MOS电容

作品数：88被引量：81H指数：4
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张玉明贾仁需徐静平吕红亮张义门更多>>
相关机构：西安电子科技大学中国科学院华中科技大学复旦大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金中国科学院科研装备研制项目辽宁省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
不同栅氧退火工艺下的SiC MOS电容及其界面电学特性
《半导体技术》2025年第1期32-38,共7页付兴中 刘俊哲 薛建红 尉升升 谭永亮 王德君 张力江 
SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷...
关键词：SiC MOS电容 氧化后退火(POA) 平带电压漂移 氧化物陷阱电荷 可动电荷 
4H-SiC基功率器件的high-k栅介质材料研究进展
《人工晶体学报》2024年第12期2027-2042,共16页刘帅 宋立辉 杨德仁 皮孝东 
浙江大学杭州国际科创中心人才专项(02010600-K02013005)。
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为碳化硅绝缘栅结构的典型器件被广泛使用,然而SiO_(2)介电常数低的缺点和SiO_(2)/4H-SiC界面特性差的问题一直制约着4H-SiC绝缘栅结构(金属-绝缘体-半导体,MIS)器件更大规模商业化应用,因此科...
关键词：4H-SiC MOS电容器 high-k栅介质材料 堆栈栅介质 界面特性 电学性能 
基于硅通孔的三维微系统互联结构总剂量效应损伤机制研究
《原子能科学技术》2024年第8期1789-1796,共8页王昊 陈睿 陈钱 韩建伟 于新 孟德超 杨驾鹏 薛玉雄 周泉丰 韩瑞龙 
国家重点研发计划(2022YFF0503603)。
垂直硅通孔(TSV)作为三维集成微系统的核心技术之一,可以通过多个平面层器件的垂直堆叠有效降低互联延迟,提高集成密度,减少芯片功耗。利用^(60)Co γ射线实验装置,以自主设计的基于TSV的三维互联结构作为实验对象,进行了总剂量效应敏...
关键词：硅通孔 总剂量效应 寄生MOS电容 插入损耗 回波损耗 
不同钝化层对Er_(2)O_(3)/InP MOS电容器界面和电学性能调控
《绍兴文理学院学报》2023年第8期54-59,共6页吴秋菊 方泽波 
国家自然科学基金资助项目“稀土基高k栅介质钝化层InP叠层栅构筑及其物性研究”(51872186).
为满足集成电路发展需要,实验制备Al/Er_(2)O_(3)/InP金属氧化物半导体(MOS)电容器.采用ALD技术分别制备了超薄的Al_(2)O_(3),HfO_(2)和HfAlO钝化层,研究了不同种类的钝化层对InP-MOS器件界面和电学特性的影响.实验结果表明,钝化层能有...
关键词：MOS电容器 ALD Er_(2)O_(3)栅介质 钝化 界面态密度 
SiC掺氯热氧化技术与SiC MOS电容偏压温度不稳定性
《半导体技术》2023年第5期380-388,共9页于洪权 尉升升 刘兆慧 尹志鹏 白娇 谢威威 王德君 
国家自然科学基金资助项目(61874017)。
偏压温度不稳定性(BTI)是影响SiC MOS器件性能的关键因素。提出了一种制备SiC MOS电容的新工艺,即在SiC干氧氧化气氛中掺入氯化氢(HCl),并对比了不同HCl与O_(2)体积流量比对SiC MOS电容电学性能的影响。结果表明,该工艺有效地改善了SiC ...
关键词：碳化硅 MOS电容 热氧化 偏压温度不稳定性(BTI) 阈值电压漂移 
基于常规CMOS工艺的单层多晶硅EEPROM单元设计被引量：3
《电子元件与材料》2022年第7期719-724,共6页葛优 邹望辉 
湖南省教育厅项目(20C0028);湖南省自然科学基金(2020JJ4627)。
设计了一种由两个MOS电容器和一个读取NMOS管构成的单层多晶硅EEPROM存储单元。该EEPROM单元可采用常规CMOS工艺实现,通过在两个MOS电容器端施加一定电压产生n阱和浮栅间电荷的富勒-诺德海姆隧穿效应,从而实现写入和擦除。该结构可以更...
关键词：单层多晶硅EEPROM 常规CMOS工艺 MOS电容器 位粒度 富勒-诺德海姆隧穿效应 验证芯片 
氮钝化对SiC MOS电容栅介质可靠性的影响被引量：2
《西安电子科技大学学报》2022年第3期206-212,共7页白志强 张艺蒙 汤晓燕 宋庆文 张玉明 戴小平 高秀秀 齐放 
“功率半导体国家制造业创新中心建设”项目(2018XK2202);科学挑战专题项目(TZ2018003);陕西省重点研发项目(2018ZDL-GY01-03,2020ZDLGY03-07,2019GY-004);芜湖-西电产学研专项资金(XWYCXY-012020002)。
一氧化氮退火是目前业内界面钝化的主流工艺,而钝化效果与一氧化氮退火的条件密切相关,因此选取合适的退火条件提高界面质量显得尤为重要。利用n型和p型碳化硅MOS电容研究了不同一氧化氮钝化时间对栅氧界面附近陷阱和栅介质可靠性的影...
关键词：碳化硅 MOS电容 界面态 退火 栅介质 
基于不同AlN钝化层的极性GaN MOS器件界面特性被引量：1
《半导体技术》2021年第9期690-693,738,共5页高森 武娴 肖磊 王敬 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404105)。
界面质量是影响GaN MOS器件性能以及可靠性的主要因素之一,Al2O3栅介质与极性GaN界面间插入超薄非晶AlN作为钝化层可以有效改善GaN栅界面特性,针对AlN钝化层生长方式研究了GaN界面优化特性。通过GaN MOS电容的C-V和J-V特性,结合透射电...
关键词：GaN MOS电容 AlN钝化层 界面态分析 等离子体NH3 C-V特性 
不同栅介质工艺对4H-SiC MOS电容可靠性的影响
《电子技术与软件工程》2021年第11期97-99,共3页谭永亮 刘佳佳 张力江 李波 
本文研究了氮掺杂、磷掺杂、磷掺杂与Si3N4复合介质相结合三种不同栅介质工艺对SiC MOS电容可靠性的影响。通过I-V特性测试及经时击穿(TDDB)测试评价不同栅介质工艺的SiC MOS电容可靠性。结果表明,将磷掺杂工艺和SiO2/Si3N4复合栅介质结...
关键词：碳化硅 金属氧化物半导体电容 磷掺杂栅介质工艺 经时绝缘击穿 斜坡电压法 可靠性 
MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析被引量：1
《航天器环境工程》2019年第5期458-462,共5页于庆奎 张洪伟 孙毅 梅博 李晓亮 吕贺 王贺 李鹏伟 唐民 王哲力 文平 
国家自然科学基金项目(编号：11875068;11475256)
为验证一款GaN功率放大器抗空间辐射效应能力,对其进行了重离子单粒子效应试验研究。被试样品是由GaN HEMT、MOS电容器和电感器等组成的混合电路。试验源为加速器产生的锗离子(Ge^+13,能量205 MeV),线性能量传输(LET)值为37.4 MeV cm^2...
关键词：氮化镓功率放大器 单粒子效应 重离子辐照试验 单粒子介质击穿 MOS电容器 
全选清除导出
共9页<123456789>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部