云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- SOI器件

SOI器件: 作品数：55被引量：59H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：黄如韩郑生张兴罗家俊安霞更多>>; 相关机构：北京大学中国科学院微电子研究所西安电子科技大学中国科学院更多>>; 相关期刊：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《太赫兹科学与电子信息学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项国家教育部博士点基金更多>>

基于BSIM-BULK的体接触SOI器件的射频建模: 《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2024年第5期13-19,共7页庄宇周文勇陈展飞刘军; 提出了一种适用于体接触SOI器件的建模方法。在BSIM-BULK模型的基础上,模型新增一个SOI器件所需的体端口,对体-衬底的结构进行表征,通过外围寄生电路模型来表征SOI的射频寄生效应。提出了明确的参数提取方法。通过调节外围寄生元件参数...; 关键词：BSIM-BULK 体接触射频模型外围寄生

偏置电压和温度对22 nm FDSOI器件单粒子瞬态的影响研究: 《集成电路与嵌入式系统》2024年第7期30-36,共7页黄潇枫李臣明王海滨孙永姝王亮郭刚汪学明; 国防科工局抗辐照应用技术创新基金重点项目(KFZC2020010401)。; 针对22 nm FDSOI工艺在辐射环境下的单粒子瞬态问题,基于Sentaurus TCAD仿真工具对22 nm FDSOI NMOS进行建模,仿真研究了22 nm FDSOI NMOS的单粒子瞬态敏感区域,以及不同偏置电压和工作温度对单粒子瞬态的影响机理。仿真结果表明,22 nm ...; 关键词：22 nm FDSOI 单粒子瞬态亚阈值 TCAD

150 nm FDSOI器件的背栅NBTI效应研究: 《固体电子学研究与进展》2023年第6期552-556,共5页赵杨婧禹胜林赵晓松洪根深顾祥; 负偏置温度不稳定(NBTI)是器件的主要可靠性问题之一,本文通过对150 nm工艺的FDSOI器件进行加速应力试验,分析了不同栅极偏置应力、温度应力下器件阈值电压和饱和电流的退化特性,发现背栅偏置更容易导致NBTI退化,同时研究了正背栅耦合...; 关键词：负偏置温度不稳定性(NBTI) 全耗尽型绝缘体上硅背栅偏置正背栅应力耦合

SOI器件的kink效应研究: 《固体电子学研究与进展》2022年第3期225-229,共5页王青松彭宏伟黄天杨正东朱少立徐大为; 研究了SOI器件中的kink效应,主要包括不同器件类型、不同体接触结构、沟道长度以及栅氧厚度对kink效应的影响。研究发现NMOS器件由于能够产生较多的电子空穴对,在输出特性曲线中呈现明显的kink效应,而PMOS器件由于空穴的电离率较低,碰...; 关键词：SOI器件 KINK效应 I-V特性

超薄Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)铁电薄膜制备及在ETSOI器件应用研究被引量：1: 《稀有金属》2022年第4期480-487,共8页李昱东张兆浩闫江唐波张青竹罗军; 国家自然科学基金项目(61904194,61874135,91964202);国家科技重大专项项目(2017ZX02315001-1);中国科学院集成电路创新研究院基金项目(Y9YC04X02);中国科学院青年创新促进基金项目(Y9YQ01R004);中国科学院微电子与器件与集成重点实验室开放课题项目(Y9YS05X002)资助。; 基于超薄铁电薄膜材料的场效应晶体管(field effect transistor,FET)是集成电路在5 nm及以下技术节点实现低功耗和高性能的技术方案之一。然而,由于铁电薄膜存在“死层”(dead layer)效应,造成超薄铁电薄膜保持足够铁电性以应用于先进...; 关键词：Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2) 原子层沉积铁电超薄绝缘体上硅(ETSOI) 负电容低功耗

瞬时剂量率效应激光模拟测试技术被引量：2: 《太赫兹科学与电子信息学报》2020年第6期1157-1161,共5页倪涛杜川华曾传滨高林春王娟娟高见头赵发展罗家俊; 瞬时剂量率辐射效应模拟测试存在着试验资源有限、环境电磁干扰强、重复性不高等不利因素。本文开发了瞬时剂量率效应脉冲激光模拟测试技术,以1064 nm激光构建完整精细的剂量率效应地面模拟测试系统。利用此系统开展了不同工艺节点、不...; 关键词：剂量率效应激光模拟体硅器件 SOI器件

薄硅膜SOI器件辐射效应研究被引量：1: 《微处理机》2020年第6期1-4,共4页贺琪顾祥纪旭明李金航赵晓松; 为适应SOI技术的发展,探索相关材料参数受辐射影响程度及器件的抗辐射性能,研究了不同硅膜厚度SOI器件的总剂量辐射效应。采用^60Co作为辐射源,所选器件的辐射性能通过晶体管前栅和背栅的阈值电压漂移量进行表征。实验结果显示,所选的...; 关键词：辐射硅膜 FD SOI器件阈值电压静态电流

一种基于SOI器件的高温DC/DC电源的设计: 《电子技术与软件工程》2020年第16期81-82,共2页刘林丁瀚; 本文介绍了一种基于SOI器件的高温DC/DC电源的设计。本文重点讨论了电路拓扑结构的设计、高温元器件研究、结构设计和高温工艺设计等。; 关键词：电路方案磁隔离反馈 DC/DC电源 SOI器件

全耗尽SOI器件源/漏区抬升结构的形成（英文）被引量：1: 《微纳电子技术》2019年第12期970-977,共8页田明宋洋雷海波; Shanghai Huali Integrated Circuit Corporation within the project of FDSOI program; 介绍了在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)结构上,通过在SOI表面外延生长形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)源/漏区抬升结构的方法。研究了不同的工艺参数对外延生长的影响,从而在合适的掺杂浓度下得到均匀的外延生长形貌。提出了两种...; 关键词：全耗尽绝缘体上硅(FDSOI) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 源/漏区抬升结构外延生长绝缘体上硅(SOI)损耗

FD-SOI:为5G和AIoT保驾护航——第七届上海FD-SOI论坛在上海召开: 《中国集成电路》2019年第10期14-17,共4页黄友庚; FD-SOI作为一种特殊的半导体制造工艺,其独特的技术优势在于:第一、能够大大减小寄生电容,提高运行速度,与硅材料相比,SOI器件的频率提高了20%~35%;第二、降低了漏电,具有更低的功耗;第三、消除了闩锁效应;第四、抑制了衬底的脉冲电流干...; 关键词：上海半导体制造工艺论坛护航 5G SOI器件寄生电容运行速度

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