互补金属氧化物半导体工艺

作品数：23被引量：37H指数：4
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相关期刊：《固体电子学研究与进展》《光通信研究》《传感器与微系统》《中国科技信息》更多>>
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用于PON的低成本CMOS BM-TIA设计
《光通信研究》2025年第1期52-58,共7页赵婉青 夏翼飞 李佳 徐颂秦 马帅哲 杨睿煊 耿莉 李丹 
国家重点研发计划资助项目(2022YFB2803301);国家自然科学基金面上资助项目(62074126)。
【目的】在高速率无源光网络(PON)需求的快速增长下,低成本低噪声突发模式跨阻放大器(BM-TIA)成为其关键的制约因素。文章基于低成本40 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种适用于10吉比特对称无源光网络(XGS-PON)的快速建立...
关键词：互补金属氧化物半导体工艺 10吉比特对称无源光网络 突发模式跨阻放大器 多速率兼容 快速建立 
低频锁相环研究被引量：2
《中国科技信息》2021年第11期68-69,共2页叶波涛 
本文研究一种基于182nm互补金属氧化物半导体工艺方法的低振动集成锁相环芯片。由鉴相鉴频装置、环形滤波装置、电荷泵装置、压力控制振动装置等多类环路系统研究了降低输出信号时钟振动的模式及实际电路应用。使用Cadenae数值模拟仿真...
关键词：互补金属氧化物半导体工艺 集成锁相环 电荷泵 整体电路 滤波装置 振动装置 输出信号 电路应用 
GPS导航接收机中可变增益放大器设计被引量：1
《导航定位学报》2019年第1期98-102,共5页黄敏 黄海生 李鑫 王嘉齐 
国家自然基金项目(61661049)
针对GPS接收机易受不同传输距离和多路径衰减效应的影响使得接收的信号强度不固定的问题,基于TSMC0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计一款可变增益放大器:它与脉冲宽度调制式自动增益控制和脉冲宽度译码器组成的自动增益控制电...
关键词：可变增益放大器 互补金属氧化物半导体工艺 增益可控性 增益范围 自动增益控制 
医疗植入式无线传感系统的低功耗接收机电路设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2018年第6期446-450,464,共6页李华英 王振 
国家自然科学基金资助项目(51767006);江西省自然科学基金资助项目(20171BAB206045);江西省教育厅科学技术项目(GJJ160491;GJJ170378)
针对医疗植入式无线传感系统低电压、低功耗和小尺寸的需求设计了一种接收机电路。所设计的接收机电路能工作于0.5V电源电压下,有利于充分利用无线采集能量;提出一种可调式比例因子检波器,有利于平衡功耗和敏感度性能;匹配网络采用可编...
关键词：植入式无线传感器 接收机电路 低功耗设计 互补金属氧化物半导体工艺 
一种高集成高空间分辨率220 GHz检波器（英文）
《红外与毫米波学报》2017年第6期650-654,共5页崔大圣 丁正之 郝海东 吕昕 
Supported by National Natural Science Foundation of China(61527805)
设计了一种高集成检波器,其包含贴片天线、匹配电路、肖特基二极管和透镜.在中芯国际130 nm工艺下将天线、匹配电路、肖特基二极管集成到一个芯片上,检波器的集成度相比于分离式有了明显的提高.为增强片上天线的方向性,进行了带有空气...
关键词：太赫兹(THz)检波器 互补金属氧化物半导体工艺 肖特基二极管 透镜天线 
基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺的Ka波段低噪声放大器的设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2017年第4期239-244,共6页包宽 周骏 沈亚 
介绍了一款基于SiGe BiCMOS工艺的Ka波段低噪声放大器(LNA)的设计与测试。分析了毫米波频段硅基集成电路的匹配设计方法,给出了HBT晶体管电流密度与噪声系数的关系,以及最佳噪声偏置点的选取方法。并基于以上方法设计了单级共基共射低...
关键词：低噪声放大器 KA波段 SiGe双极型互补金属氧化物半导体工艺 毫米波 阻抗匹配 
硅光子学：光电子学与微电子学的联姻被引量：1
《科技纵览》2017年第11期62-65,共4页甘甫烷 余明斌 武爱民 李伟 
致谢：感谢国家重点研发计划重点专项项目“低损耗硅基微纳16信道波长复用/解复用器及32信道波长路由器研究”（项目编号：2017YFA0206403）和中科院重大战略先导专项项目“大规模光子集成芯片”（项目编号：XDB24020000）的支持.
中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究团队围绕“微电子和光电子的融合”，基于互补金属氧化物半导体工艺技术，在硅光子加工工艺平台、高性能硅基光器件、硅基光子集成等方面取得了一系列意义重大的进展。
关键词：微电子学 光电子学 光子学 硅基 互补金属氧化物半导体工艺 信息技术 中国科学院 加工工艺 
应用于RFID的超低功耗CMOS温度传感器设计被引量：6
《传感器与微系统》2016年第2期106-108,112,共4页吴翔 邓芳明 何怡刚 丁青锋 
国家杰出青年科学基金资助项目(50925727);教育部科学技术研究重大项目(313018);安徽省科技计划重点资助项目(1301022036);江西省科技厅青年科学基金资助项目(20142BAB217008);华东交通大学校立科研基金资助项目(14DQ08)
针对融合射频识别（RFID）的无线温度传感器节点设计的需求,采用0.18μm 1P6M台积电CMOS工艺,设计了一种低功耗集成温度传感器。该温度传感器首先将温度信号转换为电压信号,然后通过经压控振荡器将电压信号转换为受温度控制的频率信号,...
关键词：温度传感器 射频识别技术 互补金属氧化物半导体工艺 
基于无源RFID的集成加速度传感器设计被引量：2
《固体电子学研究与进展》2015年第3期289-295,共7页刘茂旭 何怡刚 邓芳明 陈欢 李得民 
国家杰出青年科学基金资助项目(50925727);国防科技计划资助项目(C1120110004;9140A27020211DZ5102);教育部科学技术研究重大资助项目(313018);安徽省科技计划重点资助项目(1301022036);湖南省科技计划资助项目(2010J4;2011JK2023);江西省科技厅青年科学基金资助项目(20142BAB217008)
针对射频识别技术(RFID)迅猛发展的需求,采用0.35μm CMOS工艺设计并制造了一种集成加速度传感器。加速度传感器单元利用基于深反应离子干法刻蚀的体硅正面加工工艺,在经过标准IC工艺之后进行两步干法刻蚀,工艺简单。集成接口电路采用...
关键词：加速度传感器 射频识别标签 互补金属氧化物半导体工艺 接口电路 
RF LDMOS器件与高效率功率放大器设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第1期46-49,共4页郑云飞 王一哲 张小苗 罗玲 曾大杰 宋贺伦 
为满足人们高速通信的需求，多载波、宽带已经成为新的发展方向，这对功率器件和放大器需要提出新的要求。文中基于改进后CMOS工艺模块。针对GSM基站频段，通过对RFLDMOS版图的优化，制备了实际的RFILDMOs芯片。使用负载牵引系统测出器...
关键词：功率器件 漏极效率 互补金属氧化物半导体工艺 功率放大器 负载牵引系统 
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