少子扩散长度

作品数：35被引量：17H指数：1
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相关作者：王宗欣褚幼令宿昌厚张秀淼龚海梅更多>>
相关机构：中国科学院复旦大学北京师范大学中国科学院上海冶金研究所更多>>
相关期刊：《半导体技术》《北京师范大学学报（自然科学版）》《云南大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》更多>>
相关基金：国家自然科学基金中国科学院重点部署项目中国科学院知识创新工程重要方向项目中国科学院国防科技创新基金更多>>
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非故意掺杂吸收层InP/InGaAs异质结探测器研究被引量：1
《红外与激光工程》2021年第11期62-69,共8页曹嘉晟 李淘 王红真 于春蕾 杨波 马英杰 邵秀梅 李雪 龚海梅 
中国科学院重点部署项目(ZDRW-CN-2019-3);中国科学院联合基金(6141A01170106);上海市级科技重大专项(2019SHZDZX01);国家自然科学基金(62075229)。
为了获得低噪声铟镓砷(InGaAs)焦平面,需要采用高质量的非故意掺杂InGaAs(u-InGaAs)吸收层进行探测器的制备。采用闭管扩散方式,实现了Zn元素在u-InGaAs吸收层晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As异质结构材料中的P型掺杂,利用扫描电容显微技术(...
关键词：ZN扩散 结深 少子扩散长度 INGAAS 
Au掺杂HgCdTe材料的光电特性被引量：1
《红外与激光工程》2021年第4期30-36,共7页魏彦锋 孙权志 张娟 孙瑞赟 
Au掺杂是改善光伏型HgCdTe红外探测器性能的一种技术途径,通过Au掺杂来取代HgCdTe材料中的本征的Hg空位,可以提高材料的少子寿命和少子扩散长度。采用液相外延技术生长了Au掺杂的HgCdTe外延材料,Au的掺杂浓度为~8×10^(15)/cm^(3),通过...
关键词：HgCdTe液相外延 Au掺杂 少子扩散长度 
场助式GaSb光电阴极GaSb/GaAs异质结设计仿真被引量：1
《电子世界》2018年第11期174-174,176,共2页蔡宸 
针对一种吸收层和发射层分离式结构的GaSb光电阴极,通过渐变函数描述异质结势垒能带结构,研究了外加偏压对异质结能带结构和GaSb光电阴极光电发射的影响,在以发射层掺杂浓度1×1016cm-3、吸收层掺杂浓度1×1017cm-3、发射层厚度0.5μm...
关键词：GASB 光电阴极 表面光电压谱 少子扩散长度 
指数掺杂反射式GaSb光电阴极表面光电压谱研究
《科技创新与应用》2018年第6期164-165,共2页蔡宸 于圣韬 
通过求解一维少数载流子扩散方程,对反射式GaSb光电阴极表面光电压谱理论公式进行了研究。利用MOCVD外延生长掺杂结构不同、吸收层厚度相同的两种阴极材料,通过MIS法表面光电压谱测试和理论拟合发现,指数掺杂结构在后界面符合速率和吸...
关键词：GASB 光电阴极 表面光电压谱 少子扩散长度 
砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(6)
《太阳能》2015年第11期14-15,共2页向贤碧 廖显伯 
1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.93In0.07 N0.023As0.977）,既能得到约1 eV的带隙,又与GaAs晶格匹配的材料[24].但是,带隙为1 eV的窄带...
关键词：Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 太阳电池 化合物半导体材料 砷化镓 应用 GAINNAS 讲座 少子扩散长度 
偏压量子效率测试在薄膜太阳能电池特性分析中的应用被引量：1
《红外与毫米波学报》2014年第4期395-399,共5页黄志鹏 赵守仁 孙雷 孙朋超 张传军 邬云华 曹鸿 王善力 胡志高 杨平雄 褚君浩 
中国科学院知识创新工程重要方向项目(KGCX2-YW--8);上海市2012年度"科技创新行动计划"节能减排领域项目(12dz1201000)~~
薄膜太阳能电池在不同偏压下的量子效率(QE)会呈现非常不一样的结果.对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电池窗口层区域杂质补偿情况、主结势垒高低、背势垒高度等,还可以得出耗尽区宽度以及少子扩散长度等重要参数...
关键词：偏压量子效率 薄膜太阳能电池 耗尽区宽度 少子扩散长度 
Si基HgCdTe变面积光伏探测器的变温特性研究
《红外与毫米波学报》2011年第5期412-414,418,共4页张姗 胡晓宁 
中国科学院知识创新工程前沿前瞻性项目(批准号:C2-53)
通过变面积Si基HgCdTe器件变温I-V测试和暗电流特性拟合分析,研究了不同偏压下n-on-p型Si基HgCdTe光伏器件的暗电流成分与Si基HgCdTe材料少子扩散长度和少子寿命随温度的变化规律.在液氮温度下,随着反向偏压的增大器件的表面漏电流在暗...
关键词：Si基HgCdTe 少子寿命 少子扩散长度 变温特性 
量值恒定的表面光电压法测量半导体少子扩散长度的研究被引量：1
《半导体光电》2010年第5期751-753,共3页邓韡 陈长缨 洪岳 傅倩 
为了在保持材料完整性的基础上,对单晶硅材料的质量进行评价,设计了一种利用表面光电压测量半导体少子扩散长度的系统。系统采用斩波器、单色仪和锁相放大器来获取半导体表面光电压信息,利用表面光电压与材料的光吸收系数的关系得出半...
关键词：硅 量值恒定表面光电压法 少子扩散长度 锁相放大器 
利用EBIC测定GaP LPE样片的少子扩散长度
《云南大学学报（自然科学版）》2005年第S3期580-582,共3页李海雁 杨锡震 
对电子束入射方向与结面平行情形中电子束感生电流(EBIC)曲线线形进行了理论分析.阐述了E-BIC的基本原理和计算方法,并利用EBIC对一组GaP绿色LED用LPE样片进行少子扩散长度测量.
关键词：EBIC曲线 GAP 少子扩散长度 
变磁场I-V法对碲镉汞光伏器件少子扩散特性的研究被引量：1
《红外与毫米波学报》2005年第2期140-142,共3页贾嘉 陈新禹 李向阳 龚海梅 
中国科学院国防科技创新基金(cxjj-72)资助项目
零偏压电阻 面积乘积(R0A)和反向饱和电流密度J0 是决定光电二极管性能的重要参数.提出了一种对碲镉汞(Hg1-xCdxTe)光伏器件的少子扩散特性进行研究的有效方法.利用变磁场下的电流 电压(I V)测试,得到了组分x在 0.5与 0.6之间的器件R0A...
关键词：碲镉汞光伏器件 扩散特性 V法 少子扩散长度 电流-电压 光电二极管 有效方法 电流密度 激光诱导 短波红外 函数关系 磁场强度 
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