双极晶体管

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IGBT相变冷板的设计和数值模拟
《半导体技术》2025年第5期506-513,531,共9页潘子升 周俊屹 余时帆 胡桂林 
针对绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块散热中功率密度高且散热负荷随工况变化的问题,基于制冷剂对流散热和蒸发潜热的微通道沸腾相变散热技术可对IGBT芯片进行有效散热,建立了三维、伪瞬态算法稳态和流体体积(VOF)相变的综合数学模型。研究了...
关键词：绝缘栅双极晶体管(IGBT) 散热器 数值模拟 制冷剂 流体体积(VOF)模型 
具有N型赝埋层的新型SiGe-HBT器件及应用研究
《固体电子学研究与进展》2025年第2期97-100,共4页刘冬华 陈曦 钱文生 
提出了一种新型锗硅异质结双极晶体管(Germanium silicon heterojunction bipolar transistor,SiGe-HBT)结构,摒弃了传统SiGe-HBT中的深隔离沟槽、N型埋层以及通过外延生长形成的集电区。通过在浅隔离槽底部采用离子注入技术形成N型赝埋...
关键词：N型赝埋层 锗硅异质结双极晶体管 深接触孔 
故障电压诱发的功率模块温升规律
《半导体技术》2025年第4期407-416,共10页刘玮琳 霍思佳 乐应波 杨程 崔昊杨 
上海市自然科学基金资助项目(23ZR424400)。
故障电压引发的功率畸变诱发绝缘栅双极晶体管(IGBT)结温瞬变,但此过程的普遍规律、关联机制尚未明确,限制了故障电压穿越期变流器中IGBT热管理策略的针对性与有效性。通过模拟多种电压故障场景,探究了故障电压诱发的机网两侧变流器功...
关键词：故障电压穿越 变流器 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 功率畸变 结温 
牵引整流器单管IGBT开路故障诊断
《电机与控制应用》2025年第3期294-304,共11页党忆涵 徐传芳 王绍祖 
辽宁省交通科技项目(202318)。
【目的】牵引整流器与牵引逆变器是列车牵引变流器的重要组成部分,牵引整流器主要由绝缘栅双极晶体管(IGBT)、谐振电路以及直流侧电容等部件组成,其故障频率高于牵引逆变器,且IGBT发生开路故障时不会引发大幅过电流或过电压等明显现象,...
关键词：牵引整流器 绝缘栅双极晶体管开路故障 混合逻辑动态模型 自适应阈值 故障诊断 
大功率压接式IGBT压装结构设计
《电子质量》2024年第12期21-26,共6页刘应 孙文伟 曾文彬 王飞 
压接式大功率半导体器件内部存在多层接触界面,需外部压装结构在器件台面上提供额定且均匀的压力,使器件内部各层之间保持良好的电接触,以保证器件能正常工作。压接式绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件因其内部分立并联的芯片子单元结构,对压...
关键词：压接式绝缘栅双极晶体管 均匀压力 组件 有限元分析 优化设计 
基于一种新型导通压降采样电路的IGBT器件结温在线监测方法被引量：1
《电源学报》2024年第6期295-303,共9页赵蕤 杨柯欣 唐涛 宋文胜 
国家自然科学基金资助项目(52022084);四川省青年科技创新研究团队项目(22CXTD0055)。
热敏感电参数法具有在线能力强、非侵入和快响应等特点,成为了当前的研究热点。因此以导通压降为热敏感电参数,重点研究了1种基于导通压降的IGBT结温在线监测方法。首先,通过双脉冲测试电路获取IGBT导通压降、集电极电流和结温数据;然后...
关键词：绝缘栅双极晶体管 结温在线监测 热敏感电参数 导通压降 双脉冲测试 三维映射表征模型 采样电路 
非熔性脉冲激光退火绝缘栅双极晶体管仿真研究
《电子元件与材料》2024年第11期1406-1411,1417,共7页刘阳 袁和平 陈译 何堤 林岚杰 
福建省自然科学基金(2019J01875)。
在半导体加工领域,快速热退火(Rapid Thermal Annealing,RTA)工艺是提升绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)电学性能的有效方式之一,但会导致杂质再扩散现象严重、晶格修复不完整、机械性能下降等缺陷。为解决...
关键词：非熔性脉冲激光 绝缘栅双极晶体管 温度场 结深 电学性能 
节能、提高功率和效率:巴斯夫重磅推出针对新一代绝缘栅双极晶体管(IGBT)半导体的高性能PPA材料
《橡塑智造与节能环保》2024年第10期40-41,共2页
针对新一代的电力电子设备,巴斯夫开发出了一种聚邻苯二甲酰胺安(PPA),这种材料尤其适合制造IGBT的半导体外壳。Ultramid^(R) Advanced N3U41 G6能够满足电动汽车、高速列车、智能制造和可再生能源等领域对于高性能、可靠电子元件日益...
关键词：巴斯夫 电力电子设备 智能制造 可再生能源 高速列车 聚邻苯二甲酰胺 PPA 半导体 
一种适用于充电机的IGBT高频驱动电路
《半导体技术》2024年第9期844-850,共7页艾胜胜 李康乐 王雷 田地 许克磊 常超 
随着国内地铁行业的快速发展,辅助系统充电机所用绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关频率已经可以达到上百千赫兹,一般的驱动器已经无法满足高频条件下对驱动信号的要求,IGBT高频驱动成为当前的研究焦点。基于MOS管开关速度快的特性以及比较...
关键词：充电机 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 高频 驱动器 欠压监测 
NPN型双极晶体管中子位移损伤差异实验研究
《现代应用物理》2024年第3期105-111,119,共8页刘炜剑 李瑞宾 王桂珍 白小燕 金晓明 刘岩 齐超 王晨辉 李俊霖 
国家自然科学基金资助项目(11835006);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR2202)。
利用西安脉冲反应堆(Xi’an pulsed reactor,XAPR)的稳态中子对NPN型双极晶体管(NPN bipolar junction transistor,NPN-BJT)进行中子辐照实验,开展NPN-BJT不同固定发射极电流I_(E)条件下的中子位移损伤差异研究。研究结果表明:同一I_(E...
关键词：NPN型双极晶体管 固定发射极电流 中子位移损伤 电流增益 
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