表面光电压谱

作品数：104被引量：291H指数：9
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ZnO:Na纳米晶室温表面光电压气敏机理的研究
《材料工程》2024年第2期218-226,共9页隆小芹 哈万•阿仁 王展 梁玉卿 平特伍沙 王子强 孙翼飞 余飞 袁欢 
国家自然科学基金项目(61901401);中国博士后科学基金资助项目(2020M673172);西南民族大学中央高校基本科研业务费专项资金项目(2020NYB02)。
采用简单溶胶凝胶法在溅射有Au/Ti叉指电极的PET柔性基底上制备出不同Na掺杂浓度的ZnO纳米晶。通过对样品的微结构和光学性质表征,探究光辅助室温NO_(2)气敏机理与表面光电压之间的联系。X射线衍射(XRD)结果显示所有样品均为六方纤锌矿...
关键词：ZNO 掺杂 表面光电压谱 气敏 叉指电极 
基于表面光电压谱的量子化能级测量
《物理实验》2023年第10期27-34,共8页吴雅苹 张纯淼 赵子锐 孟恺 衣行健 王一帆 王新然 
国家自然科学基金面上项目(No.62274139);厦门大学2021年“课程思政”示范课程建设项目。
量子结构材料与技术在前沿科学领域的应用日益广泛,量子化能级的探测与调控具有重要的教学与科研意义.本文设计搭建基于表面光电压效应的量子化能级测量装置,控制步进电机带动闪耀光栅旋转,将氙灯的复色光分解为单色光,并照射到InGaN/Ga...
关键词：表面光电压效应 量子化能级 InGaN/GaN量子阱 能级调控 
氮化镓光阴极薄膜材料表面光电压谱特性被引量：1
《红外技术》2022年第8期798-803,共6页高剑森 刘健 
宿迁市科技计划项目(K201923),多层变掺杂结构GaAs材料的表面光电压谱特性研究。
在蓝宝石基底上外延生长了多层结构氮化镓光阴极薄膜材料并进行表面光电压测试;对比分析了掺杂类型、厚度和掺杂方式对氮化镓材料表面光电压的影响,确定了多层结构氮化镓材料表面光电压产生机理;借助亚带隙激光辅助,针对均匀掺杂和δ-...
关键词：氮化镓 光阴极 表面光电压谱 
基于羟基苯基卟啉骨架的二聚卟啉合成及性能被引量：1
《吉林大学学报（理学版）》2020年第4期1010-1014,共5页石莹岩 张畅 许风辉 李迪 
吉林省自然科学基金(批准号:201115187).
以1,4-二氯-2,5-二硝基甲苯为桥联剂,通过一步合成法制备H2MHTPP卟啉二聚体,用MALDI-TOF质谱表征卟啉二聚体的结构,并研究卟啉二聚体的电化学和光化学性质以及表面光电压光谱(SPS).结果表明, H2MHTPP卟啉二聚体是一种p型半导体.
关键词：卟啉二聚体 电化学和光化学性质 表面光电压谱 P型半导体 
铜掺杂对硒化锌量子点光电子特性的影响
《燕山大学学报》2018年第3期252-258,共7页赵杰 梁关东 李明豫 翟瑞祥 王文刚 李葵英 
河北省自然科学基金资助项目(E2017203029;E2013203296)
利用水相合成法制备Cu:Zn Se量子点。采用表面光伏技术和紫外-可见吸收光谱,辅以高分辨透射电子显微镜,激光拉曼谱和X射线衍射图谱,研究掺杂铜对于Cu:Zn Se量子点微结构和光生电荷转移跃迁行为的影响。结果表明,掺铜后Cu:Zn Se量子点主...
关键词：ZnSe纳米晶 CU掺杂 表面光电压谱 场诱导表面光电压谱 
氯掺杂氧化亚铜的制备及光电性能被引量：2
《新乡学院学报》2018年第6期22-25,共4页谢思思 千志科 
采用电化学沉积法在弱酸性溶液中制备n型氧化亚铜晶体,以氯化钠为添加剂实现氯掺杂。研究不同Cl-浓度对氧化亚铜表面形貌及晶体结构的影响,结果表明:氯掺杂可促进氧化亚铜晶体(111)面的生长,但浓度过高会导致铜单质的生成。利用自制的...
关键词：Cu2O薄膜 Cl掺杂 表面光电压谱 相位谱 反型层 
场助式GaSb光电阴极GaSb/GaAs异质结设计仿真被引量：1
《电子世界》2018年第11期174-174,176,共2页蔡宸 
针对一种吸收层和发射层分离式结构的GaSb光电阴极,通过渐变函数描述异质结势垒能带结构,研究了外加偏压对异质结能带结构和GaSb光电阴极光电发射的影响,在以发射层掺杂浓度1×1016cm-3、吸收层掺杂浓度1×1017cm-3、发射层厚度0.5μm...
关键词：GASB 光电阴极 表面光电压谱 少子扩散长度 
指数掺杂反射式GaSb光电阴极表面光电压谱研究
《科技创新与应用》2018年第6期164-165,共2页蔡宸 于圣韬 
通过求解一维少数载流子扩散方程,对反射式GaSb光电阴极表面光电压谱理论公式进行了研究。利用MOCVD外延生长掺杂结构不同、吸收层厚度相同的两种阴极材料,通过MIS法表面光电压谱测试和理论拟合发现,指数掺杂结构在后界面符合速率和吸...
关键词：GASB 光电阴极 表面光电压谱 少子扩散长度 
PbI_2掺杂对CH_3NH_3PbI_3光电性能的影响
《半导体光电》2017年第6期834-838,共5页马文利 杨峰 陈骏荣 袁玲 余艳梅 赵勇 
采用溶液生成法制备了有机铅卤化钙钛矿(CH_3NH_3PbI_3)晶体粉末,并以过量的PbI_2对其进行掺杂,采用X射线衍射谱(XRD)技术研究了掺杂前后样品的晶体结构变化。表面光电压谱(SPS)和相位谱(PS)显示掺杂前后的CH_3NH_3PbI_3均为p型半导体,...
关键词：CH3NH3PbI3 PbI2掺杂 表面光电压谱 相位谱 光伏反转 
γ-Bi_2Sn_2O_7的水热合成及其可见光区光电响应研究
《人工晶体学报》2017年第9期1875-1878,共4页焦岳超 刘献省 瞿博阳 张鹏 闫李 朱永胜 付凯 
国家自然科学基金面上项目(61673404);国家自然科学基金青年基金(61305080)
本文采用水热法制备了γ-Bi_2Sn_2O_7并研究了其在可见光区的光电响应。Bi_2Sn_2O_7的晶体结构和光电响应特性分别用X射线衍射和表面光电压谱进行表征。研究结果表明,合成的Bi_2Sn_2O_7呈现γ相立方结构,通过吸收光谱估算光学带隙为2.67...
关键词：Bi2Sn2O7 光电响应 可见光吸收 表面光电压谱 电场诱导 
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