反型层

作品数：49被引量：45H指数：4
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HgCdTe反型层中自旋轨道耦合、塞曼效应及界面粗糙涨落效应研究
《红外与毫米波学报》2020年第6期684-689,共6页涂华垚 吕蒙 张松然 俞国林 孙艳 康亭亭 陈鑫 戴宁 
国家重点研发计划(2016YFA0202200);国家自然科学基金(11774367)。
通过实验测量,研究了HgCdTe反型层中自旋轨道耦合、塞曼效应及界面粗糙涨落效应。采用理论模型对不同温度及不同平行磁场下的反弱局域效应进行分析,结果表明,在平行磁场中,界面粗糙涨落效应与塞曼效应均会对HgCdTe反型层的反弱局域效应...
关键词：碲镉汞 自旋轨道耦合 塞曼效应 界面粗糙涨落效应 
氯掺杂氧化亚铜的制备及光电性能被引量：2
《新乡学院学报》2018年第6期22-25,共4页谢思思 千志科 
采用电化学沉积法在弱酸性溶液中制备n型氧化亚铜晶体,以氯化钠为添加剂实现氯掺杂。研究不同Cl-浓度对氧化亚铜表面形貌及晶体结构的影响,结果表明:氯掺杂可促进氧化亚铜晶体(111)面的生长,但浓度过高会导致铜单质的生成。利用自制的...
关键词：Cu2O薄膜 Cl掺杂 表面光电压谱 相位谱 反型层 
基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT
《微电子学》2017年第5期714-717,共4页周骏 成建兵 袁晴雯 陈珊珊 吴宇芳 王勃 
国家自然科学基金资助项目(61274080)
在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LT...
关键词：阳极短路横向绝缘栅双极晶体管 击穿电压 反型层 负微分电阻效应 
基于势阱近似的小尺寸MOSFETs反型层解析模型
《固体电子学研究与进展》2015年第2期124-128,共5页徐火希 兰志高 罗春娅 
湖北省自然科学基金资助项目(2011CDB165);黄冈师范学院科学研究基金资助项目(2012028803)
将垂直于栅氧化层/衬底界面方向的反型层电势分布规律近似为耗尽层的电势分布规律,采用WKB近似方法求解薛定谔方程,得到了量子机制下分析MOSFETs反型层的解析模型,进而对Al/SiO2/p-Si MOSFETs能级、子带电子密度和反型层质心进行了模拟...
关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管 反型层 量子效应 温策尔-克雷默-布里渊方法 解析模型 
应变(001)p型金属氧化物半导体反型层空穴量子化与电导率有效质量
《物理学报》2014年第23期428-433,共6页刘伟峰 宋建军 
教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2014JQ8329)资助的课题~~
基于k·p微扰理论框架,研究建立了单轴张/压应变Si,Si基双轴应变p型金属氧化物半导体(PMOS)反型层空穴量子化有效质量与空穴面内电导率有效质量模型.结果表明:对于单轴应力PMOS,选择单轴压应力可有效增强器件的性能;同等增强PMOS空穴迁...
关键词：应变 p型金属氧化物半导体 沟道 设计 
一种新型基于现有P型晶体硅太阳能电池生产线实现N型晶体硅太阳能电池生产的技术方法
《山东工业技术》2013年第13期16-16,19,共2页吴冬燕 王探春 
2012年度浙江工商职业技术学院大学生科技创新项目研究成果;项目名称<一种新型基于现有P型晶体硅太阳能电池生产线实现N型晶体硅太阳能电池生产的技术方法>
提出了一种基于现有的P型单晶硅太阳能电池生产线实现N型单晶硅太阳能电池生产的技术方法,硅片在预清洗和表面织构化处理后,通过改善铝合金层来达到提升效率,实现批量化生产。分析了这种电池结构的原理以及铝合金层对N型晶体硅太阳能电...
关键词：N型单晶硅 制绒 反型层 烧结 
HgCdTe反型层的磁输运性质被引量：1
《物理学报》2012年第2期417-421,共5页高矿红 魏来明 俞国林 杨睿 林铁 魏彦锋 杨建荣 孙雷 戴宁 褚君浩 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB924901);国家自然科学基金(批准号:60976093);中国博士后科学基金(批准号:20100480033);上海技物所创新专项(批准号:Q-ZY-5);上海科委基金(批准号:09JC1415700)资助的课题~~
利用成本低廉的液相外延技术,成功制备了具有金属-绝缘体-半导体结构的HgCdTe场效应管器件.在该器件中,观察到清晰的Shubnikov-de Hass振荡和量子霍尔平台,证明样品具有较高的质量.测量零场附近的磁阻曲线,在HgCdTe-基器件中观察到反弱...
关键词：二维电子气 HGCDTE 反弱局域效应 
低误差开关电流存储单元被引量：1
《微电子学》2011年第2期269-273,共5页房体友 何怡刚 赵文山 
国家杰出青年科学基金资助项目(50925727);国家自然科学基金资助项目(60876022);国家863计划基金资助项目(2006AA04A104);湖南省科技计划项目(2008Gk2022);广东省教育部产学研项目(2009B090300196)
详细分析了限制开关电流(SI)精度的主要误差,在共源-共栅组态存储单元的基础上,根据在开关晶体管关断前消除反型层可以改善电荷注入误差的原理,提出一种新型低误差开关电流存储单元。其主要思想是通过消除开关晶体管沟道内的可动电荷、...
关键词：开关电流 存储单元 共源-共栅 反型层 电导比误差 
MP3/MP4播放器常用三极管及场效应管介绍(下)被引量：1
《家电检修技术》2011年第4期16-17,共2页李伟 
JFET的概念图和符号，如图5所示。 4．场效应管的型号命名方法 现行场效应管有两种命名方法：第一种命名方法与双极型三极管相同。第一位为数字“3”。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅，反型层是P字母沟道。...
关键词：结型场效应管 双极型三极管 MP4播放器 MP3 命名方法 JFET N沟道 反型层 
4H-SiCn-MOSFET新型反型层迁移率模型被引量：4
《西安电子科技大学学报》2011年第1期42-46,共5页汤晓燕 张玉明 张义门 
国家自然科学基金资助项目(60876061;61006060);中央高校基本科研业务费资助项目(JY10000925009)
提出了一种基于物理的4H-SiCn-MOSFET反型层迁移率模型.基于第一性原理的准二维库仑散射迁移率模型考虑了载流子屏蔽效应和温度对库仑散射的影响,模型中不包含任何经验参数,可方便地应用于二维器件模拟软件.推导出SiC表面粗糙散射迁移...
关键词：碳化硅 反型层 迁移率 库仑散射 
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