外延层

作品数：288被引量：249H指数：6
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韩国电子通信研究院开发出3kV级氧化外延层和器件技术
《变频器世界》2024年第7期44-45,共2页
在韩国文化体育观光部的支持下,韩国政府资助的非营利性电子通信研究院(ETRI)与韩国陶瓷工程技术研究所(KICET)合作,开发出了氧化镓(Ga_(2)O_(3))功率半导体的核心材料和器件工艺技术,即韩国开发的首款3kV级氧化功率半导体金属氧化物半...
关键词：功率半导体 电子通信 器件工艺 外延层 器件技术 氧化镓 工程技术研究所 核心材料 
硅外延生长反应腔内外延反应过程的数值仿真建模及实验研究
《机械工程学报》2024年第5期209-218,共10页邓世伟 沈文杰 陈宇宏 白天 梅德庆 汪延成 
国家自然科学基金(52175522);浙江省重点研发计划(2020C01034,2022C01041)资助项目。
硅外延片是大规模集成电路、半导体器件等的基础功能材料,是通过外延反应在单晶硅片上生长均匀的外延薄层。外延层的厚度和电阻率的均匀性控制是硅外延生长的关键技术难题,其生长质量受反应腔室的结构与热流场设计影响较大。基于单片式...
关键词：硅外延层 外延生长 化学气相沉积 热流场 反应腔室 
FD-SOI器件中PMOS源漏区外延层形貌改善研究
《集成电路应用》2024年第2期60-62,共3页方精训 吕健 
阐述FD-SOI器件中SiGe-RSD形貌不规则是导致Si Cap层被金属扎穿的原因。针对这一问题,对SiGe-RSD的制备工艺进行逐层(L1/L2/L3)优化,最终制备出形貌规则、表面平整的样品。随后的接触通孔工艺环节Si Cap层未被扎穿,形成良好的合金,器件P...
关键词：集成电路制造 FD-SOI 外延 凸起源漏结构 
具有多MO喷嘴垂直MOCVD反应腔外延层厚度均匀性的优化理论及应用
《物理学报》2024年第4期245-255,共11页李建军 崔屿峥 付聪乐 秦晓伟 李雨畅 邓军 
国家重点研发计划(批准号:2018YFA0209003);北京市自然科学基金(批准号:4222060)资助的课题.
金属有机物化学气相淀积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)作为异质结半导体材料外延的关键手段,其外延层厚度均匀性会直接影响产品的良率.本文将理论与实验相结合,针对3个MO源喷嘴的垂直反应腔MOCVD,将各MO源喷嘴等效...
关键词：外延生长 最小二乘拟合 薄膜均匀性 金属有机物化学气相沉积 
三结砷化镓太阳能电池外延层表面抛光技术研究
《天津科技》2024年第2期33-36,共4页李穆朗 
以空间用三结砷化镓(GaAs)电池外延表面抛光为研究对象,对抛光压力、抛光转速、抛光液pH等参数进行试验研究。研究结果表明:选用抛光压力40 g/cm^(3),采用55 r/min的转速,有效氯含量为5%的抛光液,对三结砷化镓太阳能电池外延表面有良好...
关键词：三结砷化镓 外延层表面 化学机械抛光 抛光压力 抛光转速 有效氯含量 
非极性a面n-AlGaN外延层的生长与表征被引量：1
《半导体光电》2022年第3期461-465,共5页房瑞庭 陈帅 张雄 崔一平 
国家重点研发计划重点项目(2018YFE0201000);江苏省科技计划专项资金项目(BE2021008-4);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2242022K30047,2242022K30048)。
采用金属有机化学气相沉积技术,在半极性蓝宝石衬底上成功生长了具有高电子浓度和良好表面形貌的Si掺杂的非极性a面n-AlGaN外延层。深入研究了铟(In)表面活性剂和无掺杂的AlGaN缓冲层对n-AlGaN的结构特征和电学性能的影响。表征结果表明...
关键词：非极性a面n-AlGaN 表面活性剂 AlGaN缓冲层 电学性能 
ScAlN缓冲层厚度对Si(100)衬底上GaN外延层的影响
《半导体光电》2022年第3期517-521,共5页尹浩田 丁广玉 韩军 邢艳辉 邓旭光 
国家自然科学基金项目(61574011);北京市自然科学基金项目(4182015,4182014)。
采用脉冲直流磁控溅射方法在Si(100)衬底上制备了ScAlN薄膜。以溅射的ScAlN作为缓冲层,在Si(100)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术外延了GaN薄膜。使用高分辨X射线衍射、原子力显微镜和拉曼光谱研究了ScAlN缓冲层的厚度对ScAlN...
关键词：Si(100)衬底 氮化镓 ScAlN 磁控溅射 
具有不同Al组分的非极性a面p型AlGaN外延层的生长及特性研究
《安庆师范大学学报（自然科学版）》2021年第3期1-7,共7页张雄 范艾杰 崔一平 
国家自然科学基金重点项目(2018YFE0201000);国家自然科学基金面上项目(62005026,61804027);江苏省自然科学基金面上项目(BK20191027,BK20180359)。
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在半极性r面蓝宝石衬底上成功生长了具有不同Al组分的非极性a面Mg-δ掺杂的p-AlGaN外延层。通过使用高分辨率X射线衍射仪、原子力显微镜和霍尔效应测试仪等表征方法,系统研究了Al组分从0到41%的...
关键词：脉冲流量供给 非极性a面p-AlGaN 镁掺杂 表面形态 电阻率 空穴浓度 
一种900V大功率MOSFET器件结构设计被引量：1
《微处理机》2021年第3期18-22,共5页刘好龙 于圣武 
鉴于高压功率MOSFET器件在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点,为进一步挖掘其在武器装备体系中的关键性作用、更好地发挥其为电子及电机设备提供驱动的功能,设计并实现一款900V大功率MOSFET器件。以VDMOS器件为例分析其基本结...
关键词：高压MOSFET器件 VDMOS结构 外延层 TCAD仿真 
重掺衬底/轻掺硅外延层制备工艺研究被引量：1
《天津科技》2021年第2期28-31,35,共5页刘云 李明达 
轻掺硅外延层/重掺衬底的过渡层结构、厚度均匀性、电阻率均匀性等关键参数与所制器件的性能密切相关。通常基于重掺衬底的轻掺硅外延层,电阻率比厚度数值至少会低一个数量级,可以有足够的反应时间攀升到稳定轻掺态。但在光电探测应用领...
关键词：硅外延 轻掺 均匀性 过渡层 
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