C-V测试

作品数：16被引量：16H指数：3
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基于指令生成约束的RISC-V测试序列生成方法
《电子与信息学报》2023年第9期3141-3149,共9页刘鹏 胡文超 刘德启 韩晓霞 刘扬帆 
为了避免处理器受到指令缺陷的威胁,该文提出基于指令生成约束的RISC-V测试序列生成方法,构建测试指令序列生成框架,实现测试指令生成及指令缺陷检测,解决现有测试指令序列生成方法约束定义困难和收敛速度慢的问题。在该方法中,首先,根...
关键词：处理器 RISC-V 指令缺陷检测 约束指令生成 
Si-MOS结构制备及固定电荷/可动电荷密度测量
《实验室研究与探索》2022年第7期39-43,共5页王旭辉 程军 杨明超 张莉丽 雷冰洁 耿莉 
陕西省一流本科课程项目(编号052)。
研究并制备了一种半导体Si-MOS器件结构,用于Si-SiO_(2)氧化层质量表征和界面测定。实验的测试样品经过切片封装后,可在普通探针台或测试夹具中进行测试,避免了原实验中汞探针的使用,降低了成本的同时避免了汞污染的安全问题;对制作样...
关键词：Si-MOS结构 C-V测试 固定电荷/可动电荷 
用于水下金属探测成像的压电式微机械超声波换能器被引量：1
《中国测试》2019年第9期84-88,共5页杨晋玲 
国家自然科学基金项目(61525108)
为满足目前对水下金属、蛙人等检测的应用需要,设计一种用于水下金属探测成像的压电式微机械超声换能器。在该结构中,在顶部电极和下电级之间插入AlN层,用于发射和接收超声。当测试距离达到10 m以上就可以满足实际应用需求,而该换能器...
关键词：PMUT C-V测试 超声成像 远距离 
氧化后退火技术对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响被引量：3
《半导体技术》2018年第1期48-52,共5页杨涛涛 韩军 林文魁 曾春红 张璇 孙玉华 张宝顺 鞠涛 
国家自然科学基金资助项目(61204011,11204009,61574011);江苏省科技计划项目(BE2014066);北京市自然科学基金资助项目(4142005);北京市教委能力提升项目(PXM2017-014204-500034);中国科学院科研装备研制项目(YZ201549)
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响。在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N...
关键词：4H-SIC MOS电容 C-V测试 界面态密度 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 
微波退火对高k/金属栅中缺陷的修复被引量：1
《半导体技术》2014年第6期428-433,共6页陈玫瑰 许鹏 潘建峰 吴东平 
国家自然科学基金资助项目(61176090)
研究了微波退火(MWA)对高k/金属栅中缺陷的修复作用。在频率为1和100 kHz下,对所有Mo/HfO2/Si(100)金属-绝缘体-半导体(MIS)结构样品进行C-V特性测试。通过在频率为100 kHz下测量的C-V特性曲线提取出平带电压与电压滞回窗口,从而估算出...
关键词：高k/金属栅 微波退火 缺陷修复 C-V测试 MoHfO2Si 
6H-SiC氧化层中Na离子的C-V测试研究被引量：2
《微电子学》2010年第5期762-764,共3页牟维兵 龚敏 曹群 
半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的C-V曲线平带电压漂移。在1 200℃下热氧化,生成SiC/SiO2界面,进而制作MOS电容。采用高电压偏置,在高温度条件下作用于MOS电容;利用Keithley590C-V分析仪,测量其C-V曲线。计算出...
关键词：6H-SIC Na离子 MOS电容 C-V测试 
准静态C-V法测量硅表面态密度分布及数据处理被引量：3
《半导体技术》2007年第7期577-580,共4页钱敏 刘蓓 辛煜 
表面态问题的研究是半导体材料、器件以及集成电路工艺等研究中的一个重要议题,对表面态在禁带中的分布规律进行了研究。采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法在p型硅衬底上沉积了低介电常数绝缘介质的MOS结构;对该...
关键词：C-V测试 表面态分布 数据处理 数值积分 
电容—电压测试在TiO_2压敏材料晶界势垒研究中的应用被引量：1
《枣庄学院学报》2007年第2期11-13,共3页张永强 苏文斌 程杰 
通过电容—电压(C-V)测试,测量得到了TiO2WO3压敏电阻的晶界势垒高度以及施主浓度等参数,测试结果显示99.75mol%TiO2+0.25 mol%WO3的样品势垒高度为0.51 eV,施主浓度Nd为1.62×1025/m3.类比ZnO压敏材料,本文认为晶界处吸附的O-、O2-...
关键词：C-V测试 压敏 晶界势垒 
Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应
《Journal of Semiconductors》2003年第11期1180-1184,共5页于振瑞 杜金会 张加友 李长安 Aceves M 
国家自然科学基金(批准号 :5 0 172 0 61);墨西哥Conacyt资助项目~~
利用 Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅 (SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究 .用L PCVD法在 n型 Si衬底上沉积 SRO材料 ,通过 C- V测量研究其电荷俘获性质 .发现对于 n型 Si衬底 ,在横向电压作用下 ,SRO层能够俘获正电...
关键词：富硅氧化硅 电荷俘获效应 C-V测试 诱导pn结 
外延层电阻率四探针与C－V测试的差异及校正
《集成电路通讯》2001年第3期37-39,共3页梁卿才 陈建国 
采用四探针与C－V两种测试仪器，对同一参数的外延片电阻率进行测试，测试结果表明，用四探测针试外延陪片和C－V测试处延片，测得的外延电阻率存在差异。分析造成差异的原因，得出了符合要求的校正系数。
关键词：外延层 电阻率 C-V测试 四探针 测试仪器 
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