张洪伟

作品数：16被引量：64H指数：5
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供职机构：中国空间技术研究院更多>>
发文主题：单粒子单粒子效应宇航元器件总剂量辐射更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术电气工程更多>>
发文期刊：《微电子学》《装备环境工程》《电子元件与材料》《原子能科学技术》更多>>
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一种蝶形封装多路光收发模块可靠性评价与应用研究被引量：1
《电子与封装》2024年第8期25-31,共7页王亚男 张洪伟 王文炎 常明超 
介绍了1种蝶形气密封装4路并行光收发一体模块的工作原理,针对高可靠应用开展了可靠性评价方法研究。通过评价光模块的平均发射光功率、消光比、接收灵敏度的温度特性,以及接收灵敏度与传输速率的关系等特性,结合寿命考核及应用适应性...
关键词：光收发模块 高可靠应用 可靠性评价 应用方法 
FinFET器件单粒子翻转物理机制研究评述
《航天器环境工程》2024年第2期225-233,共9页王仕达 张洪伟 唐民 梅博 孙毅 
鳍式场效应晶体管(FinFET)器件由于其较高的集成度以及运算密度,已成为未来航天应用领域的重要选择。FinFET器件的辐射敏感性与其制作工艺和工作条件息息相关。为了解FinFET器件的单粒子翻转(SEU)敏感机制,文章结合国内外开展的相关研究...
关键词：鳍式场效应晶体管 单粒子翻转 软错误率 静态随机存取存储器 
重离子引起SiC MOSFET栅氧化物潜在损伤研究被引量：2
《原子能科学技术》2023年第12期2254-2263,共10页于庆奎 曹爽 张琛睿 孙毅 梅博 王乾元 王贺 魏志超 张洪伟 张腾 柏松 
国家自然科学基金(12075314)。
针对空间应用,开展SiC MOSFET单粒子效应试验研究。在加速器上用重离子辐照1200 V SiC MOSFET,离子线性能量传输(LET)在0.26~118 MeV·cm^(2)/mg之间,辐照中被试器件加50~600 V静态漏源偏置电压、栅源短接,实时测量电特性,进行辐照后栅...
关键词：SiC MOSFET 辐射效应 单粒子效应 单粒子烧毁 单粒子栅穿 潜在损伤 辐照后栅应力 
重离子辐照1200V碳化硅二极管漏电退化的缺陷分析被引量：4
《装备环境工程》2020年第3期53-58,共6页曹爽 于庆奎 郑雪峰 常雪婷 王贺 孙毅 梅博 张洪伟 唐民 
国家自然科学基金项目(11875068,11805271)。
目的研究1200 V碳化硅二极管重离子辐照诱生缺陷对漏电流退化的影响。方法以SiC结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky Diode,JBSD)为样品,采用能量为208 MeV,LET=37.3 MeV·cm^2/mg的锗离子进行辐照试验,利用半导体器件分析仪...
关键词：SIC JBSD DLTS 缺陷 辐照 重离子 漏电退化 
商业航天元器件抗辐射性能保证研究被引量：5
《航天器工程》2019年第6期81-86,共6页张洪伟 李鹏伟 孙毅 
从商业航天应用的需求出发,围绕商业航天“低成本、低风险”的要求,结合航天任务本身“高技术、高风险、高投入”的特点,分析了近地轨道中不同高度、倾角下的辐射环境,给出了LEO轨道空间辐射环境需求。基于商业航天应用特点和辐射可靠...
关键词：商业航天 近地轨道 抗辐射保证 低等级元器件 
MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析被引量：1
《航天器环境工程》2019年第5期458-462,共5页于庆奎 张洪伟 孙毅 梅博 李晓亮 吕贺 王贺 李鹏伟 唐民 王哲力 文平 
国家自然科学基金项目(编号：11875068;11475256)
为验证一款GaN功率放大器抗空间辐射效应能力,对其进行了重离子单粒子效应试验研究。被试样品是由GaN HEMT、MOS电容器和电感器等组成的混合电路。试验源为加速器产生的锗离子(Ge^+13,能量205 MeV),线性能量传输(LET)值为37.4 MeV cm^2...
关键词：氮化镓功率放大器 单粒子效应 重离子辐照试验 单粒子介质击穿 MOS电容器 
SiC器件单粒子效应敏感性分析被引量：14
《原子能科学技术》2019年第10期2114-2119,共6页于庆奎 曹爽 张洪伟 梅博 孙毅 王贺 李晓亮 吕贺 李鹏伟 唐民 
国家自然科学基金资助项目(11875068,11475256)
新一代航天器需要使用耐高压、功率损耗低的第3代半导体SiC器件,为了给器件选用和抗辐射设计提供依据,以SiCMOSFET和SiC二极管为对象,进行单粒子效应敏感性分析。重离子试验发现,在较低电压下,重离子会在SiC器件内部产生永久损伤,引起...
关键词：碳化硅 空间 航天器 辐射效应 单粒子效应 单粒子烧毁 
粒子入射条件对28 nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究被引量：1
《电子与封装》2019年第6期32-40,共9页金鑫 唐民 于庆奎 张洪伟 梅博 孙毅 唐路平 
利用器件仿真工具TCAD,建立28nm体硅工艺器件的三维模型,研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28nm体硅工艺器件单粒子效应电荷共享的影响规律。结果表明,粒子LET值增大、入射角度的增大、器件间距的减小和浅槽隔离(STI)深度的减少都...
关键词：器件仿真 28nm 单粒子效应 电荷共享 多位翻转 
SiC结势垒肖特基二极管的重离子单粒子效应被引量：3
《现代应用物理》2019年第1期54-58,共5页于庆奎 张洪伟 孙毅 梅博 魏志超 李晓亮 王贺 吕贺 李鹏伟 曹爽 唐民 
国家自然科学基金资助项目(11875068;11475256;61634008)
在100～600V偏压下,对600,1 200,3 300V的SiC结势垒肖特基二极管用加速器产生的氙(Xe)和钽(Ta)重离子进行了辐照实验。结果表明,器件漏电流随入射离子LET、注量及偏压的增加而增大,甚至出现了短路失效。分析认为,肖特基结局部被重离子破...
关键词：SIC 肖特基二极管 单粒子效应 单粒子烧毁 单粒子锁定 
宇航用某新型膜式熔断器应用验证方法设计与实现被引量：3
《电子元件与材料》2018年第9期89-94,共6页丁丽娜 孙明 张洪伟 刘辉 彭昌文 
新型膜式熔断器作为电路保护的关键元件在电子系统中应用广泛,为满足航天应用的需求,对新型膜式熔断器可靠性及适用性也提出了更高的性能指标要求。通过对熔断器功能性能进行分析,结合航天工程中实际电路设计时的应用需求,针对宇航用新...
关键词：宇航 新型膜式熔断器 应用验证 可靠性 适用性 应用评价 
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