耿莉

作品数：24被引量：42H指数：3
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供职机构：西安交通大学更多>>
发文主题：卷积神经网络可重构处理器动态可重构全集成卷积核更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>
发文期刊：《微电子学》《西安电子科技大学学报》《新型工业化》《电子科技大学学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国航空科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
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基于8电平Ladder开关电容结构的双电感混合变换器设计
《微电子学与计算机》2025年第3期84-91,共8页段孟齐 郭卓奇 吕德轩 薛仲明 熊宇豪 刘熙浩 曹文兴 耿莉 
国家自然科学基金(U23A20367)。
随着数据中心和电动汽车的快速发展,市场对于48 V-1 V单级变换器的需求显著增长。针对48 V-1 V电压变换的单级实现,提出了一种将Ladder开关电容结构与双电感结合的混合变换器,将48 V-1 V变换等效降低为12 V-1 V变换,同时分析总结了开关...
关键词：48 V-1 V单级变换 开关电容 两相电感 混合变换器 
用于PON的低成本CMOS BM-TIA设计
《光通信研究》2025年第1期52-58,共7页赵婉青 夏翼飞 李佳 徐颂秦 马帅哲 杨睿煊 耿莉 李丹 
国家重点研发计划资助项目(2022YFB2803301);国家自然科学基金面上资助项目(62074126)。
【目的】在高速率无源光网络(PON)需求的快速增长下,低成本低噪声突发模式跨阻放大器(BM-TIA)成为其关键的制约因素。文章基于低成本40 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种适用于10吉比特对称无源光网络(XGS-PON)的快速建立...
关键词：互补金属氧化物半导体工艺 10吉比特对称无源光网络 突发模式跨阻放大器 多速率兼容 快速建立 
面向神经形态感知的人工脉冲神经元的研究进展
《微电子学》2024年第1期1-16,共16页方胜利 任文君 赵淑景 王瑞麟 刘卫华 李昕 张国和 王小力 耿莉 韩传余 
国家自然科学基金资助(62174130);陕西省重点研发计划(2023-YBSF-407,2022GY-337,2021GY-175)。
近年来,随着人工智能技术和脉冲神经网络(SNN)的迅猛发展,人工脉冲神经元的研究逐渐兴起。人工脉冲神经元的研究对于开发具有人类智能水平的机器人、实现自主学习和自适应控制等领域具有重要的应用前景。传统的电子器件由于缺乏神经元...
关键词：人工脉冲神经元 神经形态感知 莫特忆阻器 脉冲神经网络 
用于高侧开关的短路限流及保护电路被引量：2
《微电子学》2022年第4期700-705,共6页李豪 熊平 杨世红 王晓婧 耿莉 李丹 
提出了一种用于高侧开关的短路限流及保护电路。电路采用二级保护的方式,当短路检测电压不为零且低于参考电压时,限制栅源电压,对电路限流;当短路检测电压高于参考电压时,则延时一段时间后关断功率管。芯片采用0.18μm 100 V BCD工艺流...
关键词：短路限流 短路保护 短路延时 工作电压范围 
Si-MOS结构制备及固定电荷/可动电荷密度测量
《实验室研究与探索》2022年第7期39-43,共5页王旭辉 程军 杨明超 张莉丽 雷冰洁 耿莉 
陕西省一流本科课程项目(编号052)。
研究并制备了一种半导体Si-MOS器件结构,用于Si-SiO_(2)氧化层质量表征和界面测定。实验的测试样品经过切片封装后,可在普通探针台或测试夹具中进行测试,避免了原实验中汞探针的使用,降低了成本的同时避免了汞污染的安全问题;对制作样...
关键词：Si-MOS结构 C-V测试 固定电荷/可动电荷 
一种1200V碳化硅沟槽MOSFET的新结构设计被引量：3
《微电子学与计算机》2022年第7期94-100,共7页高明阳 顾钊源 杨明超 谭在超 韩传余 刘卫华 耿莉 郝跃 
国家自然科学基金项目(61771384)。
为了实现能源的高效利用,通过减小器件的导通电阻和栅漏电容来降低MOSFET的功耗一直是功率电子学的研究热点,但二者存在折衷关系.碳化硅的材料优势使碳化硅MOSFET更适合高频应用,在不过多增大导通电阻的情况下,减小栅漏电容以降低器件...
关键词：碳化硅 TSN结构 特征导通电阻 特征栅漏电容 
“新工科”理念下微电子实践教学改革探索被引量：4
《电气电子教学学报》2022年第2期158-162,共5页伍民顺 耿莉 程军 雷冰洁 贺永宁 
教育部产学合作协同育人项目(21CJZD09);陕西省研究生教育综合改革研究与实践项目。
本文针对我校微电子专业实践教学存在的问题,结合“新工科”创新理念要求,从实践教学体系、管理模式、考核评价制度,以及校企合作等方面提出了相应的改革措施,通过建立校企合作协同育人机制,促进产学研深度融合,构建基于学习产出的教学...
关键词：新工科 微电子专业 实践教学改革 
复合漏电模型建立及阶梯场板GaN肖特基势垒二极管设计被引量：1
《物理学报》2022年第5期274-282,共9页刘成 李明 文章 顾钊源 杨明超 刘卫华 韩传余 张勇 耿莉 郝跃 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2017YFB0404102)资助的课题。
准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)因其低成本和高电流传输能力而备受关注.但其主要问题在于无法很好地估计器件的反向特性,从而影响二极管的设计.本文考虑了GaN材料的缺陷以及多种漏电机制,建立了复合漏电模型,对准垂直Ga N SBD的特性进...
关键词：GaN肖特基二极管 漏电流 击穿电压 阶梯型场板 
便携式设备电源管理研究现状与进展被引量：4
《微电子学与计算机》2022年第1期7-16,共10页郭卓奇 耿莉 
国家自然科学基金项目(61771384);西安市重点科技创新平台项目(20KYPT0001-11-1);陕西省重点产业链基金(2019GXYD11.5)。
分析、总结了以低压差线性稳压器和开关电源为基础模块的便携式设备用电源管理芯片的发展现状.围绕高效率、高功率密度、快速瞬态特性以及高电源抑制等需求,从环路控制、电源抑制比增强、动态提升模块以及全集成等角度分析了便携式设备...
关键词：电源管理 低压差线性稳压器 开关电源 高效率 混合架构 
一种基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的Ka波段宽带有源移相器被引量：3
《微电子学》2020年第5期615-620,共6页袁刚 郭宽田 周小川 叶力群 范超 田泽 耿莉 桂小琰 
广东省基础与应用基础研究基金资助项目(2020A1515010001);航空科学基金资助项目(20184370006)。
采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作在32~38 GHz的Ka波段有源移相器,采用矢量合成的方法实现移相功能。该移相器电路包括输入无源巴伦、多相滤波网络、矢量合成单元、射随器和输出有源巴伦。后仿结果表明,输入输出反射系数均小...
关键词：有源移相器 矢量合成 多相滤波网络 BICMOS工艺 宽温 
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