MOS电容器

作品数：17被引量：8H指数：2
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相关期刊：《微电子学》《绍兴文理学院学报》《数理译丛》《电子元件与材料》更多>>
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4H-SiC基功率器件的high-k栅介质材料研究进展
《人工晶体学报》2024年第12期2027-2042,共16页刘帅 宋立辉 杨德仁 皮孝东 
浙江大学杭州国际科创中心人才专项(02010600-K02013005)。
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为碳化硅绝缘栅结构的典型器件被广泛使用,然而SiO_(2)介电常数低的缺点和SiO_(2)/4H-SiC界面特性差的问题一直制约着4H-SiC绝缘栅结构(金属-绝缘体-半导体,MIS)器件更大规模商业化应用,因此科...
关键词：4H-SiC MOS电容器 high-k栅介质材料 堆栈栅介质 界面特性 电学性能 
不同钝化层对Er_(2)O_(3)/InP MOS电容器界面和电学性能调控
《绍兴文理学院学报》2023年第8期54-59,共6页吴秋菊 方泽波 
国家自然科学基金资助项目“稀土基高k栅介质钝化层InP叠层栅构筑及其物性研究”(51872186).
为满足集成电路发展需要,实验制备Al/Er_(2)O_(3)/InP金属氧化物半导体(MOS)电容器.采用ALD技术分别制备了超薄的Al_(2)O_(3),HfO_(2)和HfAlO钝化层,研究了不同种类的钝化层对InP-MOS器件界面和电学特性的影响.实验结果表明,钝化层能有...
关键词：MOS电容器 ALD Er_(2)O_(3)栅介质 钝化 界面态密度 
基于常规CMOS工艺的单层多晶硅EEPROM单元设计被引量：3
《电子元件与材料》2022年第7期719-724,共6页葛优 邹望辉 
湖南省教育厅项目(20C0028);湖南省自然科学基金(2020JJ4627)。
设计了一种由两个MOS电容器和一个读取NMOS管构成的单层多晶硅EEPROM存储单元。该EEPROM单元可采用常规CMOS工艺实现,通过在两个MOS电容器端施加一定电压产生n阱和浮栅间电荷的富勒-诺德海姆隧穿效应,从而实现写入和擦除。该结构可以更...
关键词：单层多晶硅EEPROM 常规CMOS工艺 MOS电容器 位粒度 富勒-诺德海姆隧穿效应 验证芯片 
MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析被引量：1
《航天器环境工程》2019年第5期458-462,共5页于庆奎 张洪伟 孙毅 梅博 李晓亮 吕贺 王贺 李鹏伟 唐民 王哲力 文平 
国家自然科学基金项目(编号：11875068;11475256)
为验证一款GaN功率放大器抗空间辐射效应能力,对其进行了重离子单粒子效应试验研究。被试样品是由GaN HEMT、MOS电容器和电感器等组成的混合电路。试验源为加速器产生的锗离子(Ge^+13,能量205 MeV),线性能量传输(LET)值为37.4 MeV cm^2...
关键词：氮化镓功率放大器 单粒子效应 重离子辐照试验 单粒子介质击穿 MOS电容器 
Vishay新款薄膜条MOS电容器为混合装配提供高功率
《变频器世界》2015年第5期22-22,共1页
22015年5月18日，Vishay Intertcchnology，lnc．（NYSE股市代号：VSH）宣布，针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境，推出新的薄膜条MOS电容器。Vishay Dale ResistorsElectro-FilmsBRCP可处理高功率，工作电压高达100V，有12...
关键词：MOS电容器 高功率 装配 混合 薄膜 外形尺寸 使用环境 工作电压 
CCD摄像机的基础知识（上）
《A&S（安防工程商）》2008年第12期48-52,共5页雷玉堂 
提起CCD．想必大家都不陌生，但究其根源．也许有些人并不十分了解。本文主要为读者介绍CCD摄像机的基础知识，希望大家对CCD有进一步的了解。
关键词：CCD摄像机 图像传感器 电荷耦合器件 MOS电容器 
Si_3N_4膜对MOS电容器存储时间影响的研究
《半导体光电》2006年第3期303-305,308,共4页陈忠和 许青 高燕 陈捷 
Si3N4薄膜淀积速率对MOS电容器存储时间影响很大。在850℃下,栅介质SiO2膜厚度100 nm,MOS电容器存储时间420 s。在50 Pa真空压力下,通过淀积70 nm厚Si3N4薄膜后,MOS电容器无存储时间。经900℃O2气氛退火40 min,MOS电容器的存储时间也不...
关键词：Si3N4薄膜 存储时间 退火 
二氧化硅的铜渗透效应的电特性表征
《电子产品可靠性与环境试验》2003年第6期70-70,共1页
关键词：二氧化硅 铜渗透效应 电特性表征 MOS电容器 铜污染 
MOS电容器指数衰减瞬时电流的分析
《电子产品可靠性与环境试验》2003年第6期68-68,共1页
关键词：MOS电容器 指数衰减 瞬时电流 金属氧化半导体 
背面氩离子轰击改善MOS系统界面特性和击穿特性被引量：3
《华南理工大学学报（自然科学版）》1995年第12期115-120,共6页李观启 钟平 黄美浅 曾绍鸿 
在室温下用低能量Ａｒ＋轰击ＭＯＳ电容器背面，能改善ＳｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。...
关键词：氩离子束 界面特性 击穿 MOS系统 MOS电容器 
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