算力技术发展研究——“智能摩尔”技术路线综述  

作　　者：周学武 张韵东 郭昭宇 李家强 

机构地区：[1]数字感知芯片技术全国重点实验室 [2]中星微技术股份有限公司 [3]深空探测实验室 [4]中国空间技术研究院

出　　处：《中国安防》2024年第5期40-45,共6页China Security & Protection

摘　　要：一、“智能摩尔”技术背景概述自1965年戈登·摩尔提出摩尔定律以来,传统摩尔技术路线开始不断演进,当前基于CMOS开关的半导体工艺技术遭遇到物理极限的制约,半导体产业已进入后摩尔时代。延续摩尔(More Moore)技术通过不断改进半导体工艺制程,以减小器件沟道宽度的方法来提高单片晶体管集成密度,正逐渐接近1nm的量子极限。拓展摩尔(More Than Moore)技术通过在单芯片中堆叠多个DIE来提升单个元器件的性能,但也受到功耗和散热的限制。

关 键 词：半导体工艺 沟道宽度 集成密度 摩尔定律 后摩尔时代 物理极限 单芯片 半导体产业 

分 类 号：TN30[电子电信—物理电子学]