二维电子气

作品数：260被引量：278H指数：7
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HfO_(2)/SnO_(2)异质结界面电子结构研究
《物理学报》2025年第9期319-327,共9页冯春萌 杨洋 李志青 
国家自然科学基金(批准号:12174282)资助的课题.
在SrTiO_(3)基氧化物异质结中,由于Ti 3d轨道的影响,界面处的二维电子气(2DEG)室温迁移率较低,这限制了它们在半导体器件中的应用.而SnO_(2)的导带底由Sn的5s轨道组成,因此,基于SnO_(2)的异质结界面具有形成室温下高迁移率2DEG的潜力....
关键词：氧化物异质结 二维电子气 电子结构 
基于QST衬底的厚GaN外延材料生长研究
《微纳电子技术》2025年第4期108-113,共6页韩颖 高爽 房玉龙 王波 高楠 张志荣 
河北省省级科技计划资助(22280601Z)。
在QST复合衬底上生长出厚度超过12μm的GaN外延层。测试结果表明外延片表面平整、无裂纹;原子力显微镜(AFM)分析表明样品表面为良好的台阶流形貌,样品表面中心的均方根表面粗糙度为0.224 nm;外延片的弯曲度仅为6.086μm,这对于维持器件...
关键词：QST衬底 热膨胀系数(CTE) 厚外延 二维电子气(2DEG) 异质外延 
渐变组分背势垒GaN HEMT器件特性研究
《微波学报》2025年第1期26-31,共6页张瑞浩 万发雨 徐儒 徐佳闰 李月华 宋润陶 
国家重点研发计划(2022YFE0122700)。
高频氮化镓微波功率器件的短沟道效应是限制其射频性能的重要原因,通常采用背势垒结构来提高二维电子气的限域性,抑制短沟道效应。然而背势垒层的加入会增加寄生电阻与栅极电容,使电流增益截止频率f_(t)与最大震荡频率f_(max)降低。因此...
关键词：氮化镓基高电子迁移率晶体管器件 渐变组分背势垒结构 短沟道效应 二维电子气限域性 
表面电荷密度及介电常数对AlGaN/GaN异质结中二维电子气性质的影响
《四川大学学报（自然科学版）》2024年第6期178-184,共7页王庆武 于白茹 郭华忠 
国家重点研发计划(2022YFF0608302);四川大学理科特色方向培育计划项目(2020SCUNL209)。
通过在Al_(x)Ga_(1-x)N层引入离化电荷面密度,结合自发极化和压电极化引起的极化电荷面密度,利用变分法计算二维电子气面密度随Al组分和Al_(x)Ga_(1-x)N厚度的变化关系.研究了相对介电常数对电子气密度的影响,并与实验数据进行了比较....
关键词：ALGAN/GAN异质结 二维电子气 离化态 变分法 
面向生物检测的AlGaN/GaN HEMT传感芯片研究进展
《传感器与微系统》2024年第12期7-11,共5页顾智琦 李加东 
国家自然科学基金面上项目(62074159)。
氮化铝镓(AlGaN)/氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器是基于第三代半导体GaN开发的新型离子敏场效应晶体管(ISFET)生物传感器,其利用器件敏感区电荷变化调制异质结沟道中的高电子迁移率二维电子气(2DEG)来工作,与传统硅基IS...
关键词：氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管 生物传感器 离子敏场效应晶体管 二维电子气 
氮化镓基单片功率集成技术被引量：1
《电子科技大学学报》2024年第5期685-697,共13页周靖贵 陈匡黎 周琦 张波 
国家自然科学基金(62174019);广东省基础与应用基础研究项目(2021B1515140039,2024A1515012139)。
宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频...
关键词：氮化镓 异质结 二维电子气 高电子迁移率晶体管 氮化镓单片功率集成 P沟道 
AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构双极特性的研究
《北华航天工业学院学报》2024年第4期5-8,共4页韩铁成 彭晓灿 
北华航天工业学院博士基金项目(BKY-2021-16)。
通过一维薛定谔-泊松方程自洽仿真,研究了AlGaN缓冲层组分(0~0.08)和GaN沟道层(20,50和80nm)对AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构能带和载流子分布的影响。缓冲层Al组分的增加可有效抬高沟道层背部的势垒,从而提高2DEG的限域性。随着GaN沟道层...
关键词：AlGaN/GaN/AlGaN 二维电子气 AlGaN缓冲层 二维空穴气 
AlGaN/GaN异质结HEMT电学特性仿真研究被引量：1
《现代电子技术》2024年第16期23-27,共5页李尧 张栩莹 王爱玲 牛瑞霞 王奋强 蓝俊 张鹏杰 刘良朋 吴回州 
国家自然科学基金项目(61905102);国家自然科学基金项目(62264008);兰州市青年科技人才创新项目(2023-QNQ-119);甘肃省高校青年博士支持项目(2024QB-050);开放课题(甘财教[2023]36号-集成电路产业研究院)。
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)作为宽禁带功率半导体器件的代表,在电子电路的应用方面有巨大的潜力。GaN HEMT因其高击穿电压、高电子迁移率等优异性能,适用于各种高频、高功率器件,并被广泛应用于雷达和航空航天等领域。文中利用Silva...
关键词：ALGAN/GAN异质结 HEMT 二维电子气 转移特性 输出特性 频率特性 热特性 
非掺杂型Si/SiGe异质结外延与表征
《物理学报》2024年第11期297-304,共8页耿鑫 张结印 卢文龙 明铭 刘方泽 符彬啸 褚逸昕 颜谋回 王保传 张新定 郭国平 张建军 
国家自然科学基金(批准号:92165207,62225407,12304100);松山湖材料实验室支持项目(批准号:XMYS2023002);国家科创2030项目(批准号:2021ZD0302300)资助的课题。
以自旋为编码单元的硅基半导体量子计算与传统微电子工艺兼容,易拓展且可以同位素纯化提高退相干时间,因而备受关注.本研究工作通过分子束外延生长了高质量非掺杂型Si/SiGe异质结并测试了二维电子气迁移率.球差电镜观察到原子级尖锐界面...
关键词：Si/SiGe异质结 二维电子气 霍尔迁移率 硅基量子计算 
黏滞效应对带电粒子在双层二维电子气上方运动时受力情况的影响
《内蒙古民族大学学报（自然科学版）》2024年第2期91-96,共6页史欣如 李春芝 
内蒙古自治区高校科研项目(NJZY23098);内蒙古自治区自然科学基金项目(2023LHMS06026)。
通过线性化量子流体动力学模型(Quantum hydrodynamic model QHD),探究了黏滞效应对带电粒子与双层二维电子气相互作用过程的影响。与Poisson方程相结合,推导出电子气密度、感应电势、阻止力和侧向力积分表达式。模拟结果表明,在入射粒...
关键词：QHD模型 双层二维电子气 黏滞效应 静电激发 
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