郑雪峰

作品数：22被引量：79H指数：5
导出分析报告
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：氧化镓电极势垒层场板击穿电压更多>>
发文领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《太赫兹科学与电子信息学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国家高技术研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于MOCVD的β-Ga_(2)O_(3)同质外延与Al掺异质结外延生长研究进展
《固体电子学研究与进展》2025年第1期1-15,共15页刘洋 何云龙 陈谷然 陆小力 郑雪峰 马晓华 郝跃 
国家自然科学基金资助项目(62474133,U2241220);实验室开放基金项目(2413S111);中央高校基本业务费资助项目(QTZX23019,ZDRC2002)。
β-Ga_(2)O_(3)是一种具有超宽带隙、高临界击穿场强和优异的巴利加优值的半导体材料,近年来在电力电子与深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术凭借其...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) 金属有机化学气相沉积 同质外延 β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3) 
2.5 MHz谐振频率GaN基LLC谐振变换器设计
《西安电子科技大学学报》2024年第5期1-8,共8页张润玉 何云龙 郑雪峰 张俊杰 周翔 马晓华 郝跃 
国家重点研发计划(2023YFB3611900);国家自然科学基金(U2241220,12035019,62234013);国家辐射应用创新中心项目(KFZC2022020401)。
直流-直流变换器是航天二次电源的核心部件之一,体积小、重量轻、高功率的变换器是航天电源未来发展的趋势。提高变换器开关频率是缩减整机体积与重量、提升变换器性能的重要手段,所以,“高频化”是未来直流-直流变换器的重要发展趋势...
关键词：GAN 谐振变换器 高谐振频率 
开态应力下氮化镓HEMT器件的退化机理研究
《空间电子技术》2024年第5期62-67,共6页韩红波 张豪 郑雪峰 马晓华 于洪喜 郝跃 
国家自然科学基金项目(编号:U2241220)。
当前,氮化镓(gallium nitride,GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)器件已逐渐被广泛应用。然而,退化问题仍然是困扰其高可靠应用的重要因素。特别是开态应力下,器件的退化机理值得深入研究。文章基于实...
关键词：氮化镓 开态应力 热电子效应 电子俘获 可靠性 
大学生物联网技术课程改革与实践被引量：1
《高教学刊》2024年第25期147-151,共5页何云龙 陆小力 段小玲 谢涌 郑雪峰 马晓华 
教育部高等教育司2021年第一批产学合作协同育人项目“半导体物理实验的教学体系改革与实践研究”(202101333015);西安电子科技大学教育教学改革研究项目“大学生创新创业能力培养课程与实践体系贯通化建设”(C21130)。
为提高大学物联网技术课程教学效果和质量,西安电子科技大学微电子学院针对物联网课程教学现存的一系列问题,融入思政育人理念,通过精细教学设计、采取启发教学、引入科学实验、重视能力培养、鼓励团队竞赛和优化考核方式等措施,旨在为...
关键词：物联网 微电子 课程改革 实践能力 创新创业 
重离子辐射对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管低频噪声特性的影响被引量：1
《物理学报》2024年第3期209-216,共8页吕玲 邢木涵 薛博瑞 曹艳荣 胡培培 郑雪峰 马晓华 郝跃 
国家自然科学基金重点项目(批准号:12035019,62234013)资助的课题。
采用^(181)Ta^(32+)重离子辐射AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,获得器件在重离子辐射前后的电学特性和低频噪声特性.重离子辐射导致器件的阈值电压正向漂移、最大饱和电流减小等电学参数的退化.微光显微测试发现辐射后器件热点数量明显增...
关键词：重离子辐射 氮化镓 高电子迁移率晶体管 低频噪声 
氧化镓材料与功率器件的研究进展被引量：3
《电子与封装》2023年第1期63-70,共8页何云龙 洪悦华 王羲琛 章舟宁 张方 李园 陆小力 郑雪峰 马晓华 
氧化镓(Ga_(2)O_(3))以其禁带宽度大、击穿场强高、抗辐射能力强等优势,有望成为未来半导体电力电子领域的主力军。相比于目前常见的宽禁带半导体SiC和GaN,Ga_(2)O_(3)的Baliga品质因数更大、预期生长成本更低,在高压、大功率、高效率...
关键词：Ga_(2)O_(3) 外延材料 功率二极管 功率晶体管 
氮化镓HEMT器件辐射效应综述
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第6期535-542,564,共9页吕航航 曹艳荣 马毛旦 张龙涛 任晨 王志恒 吕玲 郑雪峰 马晓华 
北京智芯微电子科技有限公司实验室开放基金项目;国家自然科学基金资助项目(11690042,U1866212,12035019,61727804,11690040);。
在高频、大功率、高温、高压等领域,氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件因其优异的耐辐射性能而被广泛地应用于卫星、太空探测、核反应堆等领域。尽管从理论和一些试验研究中可以得知,氮化镓材料具有良好的耐辐射特性,但在实际应用中,...
关键词：氮化镓HEMT器件 γ射线辐射 质子辐射 中子辐射 电子辐射 
HEMT器件质子辐射效应仿真
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第9期922-926,933,共6页马毛旦 曹艳荣 吕航航 王志恒 任晨 张龙涛 吕玲 郑雪峰 马晓华 
北京智芯微电子科技有限公司实验室开放基金资助项目;国家自然科学基金资助项目(11690042;U1866212;12035019;61727804;11690040)。
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有抗高频、耐高温、大功率、抗辐射等特性,在核反应堆、宇宙探测等辐射环境中具有广阔的应用前景。借助SRIM软件仿真1.8 MeV质子辐射对不同AlGaN势垒层纵向尺寸下的常规耗尽型器件内部产生空位密度...
关键词：GAN材料 HEMT器件 MIS-HEMT器件 质子辐射仿真 
基于线上课程教学的全过程质量评价体系构建研究被引量：21
《计算机教育》2021年第1期13-17,共5页侯晓慧 李亚汉 郑雪峰 丁思琪 谢琨 苗启广 
陕西省高等教育学会高等教育科学研究重点项目(XGH20006);教育部新工科研究与实践项目(E-GCJYZL20200818)。
在对国内外混合式教学发展情况比较研究的基础上,分析当前高校实施线上教学、推进教育教学改革所面临的机遇和挑战,结合本校教学实践进行分析研究,探讨适合高校线上课程教学的质量评价机制和优化策略,并阐述如何在信息化平台支撑下得以...
关键词：线上课堂 教学质量 评价体系 
重离子辐照1200V碳化硅二极管漏电退化的缺陷分析被引量：4
《装备环境工程》2020年第3期53-58,共6页曹爽 于庆奎 郑雪峰 常雪婷 王贺 孙毅 梅博 张洪伟 唐民 
国家自然科学基金项目(11875068,11805271)。
目的研究1200 V碳化硅二极管重离子辐照诱生缺陷对漏电流退化的影响。方法以SiC结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky Diode,JBSD)为样品,采用能量为208 MeV,LET=37.3 MeV·cm^2/mg的锗离子进行辐照试验,利用半导体器件分析仪...
关键词：SIC JBSD DLTS 缺陷 辐照 重离子 漏电退化 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部