云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 牛洁斌

牛洁斌: 作品数：24被引量：71H指数：5; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文主题：电子束光刻电子束曝光衬底电子束直写衍射光栅更多>>; 发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>; 发文期刊：《科学通报》《微纳电子技术》《电子器件》《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重大科学仪器设备开发专项更多>>

带有原位生长SiN_(x)绝缘层的AlN/GaN毫米波高效率MIS-HEMT器件: 《红外与毫米波学报》2023年第4期483-489,共7页陈晓娟张一川张昇李艳奎牛洁斌黄森马晓华张进成魏珂; Supported by the National Natural Science Foundation of China(61822407,62074161,62004213);the National Key Research and De-velopment Program of China under(2018YFE0125700)。; 本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长原位SiN_(x)栅介质制备了用于Ka波段高功率毫米波应用的AlN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。原位生长SiN_(x)栅介质显著抑制了栅反向漏电、栅介质/AlN界面态密度和电流坍...; 关键词：AlN/GaN 金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管 KA波段低损耗低偏压

基于金属辅助化学腐蚀的大高宽比硅纳米结构制备: 《微纳电子技术》2020年第12期1012-1016,1022,共6页薛焱文杨立伟王冠亚牛洁斌刘宇李海亮; 国家重点研发计划项目(2017YFA0206002);国家自然科学基金资助项目(61804169)。; 为了获得大高宽比的硅纳米结构,结合电子束光刻和等离子刻蚀方法制备厚度为5 nm/20 nm的Ti/Au微纳结构,然后以氢氟酸、去离子水和双氧水作为腐蚀液,利用各向异性金属辅助化学腐蚀制备大高宽比硅纳米结构,并进行了实验验证。研究了双氧...; 关键词：金属辅助化学腐蚀电子束光刻等离子刻蚀硅纳米结构大高宽比

大高宽比硬X射线波带片制作及聚焦测试被引量：4: 《光学精密工程》2017年第11期2803-2809,共7页李海亮史丽娜牛洁斌王冠亚谢常青; 应用光学国家重点实验室开放基金资助项目(No.Y6YS053001);国家自然科学基金资助项目(No.61275170); 为得到同步辐射光源硬X射线波段(>2keV)需要的高宽比高分辨率波带片,本文利用高加速电压(100kV)电子束光刻配合Si3N4镂空薄膜直写来减少背散射的方法,对硬X射线波带片制作技术进行了蒙特卡洛模拟和电子束光刻实验。模拟结果显示:Si_3N_...; 关键词：硬X射线波带片电子束光刻大高宽比波带片电子束光刻镂空薄膜

高线密度X射线双光栅的研制被引量：2: 《微纳电子技术》2014年第6期381-385,共5页何宽易涛刘慎业牛洁斌陈宝钦朱效立; 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2012AA040405);国家自然科学基金创新群体资助项目(61221004); 研究了采用高分辨率的100 kV电子束光刻和光学光刻系统相结合制作高线密度X射线双光栅的工艺技术,并且分析了电子束邻近效应校正技术在高线密度光栅制备中的应用。首先,利用电子束曝光和纳米电镀技术在同一衬底上制备两种不同线密度光...; 关键词：X射线双光栅自支撑透射光栅电子束光刻纳米电镀电子束邻近效应校正(EPC)

新型抗蚀剂的电子束曝光性能研究被引量：1: 《半导体技术》2013年第6期458-463,共6页赵珉朱齐媛陈宝钦牛洁斌; 国家自然科学基金项目(61078060);国家重大科学仪器设备开发专项(2011YQ04013608); 为了满足越来越多的特殊结构纳米电子器件的制作要求,亟需进一步提高电子束光刻的分辨率与质量,选择适合的高分辨率电子束抗蚀剂材料显得尤为重要。从曝光剂量以及显影与烘烤过程中具体工艺条件的影响等方面对三种新型抗蚀剂材料HSQ,Cal...; 关键词：电子束光刻抗蚀剂高分辨率灵敏度对比度

电子束零宽度线曝光及其应用被引量：2: 《微纳电子技术》2013年第2期106-111,共6页赵珉刘桂英陈宝钦牛洁斌; 国家重大科学研究计划项目(2006CB932600);国家自然科学基金项目(61078060);基础科研项目(B1020090022);国家重大科学仪器设备开发专项(2011YQ04013608); 为了提高电子束光刻的图形质量及光刻分辨率,从入射束能和束流密度等方面探讨了克服邻近效应影响的途径,在制备亚30 nm结构图形时采用零宽度线曝光的方法。该方法把版图上线条的宽度设为零,因此该线条的光刻尺寸取决于电子束束斑大小、...; 关键词：电子束光刻(EBL) 邻近效应高分辨率光刻零宽度线曝光密集线图形

最大振荡频率为200GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT(英文)被引量：5: 《红外与毫米波学报》2011年第4期289-292,共4页刘果果魏珂黄俊刘新宇牛洁斌; Supported by National Natural Science Foundation(60890191);National “973” program(2010CB327500); 报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用凹栅槽和T型栅结合的工艺,实现了Ka波段AlGaN/GaNHEMT.器件饱和电流达到1.1 A/mm,跨导为421...; 关键词：ALGAN/GAN HEMT 蓝宝石衬底 fmax InGaN背势垒湿法腐蚀

微纳金属光学结构制备技术及应用被引量：21: 《光学学报》2011年第9期243-250,共8页谢常青朱效立牛洁斌李海亮刘明陈宝钦胡媛史丽娜; 国家973计划(2007CB935302)资助课题; 微纳光学结构制备技术一直是微纳光子学器件发展的技术瓶颈。针对微纳光学结构制备技术向小尺寸、高精度和广泛应用发展的趋势,报道了基于电子束、X射线和接近式光学的混合光刻制作微纳金属光学结构技术。针对微纳光子学器件复杂图形开...; 关键词：光学制造微纳光学结构电子束光刻 X射线光刻自支撑薄膜

电子束抗蚀剂图形结构的倒塌与粘连被引量：5: 《微纳电子技术》2011年第1期63-68,共6页赵珉陈宝钦牛洁斌谢常青刘明; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB0N0604); 首先从实验现象出发,阐述了纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构发生倒塌与粘连的主要几何因素及其关系。除了结构的几何因素外,结合"Beam Sway"模型分析了抗蚀剂微细结构在制作过程中的受力情况。在上述工作的基础上,提出了克服...; 关键词：电子束光刻抗蚀剂高深宽比倒塌超临界二氧化碳干燥

EBL制备用于气体传感器的SAW延迟线的方法: 《压电与声光》2010年第3期340-342,345,共4页赵以贵刘明牛洁斌陈宝钦; 国家自然科学基金资助项目(60825403);国家重点基础研究发展计划基金资助项目(2009CB939703); 电子束光刻(EBL)具有高的分辨率,能制备具有亚微米尺寸的声表面波(SAW)器件。一种采用EBL技术制备用于气体传感器的具有亚微米尺寸的SAW延迟线的方法:首先利用EBL在压电衬底上获得叉指换能器(IDT)的电子抗蚀剂图形;然后用剥离工艺制作出...; 关键词：电子束光刻剥离声表面波延迟线叉指换能器

牛洁斌