张凯

作品数：13被引量：14H指数：3
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：GAN太赫兹肖特基二极管射频器件氮化镓更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《微波学报》《电子元件与材料》《电力电子技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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截止频率1.2 THz的GaN肖特基二极管及其三倍频单片集成电路
《固体电子学研究与进展》2024年第5期384-389,F0002,共7页代鲲鹏 纪东峰 李俊锋 李传皓 张凯 吴少兵 章军云 
国家重点研发计划资助项目(2023YFB3609600)。
通过设计不同掺杂浓度和厚度的GaN低掺杂外延层,制造了两款SiC基GaN肖特基势垒二极管(Schott⁃ky barrier diode,SBD)。结果显示在低掺杂层厚度为80 nm,掺杂浓度为8×10^(17)cm^(−3)条件下制备的GaN SBD截止频率高达1.2 THz。基于该SBD...
关键词：GaN肖特基势垒二极管 三倍频 单片集成电路 太赫兹 梁式引线 
340 GHz GaN大功率固态倍频链被引量：6
《微波学报》2023年第6期75-79,共5页郑艺媛 张凯 代鲲鹏 钱骏 孔月婵 陈堂胜 
国防基础科研计划重点实验室稳定支持项目。
随着太赫兹技术的应用和发展,对大功率太赫兹固态源的需求愈加迫切。文中基于GaN肖特基二极管(SBD)工艺设计并制造了具有高功率输出的170 GHz和340 GHz太赫兹倍频器,实现了340 GHz大功率太赫兹固态倍频链。采用多管芯GaN SBD提高器件功...
关键词：太赫兹 氮化镓 肖特基二极管 倍频器 
高耐压氧化镓射频场效应晶体管
《固体电子学研究与进展》2023年第5期F0003-F0003,共1页郁鑫鑫 周建军 李忠辉 陶然 吴云 张凯 孔月婵 陈堂胜 
超宽禁带氧化镓是发展新型大功率电力电子和射频器件的新一代先进战略性电子材料。近年来,得益于单晶衬底制备及n型掺杂技术的进步,氧化镓在电力电子器件领域取得了突破性的进展,然而氧化镓体掺杂沟道较厚,亚微米以下栅长器件短沟道效...
关键词：场效应晶体管 二维电子气 氧化镓 电力电子器件 短沟道效应 击穿电压 射频器件 宽禁带 
低压硅基GaN射频器件
《固体电子学研究与进展》2023年第4期F0003-F0003,共1页张凯 朱广润 房柏彤 王伟凡 汪流 陈堂胜 
基于硅基GaN的射频器件具有高功率、高效率、宽带工作以及低成本、批量化生产的优势,有望应用于5G移动终端等重要场景,具有巨大市场潜力。南京电子器件研究所发展了低损耗低方阻硅基GaN射频材料,开发了低阻欧姆接触技术,接触电阻(RC)仅...
关键词：射频器件 欧姆接触 GaN 批量化生产 方阻 巨大市场潜力 接触电阻 低损耗 
增强型硅基氮化镓p沟道晶体管器件被引量：3
《固体电子学研究与进展》2022年第2期F0003-F0003,共1页王登贵 周建军 张凯 胡壮壮 孔月婵 陈堂胜 
近来,集成栅极驱动器的商用氮化镓(GaN)功率IC已成功推向市场。与传统硅芯片所采用的CMOS技术不同,GaN功率IC则是采用基于n沟道器件的直接耦合晶体管逻辑(DCFL)实现。在DCFL逻辑架构里,上拉网络中的耗尽型晶体管器件处于常开状态,当下...
关键词：CMOS技术 功率IC 逻辑电路 直接耦合 静态功耗 栅极驱动器 硅芯片 GaN 
截止频率0.8 THz的GaN肖特基二极管及其设计被引量：3
《固体电子学研究与进展》2022年第1期10-15,共6页代鲲鹏 张凯 李传皓 范道雨 步绍姜 吴少兵 林罡 陈堂胜 
国家自然科学基金资助项目(61874101)。
通过设计圆形阳极以及相同面积不同周长的指形阳极,研究了不同阳极周长面积比对太赫兹频段内GaN肖特基二极管串联电阻的影响。在阳极面积分别为7.1、12.6、19.6μm^(2)时,采用圆形阳极的二极管串联电阻分别为14、11、6Ω。相同面积下采...
关键词：GAN 肖特基二极管 太赫兹 周长面积比 指形阳极 
栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiNx栅介质TDDB特性的影响
《固体电子学研究与进展》2021年第3期229-234,共6页戚永乐 王登贵 周建军 张凯 孔岑 孔月婵 于宏宇 陈堂胜 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402800,2017YFB0402802)。
基于CMOS兼容性GaN工艺,研制出具有低压化学气相沉积SiNx栅介质的硅基AlGaN/GaN异质结金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)器件。通过威布尔统计分析,研究了栅介质面积和静电释放(ESD)结构对SiNx的经时击穿(TDDB)特性的影...
关键词：氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管 栅介质 静电释放结构 经时击穿 
Si基GaN射频器件研究进展
《电子元件与材料》2021年第2期111-118,共8页房柏彤 朱广润 张凯 郭怀新 陈堂胜 
国家自然科学基金(61874101,61904162)。
针对低成本、大尺寸的GaN HEMT技术,回顾了近年来Si基GaN射频器件在大尺寸材料外延生长、器件制备工艺与单片集成电路等方面的国内外研究进展,指出推进其发展的重要意义,并分析了抑制射频损耗、无金欧姆接触及复合钝化等技术难点,阐明...
关键词：硅基氮化镓 射频损耗 综述 无金工艺 功率密度 功率附加效率 
GaN太赫兹肖特基变容二极管倍频效率的研究被引量：2
《电子元件与材料》2018年第12期9-16,共8页代鲲鹏 张凯 林罡 
国家重点研发计划(2018YFB0406602)
本文使用Sentaurus仿真工具对恒定掺杂和渐变掺杂两种典型掺杂的GaN太赫兹肖特基变容二极管进行了仿真研究。着重研究了两种掺杂方式下轻掺杂外延层掺杂浓度对变容二极管的C-V特性和倍频效率的影响。通过数字滤波求解输入频率300GHz幅...
关键词：GAN 肖特基变容二极管 太赫兹 恒定掺杂 渐变掺杂 倍频效率 
InAlGaN超薄势垒层结构高频GaN HEMT器件
《固体电子学研究与进展》2017年第5期299-302,共4页朱广润 孔月婵 张凯 郁鑫鑫 陈堂胜 
国家自然科学基金资助项目(61474101;61504125)
提出了一种基于SiC衬底的高性能InAlGaN/AlN/GaN HEMT器件。采用电子束技术实现栅长为80nm的高深宽比(栅脚高度与栅长的比值)T型栅结构。测试结果表明,超薄势垒层结构对于器件短沟道效应具有较好的抑制作用,在Ids=1mA/mm时器件的DIBL=16...
关键词：InAlGaN GAN 高频 高电子迁移率晶体管 
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