半导体工艺

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电容式压力传感器的设计和仿真分析
《传感器与微系统》2025年第4期88-91,共4页曹海燕 王慧慧 赵鹤然 孙晓东 张颖 
辽宁省高等学校基本科研项目(LJKQZ2021189)。
对微器件中应用较广泛的一种电容式MEMS压力传感器的结构进行了优化设计,提出了一种新型的电容式压力传感器设计方案,使MEMS结构与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容。通过Ansys软件建立模型并进行仿真分析,结果表明:传感器的性能与...
关键词：电容式压力传感器 互补金属氧化物半导体工艺 ANSYS软件 敏感膜 
新质生产力视角下“半导体工艺原理”课程教学改革路径探析
《科技风》2025年第7期42-44,共3页蒋春生 谢琴 
广西师范大学2023年度新工科研究与实践立项项目:《新工科背景下半导体工艺原理课程教学改革与实践研究》,项目号:2023JGXG01;2024年广西高等教育本科教学改革A类项目:《“新工科”理念下地方院校集成电路人才培养模式改革与实践》,项目号:2024JGA133。
随着科技的迅猛发展,新质生产力理论应运而生,为我国现阶段产业升级与新旧动能转换指明了方向,并逐步重塑全国各产业的格局。半导体产业作为现代科技的核心领域,其对新质人才培养具有重要意义。本文基于新质生产力视角,深入探究“半导...
关键词：新质生产力 半导体工艺原理 教学改革 人才培养模式 
用于PON的低成本CMOS BM-TIA设计
《光通信研究》2025年第1期52-58,共7页赵婉青 夏翼飞 李佳 徐颂秦 马帅哲 杨睿煊 耿莉 李丹 
国家重点研发计划资助项目(2022YFB2803301);国家自然科学基金面上资助项目(62074126)。
【目的】在高速率无源光网络(PON)需求的快速增长下,低成本低噪声突发模式跨阻放大器(BM-TIA)成为其关键的制约因素。文章基于低成本40 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种适用于10吉比特对称无源光网络(XGS-PON)的快速建立...
关键词：互补金属氧化物半导体工艺 10吉比特对称无源光网络 突发模式跨阻放大器 多速率兼容 快速建立 
半导体工艺机台需求分析与施工管理研究
《现代工程科技》2025年第2期89-92,共4页朱佳富 尹鹏飚 孙瑞 
伴随着国内芯片产业需求的不断扩大,带动了国内半导体产业项目的蓬勃发展。二次配项目作为半导体厂房投产前的最后一道环节,其管理效率直接决定了项目能否按期投产,为此提高二次配管控效率尤为关键。通过采取列举法对芯片制造工艺、区...
关键词：半导体 芯片厂房 晶圆制造 施工管理 
基于N型GaAs的肖特基β辐伏电池换能单元制备分析
《电子技术(上海)》2025年第1期348-349,共2页沈鑫 邹继军 宋亚龙 邹启泰 
阐述从肖特基结型β辐伏电池换能单元的角度出发,基于第二代半导体GaAs材料优异的载流子迁移率、抗辐照性能以及生产工艺成熟的特性,选用N型GaAs衬底作为半导体换能单元材料,并采用Au作为肖特基接触金属。通过光刻、金属薄膜沉积和剥离...
关键词：半导体工艺 GAAS 肖特基结型换能单元 
华中科技大学攻克芯片光刻胶关键技术
《现代化工》2024年第12期170-170,共1页
近日,华中科技大学武汉光电国家研究中心团队在国内率先攻克合成光刻胶所需的原料和配方,助推我国芯片制造关键原材料突破瓶颈。其研发的T150A光刻胶系列产品已通过半导体工艺量产验证,实现了原材料全部国产、配方全自主设计,有望开创...
关键词：半导体工艺 半导体光刻 光刻胶 华中科技大学 芯片制造 突破瓶颈 自主设计 系列产品 
面向半导体工艺的平面线圈感性耦合氩等离子体源的三维流体模拟研究
《物理学报》2024年第21期167-176,共10页赵明亮 邢思雨 唐雯 张钰如 高飞 王友年 
国家自然科学基金(批准号:11935005)资助的课题。
针对平面线圈感性耦合氩气放电,本文基于自主开发的三维等离子体流体力学程序,数值模拟了线圈结构以及放电气压对等离子体空间分布的影响.研究表明,由于线圈在环向上具有不对称性,电子密度也具有明显的环向不均匀性.随着气压的增大,这...
关键词：感性耦合等离子体 三维流体模拟 等离子体均匀性 线圈形状 
华中科技大学实现半导体专用光刻胶重大突破
《浙江化工》2024年第10期18-18,共1页
华中科技大学武汉光电国家研究中心团队在半导体专用光刻胶领域实现重大突破。团队研发的T150A光刻胶系列产品,已通过半导体工艺量产验证,实现原材料全部国产化,配方全自主设计,有望开创国内半导体光刻制造新局面。
关键词：半导体工艺 半导体光刻 光刻胶 华中科技大学 自主设计 系列产品 武汉光电 重大突破 
典型半导体工艺测量设备计量技术
《上海计量测试》2024年第4期2-7,共6页崔现锋 
半导体测量设备主要用于监测晶圆上膜厚、线宽、台阶高度、电阻率等工艺参数,实现器件各项参数的准确控制,进而保障器件的整体性能。为了解半导体测量设备的溯源情况,实现测量设备量值的统一与准确,通过研究台阶仪、椭偏仪、扫描电子显...
关键词：测量设备 量值准确 计量数据模型库 计量管控决策机制 
算力技术发展研究——“智能摩尔”技术路线综述
《中国安防》2024年第5期40-45,共6页周学武 张韵东 郭昭宇 李家强 
一、“智能摩尔”技术背景概述自1965年戈登·摩尔提出摩尔定律以来,传统摩尔技术路线开始不断演进,当前基于CMOS开关的半导体工艺技术遭遇到物理极限的制约,半导体产业已进入后摩尔时代。延续摩尔(More Moore)技术通过不断改进半导体...
关键词：半导体工艺 沟道宽度 集成密度 摩尔定律 后摩尔时代 物理极限 单芯片 半导体产业 
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