云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- FD-SOI

FD-SOI: 作品数：44被引量：21H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：曾传滨高林春罗家俊李晓静韩郑生更多>>; 相关机构：上海功成半导体科技有限公司中国科学院中国科学院大学中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：《中国科学：信息科学》《新电脑》《今日电子》《电子产品世界》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家部委预研基金更多>>

FD-SOI器件中PMOS源漏区外延层形貌改善研究: 《集成电路应用》2024年第2期60-62,共3页方精训吕健; 阐述FD-SOI器件中SiGe-RSD形貌不规则是导致Si Cap层被金属扎穿的原因。针对这一问题,对SiGe-RSD的制备工艺进行逐层(L1/L2/L3)优化,最终制备出形貌规则、表面平整的样品。随后的接触通孔工艺环节Si Cap层未被扎穿,形成良好的合金,器件P...; 关键词：集成电路制造 FD-SOI 外延凸起源漏结构

28nm超薄体FD-SOI高温输出电流特性研究被引量：4: 《微电子学与计算机》2021年第12期75-79,共5页张颢译曾传滨李晓静闫薇薇倪涛高林春罗家俊赵发展韩郑生; 针对高温引起MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件饱和输出电流值发生退化的问题,开展了对SOI(绝缘体上硅)工艺器件的高温特性分析.结果表明FDSOI的饱和输出电流随温度变化值ΔI/I=1.9%,远小于PDSOI的ΔI/I=24.1%.其原因是超薄体...; 关键词：高温器件超薄体FDSOI 输出电流载流子迁移率

28 nm超薄体FD-SOI高温特性研究被引量：2: 《微电子学》2021年第4期577-581,共5页张颢译曾传滨李晓静高林春罗家俊韩郑生; 国家自然基金青年基金项目(61804168)。; 研究了低阈值电压(LVT)结构的28 nm超薄体全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)MOSFET的高温下特性。在300℃下对器件进行测试,将FD-SOI与部分耗尽(PD)SOI进行参数对比。结合理论分析,证明了高温下超薄体FD-SOI具有比PD-SOI更低的阈值电压漂移率和...; 关键词：高温器件阈值电压亚阈值摆幅超薄体FD-SOI

Device physics and design of FD-SOI JLFET with step-gate-oxide structure to suppress GIDL effect: 《Chinese Physics B》2021年第4期497-501,共5页Bin Wang Xin-Long Shi Yun-Feng Zhang Yi Chen Hui-Yong Hu Li-Ming Wang; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61704130);the Fund from the Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory,China(Grant No.JCKY2019210C029)。; A novel n-type junctionless field-effect transistor(JLFET) with a step-gate-oxide(SGO) structure is proposed to suppress the gate-induced drain leakage(GIDL) effect and off-state current I_(off).Introducing a 6-nm-thi...; 关键词：junctionless field-effect transistor(FET) gate-induced drain leakage(GIDL) step-gate-oxide offstate current

基于绝缘层上硅衬底的新型半导体光电探测器件研究: 《微纳电子与智能制造》2021年第1期57-62,共6页刘坚万景; 回顾了近年来课题组基于绝缘层上硅衬底(silicon-on-insulator,SOI)实现的一系列新型半导体器件成果。基于正反馈工作机制的零亚阈摆幅器件Z2-FET具有快速开关和栅控回滞特性,可用于高性能存储、静电保护和高灵敏度光电探测等领域。界...; 关键词：SOI Z2-FET ICPD 光电探测 PISD FD-SOI 图像传感器

22nm FD-SOI 静态随机存储器的可靠性研究: 《微电子学》2021年第1期137-141,共5页贺泽蔡畅赵凯赵培雄李东青刘天奇刘杰; 国家自然科学基金资助项目(11690041)。; 针对22 nm FD-SOI CMOS工艺静态随机存储器(SRAM),研究了工艺角、工作电压、测试温度、总剂量效应对器件性能的影响。通过自动测试设备(ATE),有效地提取了FD-SOI存储器在多种测试环境下的电学性能参数。测试结果表明,不同的工艺角对输...; 关键词：全耗尽绝缘体上硅静态随机存储器可靠性

采用FD-SOI技术的嵌入式相变存储器满足汽车级严苛要求: 《中国电子商情》2019年第12期33-35,共3页Fabio DISEGNI; 汽车微控制器正在挑战嵌入式非易失性存储器(e-NVM)的极限,主要体现在存储单元面积、访问时间和耐热性能三个方面。在许多细分市场(例如:网关、车身控制器和电池管理单元)上,随着应用复杂程度提高,存储单元面积成为决定性挑战;在汽车动...; 关键词：非易失性存储器存储单元相变存储器工作温度范围车身控制器微控制器制动系统网关

FD-SOI:为5G和AIoT保驾护航——第七届上海FD-SOI论坛在上海召开: 《中国集成电路》2019年第10期14-17,共4页黄友庚; FD-SOI作为一种特殊的半导体制造工艺,其独特的技术优势在于:第一、能够大大减小寄生电容,提高运行速度,与硅材料相比,SOI器件的频率提高了20%~35%;第二、降低了漏电,具有更低的功耗;第三、消除了闩锁效应;第四、抑制了衬底的脉冲电流干...; 关键词：上海半导体制造工艺论坛护航 5G SOI器件寄生电容运行速度

FD-SOI的低功耗，究竟有什么用？: 《中国集成电路》2019年第10期18-22,59,共6页黄烨锋; 前年的ISSCC 2017大会上,意法半导体做过一个题为“针对智能嵌入式系统、采用28nm FD-SOI工艺的2.9TOPS/W深度卷积神经网络SoC”(A 2.9 TOPS/W Deep Convolutional Neural Network SoC in FD-SOI 28nm for Intelligent Embedded Systems...; 关键词：深度卷积神经网络低功耗 ISSCC 嵌入式系统意法半导体 SOI工艺 SoC 网络拓扑

一亿颗出货量之后，FD-SOI还要翻越哪些山丘？: 《中国集成电路》2019年第10期23-26,共4页王树一; 2000年前后,胡正明教授公布FinFET(鳍式晶体管)与FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator,全耗尽型绝缘体上硅)技术,为25纳米及以下半导体工艺发展指明方向。台积电和英特尔都选择了FinFET工艺,这使其成为逻辑工艺的主流方向.; 关键词：出货量 FINFET 半导体工艺山丘绝缘体上硅晶体管耗尽型英特尔

FD-SOI