云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- TDDB

TDDB: 作品数：45被引量：33H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：黄云恩云飞刘国柱陈义强陆裕东更多>>; 相关机构：信息产业部电子第五研究所中芯国际集成电路制造(上海)有限公司华南理工大学长江存储科技有限责任公司更多>>; 相关期刊：《World Journal of Condensed Matter Physics》《集成电路应用》《微纳电子技术》《电子器件》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金国家科技重大专项更多>>

基于TDDB的数字隔离器寿命测试系统: 《现代电子技术》2025年第6期39-44,共6页李梓腾王进军陈炫宇王凯; 陕西省教育厅科研计划专项项目:AlGaN/GaN HEMT电力电子器件的优化与性能研究(18JK0103)。; 为评估数字隔离器在长期使用过程中的稳定性和寿命,提出一种基于经时击穿(TDDB)的寿命测试系统,通过自动化和多路并行测试来提升测试效率。具体方法包括设计一个支持16路同时进行测试的系统,使用DSP控制程序和上位机软件进行数据处理,...; 关键词：数字隔离器经时击穿寿命测试可靠性评估栅氧化层击穿回路电流监测

A Generalized Gibbs Potential Model for Materials Degradation: 《World Journal of Condensed Matter Physics》2024年第4期107-127,共21页J. W. McPherson; It is well known that work done on a material by conservative forces (electrical, mechanical, chemical) will increase the Gibbs Potential of the material. The increase in Gibbs Potential can be stored in the material ...; 关键词：Materials Degradation Degradation Rate Gibbs Potential Gibbs Free Energy Activation Energy Dielectrics Dielectric Breakdown Time-Dependent Dielectric Breakdown TDDB Bond Breakage Thermochemical E-Model

空间辐射环境下SiC功率MOSFET栅氧长期可靠性研究被引量：1: 《电子元件与材料》2024年第2期182-189,共8页杜卓宏肖一平梅博刘超铭孙毅; 国家自然科学基金(12275061)。; 利用等效1 MeV中子和γ射线对1200 V SiC功率MOSFET进行辐射,研究了电离损伤和位移损伤对器件的影响,并分析了辐射后器件栅氧长期可靠性。结果表明:中子辐射后器件导通电阻发生明显退化,与辐射引入近界面缺陷降低载流子寿命和载流子迁...; 关键词：SiC功率MOSFET 电离辐射中子辐射时间依赖的介质击穿(TDDB) 可靠性

一种GaAs基Si3N4薄膜斜坡电压测试方法及其应用: 《半导体技术》2020年第11期899-904,共6页林锦伟; 为快速、准确地评估Si3N4薄膜的可靠性,参照联合电子设备工程委员会(JEDEC)的相关标准,采用斜坡电压法在5 V/s和0.5 V/s两种加压速率下对厚度为100 nm的GaAs基Si3N4薄膜进行测试,测试样品的总面积不小于20 cm2。结合斜坡电压法的测试结...; 关键词：斜坡电压法 SI3N4 击穿电压可靠性经时击穿(TDDB)

大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应: 《半导体技术》2019年第1期51-57,72,共8页赵悦杨盛玮韩坤刘丰满曹立强; 等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据...; 关键词：大马士革工艺天线扩散效应等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 等离子体损伤经时击穿(TDDB)

NO退火对4H-SiC MOS器件栅氧化层TDDB可靠性的影响: 《智能电网（汉斯）》2018年第3期279-287,共9页万彩萍王影杰张文婷王世海周钦佩许恒宇; 国家电网公司总部科技项目-(5455DW150006)。; 碳化硅(SiC)材料因其独特的物理和化学特性,使得SiC器件在高压大功率领域具有巨大的潜力,但是由于碳元素的存在,SiC MOS器件的栅氧化层可靠性问题一直制约SiC MOSFET器件的发展,影响SiCMOSFET器件性能和可靠性的关键因素。如何提升SiC ...; 关键词：4H-SIC SiC MOS电容氧化后退火 TDDB NO

高温氧化对SiC MOS器件栅氧可靠性的影响被引量：1: 《半导体技术》2017年第10期754-758,共5页周钦佩张静夏经华许恒宇万彩萍韩锴; 国家科技重大专项资助项目(2013ZX02501);国家自然科学基金资助项目(6140493);国家电网公司总部科技项目(5455DW150006); SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5种温度下进行高温干氧氧化实验来制备SiO_2栅氧化层。在室温下...; 关键词：SiC金属氧化物半导体(MOS)器件零时击穿(TZDB) 与时间有关的击穿(TDDB) 干氧氧化可靠性

An Increase in TDDB Lifetime of Partially Depleted SOI Devices Induced by Proton Irradiation: 《Chinese Physics Letters》2017年第7期173-176,共4页马腾郑齐文崔江维周航苏丹丹余学峰郭旗; Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 11475255 and 11505282;the West Light Foundation of Chinese Academy of Sciences under Grant No 2015-XBQN-B-15; The effects of proton irradiation on the subsequent time-dependent dielectric breakdown （TDDB） of partially depleted SOI devices are experimentally investigated. It is demonstrated that heavy-ion irradiation will in...; 关键词：MOS PD SOI

基于Global拟合归一化的栅氧TDDB可靠性研究: 《集成电路应用》2017年第6期42-47,共6页李清华姜慧娜罗俊一梁斌刘伟景; 国家自然基金(61604002);国家自然基金(11404207);上海市自然科学基金(14ZR1417500);上海市自然科学基金(17ZR1411500); 这是一种基于Global拟合归一化的晶片级栅氧TDDB可靠性寿命的评估方法,根据栅氧化层TDDB失效累积时间遵从威布尔分布,对测试数据进行Global拟合处理,对常规TDDB Weibull分布进行修正。通过整套工艺中各种不同结构及面积的TDDB测试结构...; 关键词：经时击穿 Global拟合寿命预测归一化

一种MTM反熔丝器件的击穿特性: 《微纳电子技术》2017年第5期293-296,318,共5页龙煌田敏钟汇才; 国家科技重大专项02专项资助项目(2013ZX02303007-002); 制备了一种基于高介电常数材料氧化铪(HfO2)薄膜作为核心绝缘介质层的金属-金属(MTM)反熔丝单元结构。基于此结构,使用钛(Ti)和氮化钛(TiN)分别作为MTM反熔丝结构中的过渡层和阻挡层,得到了致密、均匀、无针孔缺陷以及上下电极接触良好...; 关键词：反熔丝金属-金属(MTM) 击穿电压时变击穿(TDDB) E模型可靠性

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