外延层电阻率四探针与C－V测试的差异及校正  

作　　者：梁卿才 陈建国 

机构地区：[1]中国兵器工业第214研究所，蚌埠233042

出　　处：《集成电路通讯》2001年第3期37-39,共3页

摘　　要：采用四探针与C－V两种测试仪器，对同一参数的外延片电阻率进行测试，测试结果表明，用四探测针试外延陪片和C－V测试处延片，测得的外延电阻率存在差异。分析造成差异的原因，得出了符合要求的校正系数。

关 键 词：外延层 电阻率 C-V测试 四探针 测试仪器 

分 类 号：TM93[电气工程—电力电子与电力传动]