云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- HEMT器件

HEMT器件: 作品数：83被引量：61H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：郝跃马晓华于国浩张宝顺张波更多>>; 相关机构：西安电子科技大学中国科学院电子科技大学华南理工大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金广东省科技计划工业攻关项目更多>>

HEMT器件结构和工作原理研究: 《山西电子技术》2024年第6期94-97,共4页雷霖; 高电子迁移率晶体管(HEMT,High Electron Mobility Transistor)以其优良的低噪声特性、高速电子迁移率、高增益和大功率等特性成为竞争力最强和发展潜力最大的半导体器件之一,它广泛应用于通讯芯片、航天探测、国防航空、遥感卫星等民...; 关键词：HEMT器件 GaAs基 INP基 GaN基

基于InP基HEMT器件的D波段倍频源设计: 《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第12期1332-1338,1363,共8页宋树田刘军; 传统太赫兹倍频源多采用混合集成电路的实现方式,导致太赫兹倍频源存在体积大、封装损耗高、稳定性差等问题。采用栅长2×25μm的磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(HEMT)有源器件,利用先进系统设计(ADS)原理仿真和电磁仿真(EM)联合仿真...; 关键词：D波段(110~170 GHz) 磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT) 倍频源单片集成太赫兹源

增强型GaNHEMT器件5MeV质子辐照试验研究: 《核技术》2024年第12期95-102,共8页邱一武董磊殷亚楠周昕杰; 抗辐照应用技术创新中心创新基金(No.KFZC2021010202)资助。; 氮化镓器件凭借优异的性能在抗辐照应用领域备受关注,为探究不同结构的氮化镓器件抗质子辐照能力,开展了对增强型Cascode级联结构和P-GaN栅结构GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件的5MeV质子辐照试验,...; 关键词：增强型GaNHEMT器件质子辐照电学特性低频噪声损伤机制

开态应力下氮化镓HEMT器件的退化机理研究: 《空间电子技术》2024年第5期62-67,共6页韩红波张豪郑雪峰马晓华于洪喜郝跃; 国家自然科学基金项目(编号:U2241220)。; 当前,氮化镓(gallium nitride,GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)器件已逐渐被广泛应用。然而,退化问题仍然是困扰其高可靠应用的重要因素。特别是开态应力下,器件的退化机理值得深入研究。文章基于实...; 关键词：氮化镓开态应力热电子效应电子俘获可靠性

增强型p⁃GaN栅HEMT器件的抗辐照性能研究: 《固体电子学研究与进展》2024年第3期201-205,共5页胡壮壮王登贵李雪周建军孔月婵陈堂胜; 国家自然科学基金青年科学基金资助项目(62104218)。; 为研究应用于宇航领域增强型GaN HEMT器件的抗辐照性能,制备了导通电流为20 A、击穿电压为345 V的增强型p-GaN栅HEMT器件,并分别研究了器件抗总剂量效应能力与抗单粒子效应能力。实验结果表明,研制的增强型p-GaN栅HEMT器件在辐照剂量率...; 关键词：p⁃GaN栅HEMT器件总剂量效应单粒子效应

一种改进的基于110 GHz在片S参数测试的HEMT器件寄生电阻提取方法: 《红外与毫米波学报》2024年第1期85-90,共6页李织纯吕渊婷张傲高建军; Supported by the National Natural Science Foundation of China(62201293,62034003)。; 提出了一种改进的高电子迁移率晶体管寄生电阻提取方法,该方法利用了特殊偏置点(V_(gs)>V_(th),V_(ds)=0V)的等效电路模型,推导了寄生电阻的表达式,采用半分析法对寄生电阻进行了优化。1~110 GHz S参数实测结果和仿真的S参数一致,证明...; 关键词：InP高电子迁移率晶体管等效电路模型寄生电阻器件建模

基于应变迁移率模型对应变沟道AlGaN/GaNHEMT器件电子输运特性的研究: 《桂林电子科技大学学报》2023年第6期431-438,共8页刘子玉陈永和马旺孙远远杨叶; 广西自然科学基金(2018GXNSFAA138025);广西科技计划(AD18281037)。; 为了进一步提升AlGaN/GaN HEMTs的电流特性,提出了一种在非栅下沟道插入InGaN弛豫层的应变GaN沟道AlGaN/5-nm-GaN/InGaN HEMT(SGC-HEMT)器件结构。通过Sentaurus TCAD仿真研究了SGC-HEMT器件电子输运特性。基于修正的应变迁移率模型,通...; 关键词：GaN/AlGaN 2DEG 应变沟道有效迁移率电子输运

低压应用的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件研制: 《微电子学》2023年第5期904-909,共6页陈晓娟张一川袁静高润华殷海波李艳奎刘新宇魏珂; 国家自然科学基金资助项目(62234009); 提出了一种适用于低电压工作的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件,开展了材料外延结构的设计,在SiC衬底上生长了AlN/GaN外延材料。基于此材料开展了器件制作,优化了高温快速退火工艺,获得良好的欧姆接触电阻。对所制备的器件进行直流测试,结...; 关键词：氮化铝/氮化硅外延材料低工作电压毫米波 MIS-HEMT 氮化铝势垒

带有原位生长SiN_(x)绝缘层的AlN/GaN毫米波高效率MIS-HEMT器件: 《红外与毫米波学报》2023年第4期483-489,共7页陈晓娟张一川张昇李艳奎牛洁斌黄森马晓华张进成魏珂; Supported by the National Natural Science Foundation of China(61822407,62074161,62004213);the National Key Research and De-velopment Program of China under(2018YFE0125700)。; 本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长原位SiN_(x)栅介质制备了用于Ka波段高功率毫米波应用的AlN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。原位生长SiN_(x)栅介质显著抑制了栅反向漏电、栅介质/AlN界面态密度和电流坍...; 关键词：AlN/GaN 金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管 KA波段低损耗低偏压

一种P-GaN栅结合混合帽层结构的HEMT器件被引量：1: 《微电子学》2023年第4期723-729,共7页周敏冯全源文彦陈晓培; 国家自然科学基金重点项目资助(1531016,62031016,61831017);四川省重大科技专项项目资助(018GZDZX0038,2018GZDZX0001);四川省重点项目资助(019YFG0498,2020YFG0282,2020YFG0028); 为了进一步提升P-GaN栅HEMT器件的阈值电压和击穿电压,提出了一种具有P-GaN栅结合混合掺杂帽层结构的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)。新器件利用混合掺杂帽层结构,调节整体极化效应,可以进一步耗尽混合帽层下方沟道区域的二维电子气,...; 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管增强型击穿电压混合帽层

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