一种非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管陷阱态的提取方法  

作　　者：强蕾 

机构地区：[1]遵义医科大学医学信息工程学院,贵州遵义563000 [2]三亚学院理工学院,海南三亚572022

出　　处：《电子元器件与信息技术》2023年第4期22-25,共4页Electronic Component and Information Technology

基　　金：海南省自然科学基金青年基金项目《氮化镓高电子迁移率晶体管特性及应用研究》(项目编号:521QN267);贵州省科技计划项目《氮化镓氨气敏传感器特性研究及参数提取》(项目编号:黔科平台人才[2020]-037)。

摘　　要：随着半导体工艺和技术的发展,透明氧化物半导体(TOS)器件受到较多关注,其中以非晶铟镓锌氧化物(a-InGaZnO)薄膜晶体管(TFT)为代表的n型TOS TFTs有着迁移率高、电阻率低和透过率高等优点,被广泛应用于低辐射窗、传感器等。本文利用a-InGaZnO TFT电容电压特性曲线和栅源/漏之间寄生电阻的关系,提取了态密度g(E),验证结果表明该方法能够较准确地提取出a-InGaZnO TFT中陷阱态。

关 键 词：非晶铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 态密度 C-V特性 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]