增强型硅基氮化镓p沟道晶体管器件  

Enhancement-mode GaN p-channel HFET on Si

作　　者：王登贵 周建军[1] 张凯[1] 胡壮壮 孔月婵[1] 陈堂胜[1] WANG Denggui;ZHOU Jianjun;ZHANG Kai;HU Zhuangzhuang;KONG Yuechan;CHEN Tangsheng(Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN)

机构地区：[1]南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2022年第2期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：近来,集成栅极驱动器的商用氮化镓(GaN)功率IC已成功推向市场。与传统硅芯片所采用的CMOS技术不同,GaN功率IC则是采用基于n沟道器件的直接耦合晶体管逻辑(DCFL)实现。在DCFL逻辑架构里,上拉网络中的耗尽型晶体管器件处于常开状态,当下拉网络开启时,整个电路系统会产生大量的静态功耗。为充分发挥GaN技术的潜力,实现GaN互补逻辑电路的研制,亟需开发高性能增强型GaN p沟道晶体管制备技术。

关 键 词：CMOS技术 功率IC 逻辑电路 直接耦合 静态功耗 栅极驱动器 硅芯片 GaN 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]