锑化铟单晶材料研究进展  被引量:4

Research progress in indium antimonide single crystal material

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作  者:折伟林[1] 赵超[1] 董涛 王成刚[1] SHE Wei-lin;ZHAO Chao;DONG Tao;WANG Cheng-gang(th Research Institute of CETC,Bejing 100015,China)

机构地区:[1]中国电子科技集团公司第十一研究所,北京100015

出  处:《激光与红外》2024年第2期235-241,共7页Laser & Infrared

摘  要:锑化铟(InSb)材料因其特殊性质,是一种重要的中波红外探测、霍尔元件材料。本文总结了InSb材料的需求现状以及国内外主流InSb材料厂商的研究进展,重点介绍了中国电子科技集团公司第十一研究所在InSb材料方面的最新研究进展。最后,本文提出了InSb材料未来发展趋势。Indium antimonide(InSb)material is an important material for mid-wave infrared detections and Hall elements due to its special properties.This paper summarizes the current demand for InSb materials and the research progress of mainstream InSb material manufacturers at home and abroad,and highlights the latest research progress of the 11th Research Institute of CETC in InSb materials.Finally,this paper presents the future development trend of InSb materials.

关 键 词:锑化铟 红外探测 研究进展 发展趋势 

分 类 号:TN215[电子电信—物理电子学] O78[理学—晶体学] TN213

 

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