经时击穿

作品数：29被引量：49H指数：4
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基于TDDB的数字隔离器寿命测试系统
《现代电子技术》2025年第6期39-44,共6页李梓腾 王进军 陈炫宇 王凯 
陕西省教育厅科研计划专项项目:AlGaN/GaN HEMT电力电子器件的优化与性能研究(18JK0103)。
为评估数字隔离器在长期使用过程中的稳定性和寿命,提出一种基于经时击穿(TDDB)的寿命测试系统,通过自动化和多路并行测试来提升测试效率。具体方法包括设计一个支持16路同时进行测试的系统,使用DSP控制程序和上位机软件进行数据处理,...
关键词：数字隔离器 经时击穿 寿命测试 可靠性评估 栅氧化层击穿 回路电流监测 
高k栅介质的TDDB效应
《安徽大学学报（自然科学版）》2024年第5期52-56,共5页任康 贡佳伟 丁俊贤 王磊 李广 
安徽省自然科学基金资助项目(1708085ME123,2208085J16);安徽大学大学生创新创业训练计划项目(X202110357011)。
半导体工艺进入45 nm以后,使用高k栅介质HfO_(2)代替传统的SiO_(2),解决了因栅氧化层变薄而引起的栅极漏电流过大的问题.经时击穿(time dependent dielectric breakdown,简称TDDB)效应的寿命时间是衡量栅氧化层质量的重要因素,然而高k...
关键词：高k 栅介质 经时击穿效应 栅氧化层 HfO_(2) 
电离总剂量效应对HfO_(2)栅介质经时击穿特性影响
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第9期903-907,共5页魏莹 崔江维 蒲晓娟 崔旭 梁晓雯 王嘉 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(11805268);中国科学院“西部青年学者”基金资助项目(2021-XBQNXZ-021);中国科学院青年创新促进会基金资助项目(2018473)。
针对纳米金属-氧化物-半导体(MOS)器件中采用的高介电常数HfO_(2)栅介质,开展电离总剂量效应对栅介质经时击穿特性影响的研究。以HfO_(2)栅介质MOS电容为研究对象,进行不同栅极偏置条件下^(60)Co-γ射线的电离总剂量辐照试验,对比辐照前...
关键词：电离总剂量效应 高K栅介质 经时击穿效应 辐射陷阱电荷 
栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiNx栅介质TDDB特性的影响
《固体电子学研究与进展》2021年第3期229-234,共6页戚永乐 王登贵 周建军 张凯 孔岑 孔月婵 于宏宇 陈堂胜 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402800,2017YFB0402802)。
基于CMOS兼容性GaN工艺,研制出具有低压化学气相沉积SiNx栅介质的硅基AlGaN/GaN异质结金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)器件。通过威布尔统计分析,研究了栅介质面积和静电释放(ESD)结构对SiNx的经时击穿(TDDB)特性的影...
关键词：氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管 栅介质 静电释放结构 经时击穿 
GaN HEMT经时击穿可靠性的研究进展
《电子元件与材料》2020年第12期1-7,共7页孙梓轩 蔡小龙 杜成林 段向阳 陆海 
国家重点研发计划(2017YFB0403000)。
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)凭借着高电子迁移率、低导通电阻和高击穿场强等优点,在高频器件和大功率开关器件等领域得到了广泛运用。但经时击穿会导致在正常工作电压范围内的器件发生失效,因此GaN器件的经时击穿成为了评估器...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 综述 经时击穿 失效 可靠性 
一种GaAs基Si3N4薄膜斜坡电压测试方法及其应用
《半导体技术》2020年第11期899-904,共6页林锦伟 
为快速、准确地评估Si3N4薄膜的可靠性,参照联合电子设备工程委员会(JEDEC)的相关标准,采用斜坡电压法在5 V/s和0.5 V/s两种加压速率下对厚度为100 nm的GaAs基Si3N4薄膜进行测试,测试样品的总面积不小于20 cm2。结合斜坡电压法的测试结...
关键词：斜坡电压法 SI3N4 击穿电压 可靠性 经时击穿(TDDB) 
栅氧化层经时击穿的非平衡统计理论分析方法被引量：1
《物理学报》2020年第10期26-34,共9页赵文静 丁梦光 杨晓丽 胡海云 
栅氧化层的经时击穿作为影响互补型金属-氧化物-半导体集成电路可靠性的一个重要因素,一直是国内外学者研究的重点.为了对其进一步研究,首先从栅氧化层在电应力下经时击穿的微观机理出发,基于栅氧化层中电子陷阱密度累积达到临界值时发...
关键词：栅氧化层 经时击穿 非平衡统计理论 累积失效率 
三维集成电路中内存的经时击穿分析与检测被引量：4
《西安电子科技大学学报》2019年第4期182-189,共8页贾鼎成 王磊磊 高薇 
国家自然科学基金（61401276）
三维多处理器内存堆叠系统能够显著提升系统性能,但伴随而来的热密度以及散热成为影响电路可靠性的关键问题.为了研究并检测三维集成电路结构中内存的经时击穿效应,笔者采用了一种SPICE物理模型,基于蒙特卡罗仿真的方法,对栅极击穿漏电...
关键词：可靠性 经时击穿 三维集成电路 动态随机存取存储器 检测 
大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应
《半导体技术》2019年第1期51-57,72,共8页赵悦 杨盛玮 韩坤 刘丰满 曹立强 
等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据...
关键词：大马士革工艺 天线扩散效应 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 等离子体损伤 经时击穿(TDDB) 
γ射线辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响被引量：2
《红外与激光工程》2018年第9期203-208,共6页马腾 苏丹丹 周航 郑齐文 崔江维 魏莹 余学峰(指导) 郭旗 
国家自然科学基金(11475255);国家自然科学基金青年科学基金(11505282);中国科学院西部之光项目(2015-XBQN-B-15,XBBS201321)。
研究了γ射线辐照对130 nm部分耗尽(Partially Depleted,PD)绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)工艺MOS器件栅氧经时击穿(Time-Dependent Dielectric Breakdown,TDDB)寿命的影响。通过测试和对比辐照前后NMOS和PMOS器件的转移特性曲...
关键词：场效应晶体管 可靠性 栅氧经时击穿 γ射线 
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