管性能退化主要来源于...
关键词：双极晶体管 总剂量效应 深能级瞬态谱 辐射损伤缺陷 
重离子辐照导致的SiC肖特基势垒二极管损伤机理被引量：2
《物理学报》2022年第17期275-282,共8页彭超 雷志锋 张战刚 何玉娟 陈义强 路国光 黄云 
国家自然科学基金(批准号:12075065);广东省基础与应用基础研究基金(批准号:2019A1515012213,2021B1515120043);广州市科技计划(批准号:202102021201)资助的课题.
基于高能Ta离子辐照研究了SiC肖特基势垒二极管的失效模式和机理,实验表明辐照过程中的反向偏置电压是影响SiC肖特基势垒二极管器件失效的关键因素.当器件反向偏置在400 V时,重离子会导致器件的单粒子烧毁,辐照后的器件出现了因SiC材料...
关键词：SiC功率器件 肖特基势垒二极管 重离子辐射效应 
电子材料超低本底α粒子测试技术及试验研究
《电子产品可靠性与环境试验》2022年第3期37-41,共5页罗俊洋 张战刚 雷志锋 陈资文 彭超 岳少忠 张鸿 钟向丽 孙常皓 黄奕铭 何玉娟 黄云 
国家自然科学基金项目(12075065);广东省省级科技计划项目(2017B090921001)资助。
首先,介绍了3种关键的电子材料超低本底α粒子发射测试技术,包括α粒子来源甄别、宇宙射线信号识别和氡气本底来源判别技术;然后,通过进一步地开展试验研究,发现锡铅合金焊料的表面α粒子发射率远高于锡银铜合金焊料,发射能谱分析表明...
关键词：电子材料 Α粒子 发射率 能谱 
重离子单粒子辐射对超薄栅氧化层可靠性影响分析
《固体电子学研究与进展》2022年第2期141-145,共5页何玉娟 雷志锋 张战刚 章晓文 杨银堂 
研究了重离子单粒子辐照(Single event effect,SEE)效应对超薄栅氧化层(1.2 nm厚度)的斜坡击穿电压(Voltage ramp dielectric breakdown,VRDB)的影响情况。采用^(209)B(i离子能量为1043.7 MeV)对65 nm CMOS电容进行(1~2)×10^(7) ion/cm...
关键词：重离子单粒子辐射 VRDB试验 超薄栅氧化层 
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