C-V特性

作品数：101被引量：102H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：于军戴国瑞王华周文利汤庭鳌更多>>
相关机构：西安电子科技大学中国科学院西安交通大学复旦大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划江苏省高校自然科学研究项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
新型铁电薄膜在MFIS器件中的应用
《河北大学学报（自然科学版）》2023年第4期364-368,共5页王树雨 芦春光 袁秋婷 仇加俊 付跃举 蔡淑珍 傅广生 
国家自然科学基金-应急管理项目(11547185);河北省自然科学基金资助项目(E2015201233)。
利用新型铁电材料Na 0.5 Y 0.5 TiO 3(NYTO)薄膜高介电的特点,将其作为MFIS(metal-ferroelectric-insulator-semiconductor,MFIS)电容器的绝缘层,制备出Pt/Pb(Zr 0.2 Ti 0.8)O 3/NYTO/Si结构电容器,并对其进行XRD、SEM、C-V特性测试及I-...
关键词：新型铁电薄膜 MFIS电容器 记忆窗口 C-V特性 
一种非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管陷阱态的提取方法
《电子元器件与信息技术》2023年第4期22-25,共4页强蕾 
海南省自然科学基金青年基金项目《氮化镓高电子迁移率晶体管特性及应用研究》(项目编号:521QN267);贵州省科技计划项目《氮化镓氨气敏传感器特性研究及参数提取》(项目编号:黔科平台人才[2020]-037)。
随着半导体工艺和技术的发展,透明氧化物半导体(TOS)器件受到较多关注,其中以非晶铟镓锌氧化物(a-InGaZnO)薄膜晶体管(TFT)为代表的n型TOS TFTs有着迁移率高、电阻率低和透过率高等优点,被广泛应用于低辐射窗、传感器等。本文利用a-InGa...
关键词：非晶铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 态密度 C-V特性 
界面陷阱分布对SiC MOSFET准静态C-V特性的影响
《半导体技术》2023年第4期294-300,323,共8页高秀秀 王勇志 胡兴豪 周维 刘洪伟 戴小平 
国家科技助力经济2020重点专项(2020YFF0426582)。
为了分析4H-SiC/SiO_(2)固定电荷和界面陷阱对MOSFET准静态电容-电压(C-V)特性曲线的影响机制,对不同栅氧氮退火条件下的n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)进行了氧化层中可动离子、界面陷阱分布和准静态C-V特性曲线的测试,并结合仿真...
关键词：4H-SIC 双注入MOSFET(DIMOSFET) 界面陷阱 准静态电容-电压(C-V)特性 可动离子 
阻抗分析仪测量功率MOSFET器件栅极分离电容C-V特性的误差分析及调控方法被引量：3
《电工技术学报》2022年第12期3016-3027,3037,共13页蔡雨萌 赵志斌 徐子珂 孙鹏 李学宝 
国家重点研发计划资助项目(2018YFB0905703)。
功率MOSFET器件栅极分离电容C-V特性(C_(GS)-V_(G)、C_(GD)-V_(G))的准确测量对于器件的建模及栅氧可靠性的评估十分重要。阻抗分析仪是测量C_(GS)-V_(G)、C_(GD)-V_(G)的关键设备。在利用阻抗分析仪测量三端器件的某个参数时,需对非测...
关键词：功率 MOSFET 器件 阻抗分析仪 栅极分离电容 C-V 特性 等效电路模型 误差分析 
退火处理对锑化铟MIS器件C-V特性的影响
《红外技术》2022年第4期351-356,共6页周伟佳 龚晓霞 陈冬琼 肖婷婷 尚发兰 杨文运 
采用原子层沉积技术制备Al_(2)O_(3)薄膜作为InSb材料介电层,制备了MIS器件,研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响。利用C-V测试表征了MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性,结果表明Al_(2)O_(3)介电层引入了表面...
关键词：锑化铟 C-V特性 金属化后退火 原子层沉积 
低米勒电容超结MOSFET开关过程及反向恢复性能仿真研究被引量：1
《机车电传动》2021年第5期38-46,共9页唐茂森 刘东 沈俊 葛兴来 周荣斌 叶峻涵 
针对超结场效应晶体管(SJ-MOSFET),利用工艺仿真建立多次外延离子注入和深槽刻蚀2种不同P柱形貌的器件结构,对比研究了不同工艺、不同栅极结构SJ-MOS的静态特性差异,并与实测数据对比,验证建立模型的正确性。从空间电荷区不均匀拓展的角...
关键词：超结场效应晶体管 C-V特性 体二极管 双脉冲测试 反向恢复特性测试 
基于不同AlN钝化层的极性GaN MOS器件界面特性被引量：1
《半导体技术》2021年第9期690-693,738,共5页高森 武娴 肖磊 王敬 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404105)。
界面质量是影响GaN MOS器件性能以及可靠性的主要因素之一,Al2O3栅介质与极性GaN界面间插入超薄非晶AlN作为钝化层可以有效改善GaN栅界面特性,针对AlN钝化层生长方式研究了GaN界面优化特性。通过GaN MOS电容的C-V和J-V特性,结合透射电...
关键词：GaN MOS电容 AlN钝化层 界面态分析 等离子体NH3 C-V特性 
纳米尺寸AlGaN/GaN MIS-HEMT的栅电容模型
《钦州学院学报》2019年第3期38-41,54,共5页朱兆旻 刘顺 罗俊琦 
AlGaN/AlN/GaN金属-绝缘层-半导体高电子迁移率器件(MIS-HEMT)的栅电容模型是基于对GaN界面二维电子气(2DEG)浓度n_s的公式推导,求解过程中采用牛顿-拉夫逊迭代法并给出了近似的解析解。模型中的二维电子气浓度同数值模拟结果进行了比较...
关键词：HEMT 费米能级 C-V特性 高电子迁移率晶体管 二维电子气 
基于SiC基底的Y_2O_3/Al_2O_3堆栈MOS电容的特性研究被引量：2
《电子器件》2019年第1期9-13,共5页李诚瞻 赵艳黎 吴煜东 陈喜明 贾仁需 
国家重点研发计划项目(2016YFB0400403)
通过在n型碳化硅(SiC)晶圆上用物理气相沉积法(PVD)和原子层沉积法(ALD)分别沉积Y_2O_3介质和Al_2O_3,形成金属/Al_2O_3/Y_2O_3/SiC高k介质堆栈结构MOS电容。X射线光电子能谱(XPS)分析研究Al_2O_3/Y_2O_3堆栈结构氧化层介质之间以及氧...
关键词：碳化硅 MOS电容 高k介质 Y2O3/Al2O3堆栈 C-V特性 
Al掺杂HfO2高k栅介质沉积后退火工艺研究
《电子器件》2018年第6期1362-1366,共5页李佳帅 张静 杨红 刘倩倩 闫江 
Ge基MOS器件迁移率的远程库伦散射机制的研究项目(61674003)。
为满足集成电路发展需求,通过向Hf O2掺入Al元素形成Al掺杂的Hf O2新型高k材料,并在不同的环境和温度下进行退火,研究其电学特性的变化。通过对电学参数的分析,研究Al掺杂Hf O2材料体内正电荷缺陷、k值(晶相变化)、界面层厚度、栅漏电...
关键词：微电子 Al掺杂的HfO2 退火工艺 结晶 C-V特性 高k 
全选清除导出
共10页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部