等离子体损伤

作品数：15被引量：18H指数：2
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多孔材料的低温刻蚀技术被引量：2
《物理学报》2021年第9期99-109,共11页张权治 张雷宇 马方方 王友年 
国家自然科学基金(批准号:11675036,11935005);大连理工大学启动经费(批准号:DUT19RC(3)045)资助的课题。
随着半导体芯片特征尺寸的持续减小,低介电常数的多孔材料在微电子领域得到广泛应用.然而,多孔材料在等离子体刻蚀工艺中面对严峻的挑战.等离子体中的活性自由基很容易在多孔材料内部扩散,并与材料发生不可逆的化学反应,在材料内部造成...
关键词：低温等离子体 多孔材料 等离子体损伤 低温刻蚀 孔填充 
大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应
《半导体技术》2019年第1期51-57,72,共8页赵悦 杨盛玮 韩坤 刘丰满 曹立强 
等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据...
关键词：大马士革工艺 天线扩散效应 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 等离子体损伤 经时击穿(TDDB) 
硅微波BJT集电极-发射极漏电的失效机理分析
《电子工业专用设备》2015年第7期18-22,共5页胡顺欣 李明月 苏延芬 邓建国 
介绍了硅微波双极晶体管中一种集电极-发射极漏电的失效模式,着重从芯片制造工艺方面研究了失效机理。建立了RIE等离子体刻蚀等效电容模型,研究了电容介质隧穿/击穿诱发的工艺损伤和接触孔侧壁角度对Pt Si的影响。结果表明:RIE干法刻蚀...
关键词：硅微波双极晶体管 介质击穿/隧穿 等离子体充电效应 等离子体损伤 PtSi合金 
高纵横选择比低损伤多晶硅栅的工艺实现被引量：2
《半导体技术》2013年第7期536-539,共4页苏延芬 苏丽娟 胡顺欣 邓建国 
分析了采用微波高密度等离子体刻蚀(HDP)系统刻蚀实现高纵横向刻蚀选择比、低等离子体损伤、精细线条尺寸的MOSFET多晶硅栅的可行性。研究了刻蚀用气体中CH4和SF6等离子体分别在多晶硅栅刻蚀当中的作用及其分别对刻蚀速率、多晶硅栅侧...
关键词：微波高密度等离子体(HDP) 纵横向刻蚀选择比 等离子体损伤 聚合物清洗 终点检测(EPD) 
半导体芯片中等离子损伤的解决方案被引量：1
《电子与封装》2012年第10期41-45,共5页周乾 程秀兰 
在研发一套基于0.18μm工艺的全新半导体芯片时,由于芯片工艺的要求我们将标准0.18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN+SION改为SIN,但却引进了PID(等离子体损伤)的问题。当芯片的关键尺寸减小到0.18μm时,栅氧化层变得更薄...
关键词：半导体技术 等离子体损伤 通孔蚀刻 高密度等离子体淀积 
超低k介质材料低损伤等离子体去胶工艺进展被引量：1
《微纳电子技术》2011年第11期733-738,共6页吴元伟 韩传余 赵玲利 王守国 
国家科技02重大专项基金资助项目(2009ZX0203008)
介绍了三类常见的低k介质材料,并对空气隙(k=1)的发展进行了探讨;讨论了引起等离子体损伤的机理和传统的O2等离子体去胶工艺面临的困难;最后综述了近年来国际上提出的低损伤等离子体去胶工艺的研究进展。人们已经开发出一些对低k材料进...
关键词：等离子体去胶 多孔超低k介质 空气隙 等离子体损伤 损伤修复 金属硬掩膜(MHM) 
超薄栅氧化层等离子体损伤的工艺监测被引量：6
《电子学报》2009年第5期947-950,956,共5页赵文彬 李蕾蕾 于宗光 
江苏省高技术研究项目(No.BG2007006)
随着集成电路向深亚微米、纳米技术发展,等离子体充电对制造工艺造成的影响,尤其对超薄隧道氧化层的损伤越来越显著.本文分析了等离子体工艺损伤机理以及天线效应,设计了带有多晶、孔、金属等层次天线监测结构的电容和器件,并有不同的...
关键词：栅氧化层 等离子体损伤 天线结构 工艺监测 
一种测试等离子体损伤的新方法被引量：1
《微电子学》2007年第5期768-770,共3页徐政 孙锋 李冰 
开发了一种用于评估等离子体损伤的测试方法。利用电流流经氧化层时会在氧化层产生缺陷,从而导致隧道电流降低的原理,通过测量氧化层的隧道电流,来评估工艺制造过程中等离子体对介质造成的损伤。测量结果用气泡图表示,气泡面积表示隧道...
关键词：半导体工艺 氧化层 等离子体损伤 隧道电流 
EEPROM电路中的等离子体损伤分析
《电子与封装》2007年第9期26-29,共4页肖纯烨 徐政 
文章讨论了等离子体损伤造成的EEPROM电路失效,从隧道氧化层质量、器件结构、PECVD、等离子体腐蚀几方面分析了工艺中造成等离子体损伤的原因。分析结论得出金属腐蚀工艺中存在的天线效应和电子阴影效应对隧道氧化层质量有决定性影响。
关键词：隧道氧化层 等离子体损伤 金属腐蚀 
p-GaN ICP刻蚀损伤研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1097-1103,共7页龚欣 吕玲 郝跃 李培咸 周小伟 陈海峰 
国家重大基础研究发展规划资助项目(批准号:51327020301)~~
运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范围内,刻蚀并没有引起表面形貌较大的变化,刻蚀表面的均...
关键词：GAN 感应耦合等离子体刻蚀 等离子体损伤 
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