结深

作品数：89被引量：54H指数：4
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非熔性脉冲激光退火绝缘栅双极晶体管仿真研究
《电子元件与材料》2024年第11期1406-1411,1417,共7页刘阳 袁和平 陈译 何堤 林岚杰 
福建省自然科学基金(2019J01875)。
在半导体加工领域,快速热退火(Rapid Thermal Annealing,RTA)工艺是提升绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)电学性能的有效方式之一,但会导致杂质再扩散现象严重、晶格修复不完整、机械性能下降等缺陷。为解决...
关键词：非熔性脉冲激光 绝缘栅双极晶体管 温度场 结深 电学性能 
高压VDMOSFETRon最佳化比例设计研究
《中国设备工程》2023年第24期133-135,共3页英秀 
正文以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻Ron与结构参数之间的关系。重点讨论了N沟道VDMOSFET的P^(-)体扩散区结构Xjp^(-)和栅氧化物厚度Tox对器件特性导通电阻Ron的影响,给出了多晶硅窗口区尺寸Lw和多晶区尺寸Lp的...
关键词：VDMOSFET 单胞 特征导通电阻 结深 氧化层厚度 
半超结JBS反向恢复软度特性研究被引量：1
《微处理机》2023年第1期1-5,共5页王卉如 关艳霞 
为提高常见开关器件JBS二极管的软度特性,减小其自身电压尖峰、射频干扰和电磁干扰的发生,对JBS器件P^(+)区结深进行优化调整,利用Silvaco软件对器件关断过程、反向恢复等影响进行仿真研究。在仿真中构建半超结JBS二极管结构模型,利用器...
关键词：开关器件 半超结JBS 软度特性 反向恢复特性 P^(+)区结深 
非故意掺杂吸收层InP/InGaAs异质结探测器研究被引量：1
《红外与激光工程》2021年第11期62-69,共8页曹嘉晟 李淘 王红真 于春蕾 杨波 马英杰 邵秀梅 李雪 龚海梅 
中国科学院重点部署项目(ZDRW-CN-2019-3);中国科学院联合基金(6141A01170106);上海市级科技重大专项(2019SHZDZX01);国家自然科学基金(62075229)。
为了获得低噪声铟镓砷(InGaAs)焦平面,需要采用高质量的非故意掺杂InGaAs(u-InGaAs)吸收层进行探测器的制备。采用闭管扩散方式,实现了Zn元素在u-InGaAs吸收层晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As异质结构材料中的P型掺杂,利用扫描电容显微技术(...
关键词：ZN扩散 结深 少子扩散长度 INGAAS 
我与声屏结深缘
《党的生活（青海）》2021年第11期64-66,共3页王贵如 
我是1991年来青海省广播电视厅(后来改为局)工作的,2003年卸任局长,在省广播电视局工作了十二个年头。十二年,在历史的长河中,只是短暂的一瞬,但对一个人来说,这却是一段漫长的岁月。因为,人生没有几个十二年。十二年啊,难以淡忘的十二...
关键词：广播电视事业 结深 广播电视局 十二个 国家广播电影电视总局 
浅议水文地质试验结深中通道锚碇勘察中应用
《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》2021年第9期130-132,共3页杨跃 
伶仃航道桥是拟建深中通道主体工程中唯一的一座通航孔桥,位于深中通道中部。锚碇采用切面设计,采用5m直径桩+地下连续墙结构(不设内衬)或地下连续墙+内衬结构,基础顶面标高+3.0m,基础底标高:-42.0m(东锚碇),-38.0m(西锚碇)。调查桥位...
关键词：锚碇 基岩 承压水 地下水补给 基岩裂隙水 抽水试验 压水试验 
具有多场限环终端的PiN二极管反向击穿的研究被引量：2
《电子元件与材料》2021年第2期119-123,149,共6页刘晓忠 汪再兴 孙霞霞 郑丽君 高金辉 
场限环终端结构可以有效提高击穿电压,因而被广泛应用于半导体功率器件。场限环中多个参数都影响PiN二极管主结的击穿能力。本文基于数值模拟软件建立PiN二极管的场限环终端仿真模型,并设计十道场限环作为终端结构。分别仿真场限环结深...
关键词：PIN二极管 场限环 击穿电压 结深 漂移区掺杂浓度 电场分布 
“千千结”深受百姓喜爱
《共产党员》2020年第22期28-28,共1页
2019年年底以来,阜新市委以贯彻《中国共产党支部工作条例(试行)》和《中国共产党农村基层组织工作条例》为主线,以促进基层党组织规范化、制度化建设为目标,以整顿软弱涣散基层党组织为重点,以互学互帮互促为抓手,全面开展“千千结”活...
关键词：基层党组织 软弱涣散 农村基层组织 社区党组织 党建引领 疫情防控 聚合力 脱贫攻坚 
离子注入结深的参数影响分析被引量：1
《中国新技术新产品》2020年第12期30-31,共2页董海青 张照锋 
南京信息职业技术学院开放基金支持《高速CMOS sigma-delta ADC集成电路研究与设计》,项目编号KF20160101。
该文主要是通过TCAD工具分析工艺对集成电路工艺结果的影响,通过TCAD工具模拟集成电路离子注入工艺的过程,然后分别改变离子注入的工艺参数,分析离子注入工艺参数对结深结果的影响,进而在器件设计过程中合理地进行工艺优化。
关键词：工艺 器件 仿真 
离子注入技术在单晶硅太阳电池上的应用被引量：4
《微纳电子技术》2019年第12期1022-1027,共6页高嘉庆 屈小勇 郭永刚 
采用Silvaco-TCAD仿真软件模拟了在一定注入能量下离子注入剂量、退火温度和时间对太阳电池表面方块电阻和结深的影响,并通过离子注入机和高温退火炉进行了实验验证。实验结果表明,当离子注入剂量为7×1014 cm-2、注入能量为10 keV、退...
关键词：离子注入 太阳电池 退火 方块电阻 结深 
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