P沟道

作品数：139被引量：24H指数：3
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GaN P沟道功率器件及集成电路研究进展
《电子与封装》2024年第11期64-72,共9页朱霞 王霄 王文倩 李杨 李秋璇 闫大为 刘璋成 陈治伟 敖金平 
国家自然科学基金(62104183,61991442);江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术(BE2023007-1);中央高校基本科研业务费(JUSRP123057,JUSRP123058,JUSRP123059)。
GaN功率器件具有导通电阻小、开关速度快、击穿电压高等特点,已广泛应用于高频、高功率的电力电子转换器中。为充分发挥GaN器件的性能优势,将功率电子器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成是最小化寄生参数的有效手段,也是Ga...
关键词：GAN 二维空穴气 P型器件 互补逻辑集成 
氮化镓基单片功率集成技术被引量：1
《电子科技大学学报》2024年第5期685-697,共13页周靖贵 陈匡黎 周琦 张波 
国家自然科学基金(62174019);广东省基础与应用基础研究项目(2021B1515140039,2024A1515012139)。
宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频...
关键词：氮化镓 异质结 二维电子气 高电子迁移率晶体管 氮化镓单片功率集成 P沟道 
P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术分析
《电子元器件与信息技术》2024年第8期15-17,共3页王斌 李孝权 肖添 
在辐射条件下,P沟道VDMOS器件中的电子在辐射过程中会发生辐射跃迁,生成活性粒子(如质子、中子等)。这些活性粒子会引起P沟道VDMOS器件的热效应与辐射损伤,从而影响器件的性能。热效应包含热膨胀、热应力等:辐射损伤包括辐射引起的电学...
关键词：功率器件 抗辐射加固 局部厚场氧化层 
用于GaN CMOS集成技术的p型GaN欧姆接触研究
《固体电子学研究与进展》2024年第3期196-200,251,共6页潘传奇 王登贵 周建军 胡壮壮 严张哲 郁鑫鑫 李忠辉 陈堂胜 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(62104218)。
通过金属叠层结构、蒸发-合金工艺条件的优化调整,实现了低接触电阻率、高稳定的p型GaN欧姆接触技术,并研究分析了电极金属在合金过程中的扩散行为。测试结果显示,改进后的p型GaN欧姆接触电阻为11.9Ω·mm,比导通电阻率为3.9×10^(-5)Ω...
关键词：GaN CMOS P型GAN p沟道器件 欧姆接触 低接触电阻 
10 kV P沟道SiC IGBT终端结构优化设计与实现
《电源学报》2023年第1期202-207,共6页冯旺 刘新宇 田晓丽 杨雨 郑昌伟 杨成樾 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0102302);广东省重点研发计划资助项目(2019B090917010)。
提出采用五区多重场限环FRM-FLRs(five-region multistep field limiting rings)终端设计并流片,研制10 kV P沟道碳化硅绝缘栅双极晶体管SiC IGBT(silicon carbide insulated gate bipolar transistor)终端。通过Silvaco TCAD软件仿真,...
关键词：碳化硅 绝缘栅双极晶体管 五区多重场限环 击穿电压 
增强型硅基氮化镓p沟道晶体管器件被引量：3
《固体电子学研究与进展》2022年第2期F0003-F0003,共1页王登贵 周建军 张凯 胡壮壮 孔月婵 陈堂胜 
近来,集成栅极驱动器的商用氮化镓(GaN)功率IC已成功推向市场。与传统硅芯片所采用的CMOS技术不同,GaN功率IC则是采用基于n沟道器件的直接耦合晶体管逻辑(DCFL)实现。在DCFL逻辑架构里,上拉网络中的耗尽型晶体管器件处于常开状态,当下...
关键词：CMOS技术 功率IC 逻辑电路 直接耦合 静态功耗 栅极驱动器 硅芯片 GaN 
基于IGBT的宽范围线性功率放大技术
《电源学报》2021年第3期175-181,共7页陈柏超 高伟 陈耀军 
模块化多电平分级逐段线性化思想可以大幅提高线性功率放大器的效率,绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)作为一种大功率器件用于其中将会大大简化大功率放大器的电路,但IGBT的类别中没有P沟道管,传统的复合P管...
关键词：IGBT 线性功率放大 P沟道管 线性放大区 
Vishay推出全球领先的汽车级80V P沟道MOSFET以提高系统能效和功率密度
《半导体信息》2021年第2期19-19,共1页
Vishay推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80V TrenchFET MOSFET——SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80V p沟道器件优异水平,可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13mmX 6.15mm PowerPAK...
关键词：导通电阻 功率密度 系统能效 FET 
Nexperia发布P沟道MOSFET 采用节省空间的坚固LFPAK56封装
《半导体信息》2020年第3期21-22,共2页
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56(Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准,适合汽车应用,可作为DPAK MOSFET的理想替代产品,在保证性能的基础上,...
关键词：占位面积 空间利用率 NEXPERIA DPA 替代产品 系列产品 封装 节省空间 
数码播放器功放芯片XPT9978代换
《家电维修》2020年第3期33-33,共1页孔德因 
一台SD-S512播放器,开机后蓝灯有规律地正常闪烁,但喇叭无声。开盖测喇叭完好,看功放芯片中间有个洞,应,该是烧坏了,但芯片的型号仅看得清后面的78字样。按实物画出线路如图1(Q2是后来加上的)。手头有XPT8871芯片,对照线路认为应该是一...
关键词：功放芯片 电源开关 供电电压 播放器 代换 负电压 P沟道 喇叭 
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