顾祥

作品数：10被引量：8H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文主题：抗辐射SOI器件SOI工艺抗ESD接触孔更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《原子能科学技术》《电子与封装》《微处理机》《固体电子学研究与进展》更多>>
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高压MOS器件SPICE建模研究
《微处理机》2025年第2期9-13,共5页顾祥 彭宏伟 纪旭明 李金航 
针对BSIM3v3模型在高压集成电路中高压MOS器件建模上的局限性,通过深入分析栅源电压和衬源电压对源漏电阻的影响,以及电流准饱和效应、碰撞电离电流、高压寄生管和自热效应等关键因素,提出一种基于BSIM3v3的高压MOS模型改进方法。该方...
关键词：高压MOS SPICE模型 参数提取 
基于0.15μm SOI工艺的耐高温短沟器件设计与实现
《固体电子学研究与进展》2024年第3期258-263,共6页顾祥 张庆东 纪旭明 李金航 常瑞恒 
国家重点研发计划资助项目(2021YFB3202700)。
绝缘体上硅(Silicon on insulator,SOI)技术在200~400℃高温器件和集成电路方面有着广泛的应用前景,但对于沟道长度≤0.18μm的短沟道器件在200℃以上的高温下阈值电压漂移量达40%以上,漏电流达μA级,无法满足电路设计要求。本文研究了...
关键词：绝缘体上硅 阈值电压 漏电流 短沟道 栅诱导漏极泄漏电流 
BCD工艺中大电流下纵向双极晶体管的电流集边效应研究被引量：1
《电子与封装》2024年第3期87-91,共5页彭洪 王蕾 谢儒彬 顾祥 李燕妃 洪根深 
在大电流条件下,随着电流密度的增加,发射区结电流集边效应、基区电导调制效应、基区展宽效应会随之出现。基于研究单位的BCD工艺,在集成CMOS和DMOS的基础上集成功率纵向NPN双极晶体管用于输出。设计了75μm×4μm、50μm×6μm、30μm...
关键词：双极晶体管 功率 发射区结电流集边效应 大电流 
基于高温抗辐照SOI CMOS工艺的器件特性研究被引量：1
《原子能科学技术》2021年第12期2151-2156,共6页张庆东 吴建伟 李金航 宋帅 纪旭明 顾祥 洪根深 李冰 
绝缘体上硅(SOI)技术因其独特的优势而广泛应用于辐射和高温环境中,研究不同顶层硅膜厚度(t_(Si))的器件特性,对进一步提升高温抗辐照SOI CMOS器件的性能至关重要。本工作首先通过工艺级仿真构建了N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NM...
关键词：SOI NMOSFET 高温 辐射加固 顶层硅厚度 
薄硅膜SOI器件辐射效应研究被引量：1
《微处理机》2020年第6期1-4,共4页贺琪 顾祥 纪旭明 李金航 赵晓松 
为适应SOI技术的发展,探索相关材料参数受辐射影响程度及器件的抗辐射性能,研究了不同硅膜厚度SOI器件的总剂量辐射效应。采用^60Co作为辐射源,所选器件的辐射性能通过晶体管前栅和背栅的阈值电压漂移量进行表征。实验结果显示,所选的...
关键词：辐射 硅膜 FD SOI器件 阈值电压 静态电流 
短沟MOS器件GIDL漏电的改善
《电子与封装》2018年第6期38-41,共4页顾祥 陈天 洪根深 赵文彬 
随着MOSFET栅氧厚度的逐渐减薄,栅致漏极泄漏(GIDL)电流呈指数级增加,当工艺进入超深亚微米节点,器件的栅氧厚度不足2 nm,短沟器件的GIDL效应非常强烈。研究了相关工艺对器件GIDL效应的影响,发现了GIDL的主要泄漏机制。通过模拟仿真和...
关键词：栅氧 栅致漏极泄漏 HALO LDD RTA 
一种基于总剂量效应的SOI器件模型快速提取方法
《电子与封装》2015年第5期36-40,共5页李艳艳 顾祥 潘滨 朱少立 吴建伟 
从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先,提取0 krad(Si)时器件的模型参数,然后针对总剂量敏感参数,对100 krad(Si)总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化,并对得到的模型参数进行验证。结...
关键词：SOI器件 SPICE模型参数 总剂量效应 
总剂量加固对SOINMOS器件抗辐射特性的影响被引量：4
《电子与封装》2014年第12期33-36,共4页陈海波 吴建伟 李艳艳 谢儒彬 朱少立 顾祥 
采用埋层改性工艺对部分耗尽SOI NMOS器件进行总剂量加固,通过测试器件在辐射前后的电学性能研究加固对SOI NMOS器件抗辐射特性的影响。加固在埋氧层中引入电子陷阱,辐射前在正负背栅压扫描时,电子陷阱可以释放和俘获电子,导致背栅阈值...
关键词：离子注入 SOI NMOSFET 总剂量辐射 
抗辐射SOI器件栅氧可靠性研究被引量：1
《电子与封装》2014年第7期40-43,共4页吴建伟 谢儒彬 顾祥 刘国柱 
对抗辐射SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了体硅器件、SOI器件、抗总剂量加固SOI器件的栅氧可靠性,发现SOI材料片的制备与抗总剂量加固过程中的离子注入工艺都会对顶层硅膜造成影响,进而影响栅氧可靠性。最后通过恒压应力法表征栅氧介...
关键词：SOI 抗总剂量辐射加固 栅氧 可靠性 TDDB 
一种温度不敏感占空比可调的振荡器
《电子与封装》2014年第6期15-17,44,共4页顾祥 顾吉 许天辉 吴建伟 
介绍了一种单比较器型锯齿波及CLK方波震荡器电路,它通过基准电压源对RT/CT充放电产生一定占空比的锯齿波及CLK方波信号。该电路所产生的方波及锯齿波频率的温度和电压稳定性好,波形的占空比可根据需求进行trimming调节。同时介绍了电...
关键词：锯齿波 振荡器 占空比 
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