FD-SOI:为5G和AIoT保驾护航——第七届上海FD-SOI论坛在上海召开  

作　　者：黄友庚 

机构地区：[1]不详

出　　处：《中国集成电路》2019年第10期14-17,共4页China lntegrated Circuit

摘　　要：FD-SOI作为一种特殊的半导体制造工艺,其独特的技术优势在于:第一、能够大大减小寄生电容,提高运行速度,与硅材料相比,SOI器件的频率提高了20%~35%;第二、降低了漏电,具有更低的功耗;第三、消除了闩锁效应;第四、抑制了衬底的脉冲电流干扰,减少了软错误的发生;第五、与现有硅工艺兼容,可减少13%~ 20%的工序等。

关 键 词：上海 半导体制造工艺 论坛 护航 5G SOI器件 寄生电容 运行速度 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]