锑化铟

作品数：227被引量：326H指数：9
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锑化铟半导体掺杂硫元素的能带结构、态密度以及光学性质研究
《成都信息工程大学学报》2025年第1期107-110,共4页韩玉娇 沈艳红 虞游 邓江 盛佳南 
四川省自然科学基金资助项目(2022NSFSC1796、2023ZHCG0047)。
使用基于第一性原理的Materials Studio软件分别计算InSb、InSb_(0.75)S_(0.25)、InSb_(0.5)S_(0.5)的能带结构、态密度和光学性质,并对其进行分析比较。计算结果显示:S原子的掺入使InSb导带顶附近产生杂质能级,导带上移,禁带宽度增加,...
关键词：锑化铟 第一性原理 掺杂 电子性质 光学性质 
一种锑化铟红外焦平面探测器的设计及制作
《红外》2025年第1期23-27,共5页谭启广 李忠贺 张轶 曹凌霞 
裂片及串音问题限制了锑化铟(InSb)焦平面探测器向更大面阵规模、更小像元间距的发展。报道了采用分立感光像元的InSb焦平面探测器的试验研究结果。制备了阵列规模为320×256、像元间距为30μm的InSb红外探测器,测得其信号响应均值为441...
关键词：红外焦平面探测器 INSB 分立 
基于锑化铟的印章型高灵敏度太赫兹超表面折射率传感器设计
《传感技术学报》2024年第12期2023-2028,共6页李聪 吴倩楠 
对一种基于锑化铟材料的太赫兹超表面折射率传感器进行了理论研究和仿真验证。利用频域有限差分法对该反射器的反射性能进行研究和分析,通过优化材料厚度、刻蚀结构周期长度及宽度等,确定了可以同时提高灵敏度和反射率的特征尺寸并分析...
关键词：生物传感器 超表面 频域有限差分法 太赫兹 高灵敏度 
基于锑化铟合成及区熔的热场研究
《红外》2024年第10期21-29,共9页靳丽岩 唐娟娟 王毅 李早阳 
装发项目(2006XX0003)。
为了适应中波红外探测器的发展对锑化铟(InSb)材料的需求,以InSb合成及区熔设备为研究对象,开展了InSb合成及区熔的热场研究。针对两步工艺研究了组合式热场结构,采用有限元仿真分析方法对热场进行数值模拟计算,得到了适宜工艺的温度分...
关键词：锑化铟 有限元分析 合成 区熔提纯 热场 
锑化铟焦平面器件背面的湿法腐蚀技术研究
《红外》2024年第8期18-23,共6页米南阳 刘园园 李忠贺 吴卿 赵建忠 
湿法腐蚀可以有效地去除芯片在背减薄过程中因机械作用产生的损伤,提升器件的量子效率。为了获得一种合适的湿法腐蚀方法,研究了以氢氟酸、盐酸和乳酸为主的3种不同体系的酸性锑化铟腐蚀液。通过金相显微镜和原子力显微镜的表征结果选...
关键词：锑化铟 化学腐蚀 背面处理 
VESTA软件在材料化学课程教学中的应用——以纳米锑化铟孪晶结构为例
《大学化学》2024年第3期103-107,共5页钱银银 许瑞 
国家自然科学基金青年项目(21901004);安徽工程大学中青年拔尖人才项目。
在材料化学的教学过程中,笔者将实验室制备的锑化铟孪晶纳米结构及其相关结构表征数据引入到授课内容之中,并借助VESTA软件模拟出锑化铟孪晶纳米结构的模型。通过在课堂上对VESTA软件的实时操作,生动展现了不同角度以及不同显示形式的...
关键词：材料化学 锑化铟 孪晶结构 计算机模拟 
锑化铟单晶材料研究进展被引量：4
《激光与红外》2024年第2期235-241,共7页折伟林 赵超 董涛 王成刚 
锑化铟(InSb)材料因其特殊性质,是一种重要的中波红外探测、霍尔元件材料。本文总结了InSb材料的需求现状以及国内外主流InSb材料厂商的研究进展,重点介绍了中国电子科技集团公司第十一研究所在InSb材料方面的最新研究进展。最后,本文...
关键词：锑化铟 红外探测 研究进展 发展趋势 
锑化铟晶体空位缺陷的正电子湮灭研究
《激光与红外》2024年第1期72-77,共6页赵超 董涛 折伟林 彭志强 贺利军 张孟川 
锑化铟晶体材料的电学性能是影响最终制备的红外探测器件性能的关键因素。材料内部的杂质以及点缺陷特别是空位缺陷会极大的影响材料的电学性能,有时甚至会导致材料反型。本文利用正电子湮灭谱对锑化铟晶体材料的空位缺陷类型进行了研究...
关键词：锑化铟 红外探测器 正电子湮灭谱 空位缺陷 晶体生长拉速 导电类型 
高质量5 in InSb单晶生长被引量：1
《红外》2023年第10期10-14,共5页董涛 赵超 彭志强 折伟林 贺利军 李振兴 
国家自然科学基金项目(62005318)。
锑化铟(InSb)焦平面探测器是中波红外探测领域应用广泛的一种探测器。作为制备探测器的基础,InSb晶体材料的质量和性能显得尤为重要。近年来InSb晶体材料在向高质量大尺寸方向发展。通过多举措坩埚设计和温场条件设计,采用直拉法生长了...
关键词：锑化铟 单晶 位错密度 电学均匀性 
基于锑化铟的双频可调窄带太赫兹吸波器
《石化技术》2023年第9期66-68,共3页王金龙 陈卉 
本文通过三维全波电磁仿真软件模拟计算得到该吸收结构的吸波性能:在入射方向平行于z轴和四个锑化铟圆柱温度均为T=270K的情况下,在共振频率3.1576THz和3.3877THz处得到两个吸收峰值,分别对应96%和99.9%的吸收率,并且改变锑化铟圆柱的...
关键词：太赫兹吸收 锑化铟 温度可调 双频段单独可调 
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