湿法腐蚀

作品数：183被引量：349H指数：8
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相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所北京大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
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压力传感器湿法腐蚀敏感膜的工艺研究
《压电与声光》2025年第1期63-68,共6页闫施锦 王丙寅 王志强 雷程 冀鹏飞 邱海兵 谭秋林 梁庭 
国家重点研发计划(2023YFB3209100);山西省重点研发计划(2023020302010)。
随着压力传感器的小型化和高频化发展,降低成本并提升制造工艺成为当前研究的关键。该文通过优化硅片湿法腐蚀工艺来降低压力传感器的制造成本,并使其性能更贴近设计要求。首先,深入研究了不同浓度TMAH(四甲基氢氧化铵)对硅片腐蚀效果...
关键词：压力传感器 湿法腐蚀 敏感膜 腐蚀形貌 粗糙度 
《半导体器件与集成电路设计基础》课程实践教学改革——场效应管中Si纳米线湿法腐蚀
《广州化工》2025年第1期208-211,共4页张杰 范瑜 
硅湿法腐蚀工艺作为硅基集成电路制造中最基础、最关键技术之一,已被广泛地应用于实际生产中。利用硅各向异性湿法腐蚀,我们设计制作了场效应管中Si纳米线沟道。该实践教学覆盖了《半导体器件与集成电路设计基础》课程中多个重要知识点...
关键词：半导体器件 集成电路制造工艺 实践课程 场效应管 硅湿法腐蚀 
锑化铟焦平面器件背面的湿法腐蚀技术研究
《红外》2024年第8期18-23,共6页米南阳 刘园园 李忠贺 吴卿 赵建忠 
湿法腐蚀可以有效地去除芯片在背减薄过程中因机械作用产生的损伤,提升器件的量子效率。为了获得一种合适的湿法腐蚀方法,研究了以氢氟酸、盐酸和乳酸为主的3种不同体系的酸性锑化铟腐蚀液。通过金相显微镜和原子力显微镜的表征结果选...
关键词：锑化铟 化学腐蚀 背面处理 
MEMS器件湿法腐蚀工艺均匀性的提升技术被引量：1
《电子工艺技术》2024年第3期17-20,共4页闾新明 姚阳文 
针对湿法腐蚀工艺下晶圆面内均匀性大于5%、湿法工艺无法兼容低成本和高质量的难点,研究了湿法工艺各个参数对片内均匀性的影响。分别讨论了腐蚀槽温度、晶圆进出腐蚀槽时间、晶圆出腐蚀槽到进水槽的时间间隔以及腐蚀槽循环流量对8英寸...
关键词：麦克风 腐蚀均匀性 温度 时间 流量 
石英湿法腐蚀及谐振器制作工艺研究
《压电与声光》2024年第3期328-332,共5页龙雪松 
随着石英谐振器向小型化、高频化发展,其尺寸越来越小,因此,低成本的谐振器精准制造工艺尤为重要。该文对石英晶片进行腐蚀实验以确定精准制造矩形谐振器的最佳工艺条件,研究了温度对金属保护层完整性的影响,以及腐蚀时间对石英表面粗...
关键词：AT切石英 湿法腐蚀 制作工艺 
4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化被引量：1
《半导体技术》2023年第11期977-984,共8页章宇 陈诺夫 张芳 余雯静 胡文瑞 陈吉堃 
国家自然科学基金资助项目(52073090);国家重点研发计划项目(2021YFA0718901)。
目前用来揭示SiC的贯穿型位错缺陷的表征方法主要是湿法碱腐蚀,但现阶段利用KOH腐蚀4H-SiC晶片的腐蚀参数各不相同,腐蚀结果也有待优化。研究了熔融KOH对4H-SiC晶片的腐蚀形貌,利用金相显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观测腐蚀晶片,发现4H-...
关键词：SIC 湿法腐蚀 贯穿型位错 位错密度 位错缺陷分布 
基于湿法腐蚀凹槽阳极的低漏电高耐压AlGaN/GaN肖特基二极管
《物理学报》2023年第17期364-370,共7页武鹏 朱宏宇 吴金星 张涛 张进成 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:62104185);国家杰出青年科学基金(批准号:61925404);中央高校基本科研业务费(批准号:QTZX23076);青年人才托举工程(批准号:2022QNRC001)资助的课题.
得益于铝镓氮/氮化镓异质结材料较大的禁带宽度、较高的击穿场强以及异质界面存在的高面密度及高迁移率的二维电子气,基于该异质结材料的器件在高压大功率及微波射频方面具有良好的应用前景,尤其是随着大尺寸硅基氮化镓材料外延技术的...
关键词：铝镓氮/氮化镓 肖特基二极管 低反向漏电 高击穿电压 
湿法腐蚀清洗设备废气排放过程中的流场优化
《清洗世界》2023年第7期50-52,共3页谢振民 黄鑫亮 
湿法腐蚀清洗设备对废气的排放有很高的要求,排放的好坏直接关系到操作人员安全、厂务能源的消耗以及成品率。本文主要通过ANSYS对设备内的流场进行研究分析。首先,建立流场数值模型和几何模型并对流场进行数值计算。然后,改变化学槽废...
关键词：湿法腐蚀清洗设备 ANSYS 流场分析 废气排放 
InAs/GaSbⅡ类超晶格双色红外焦平面器件的干法刻蚀与湿法腐蚀制备对比研究
《红外》2023年第4期1-6,共6页温涛 胡雨农 李景峰 赵成城 王国伟 刘铭 
分别采用干法刻蚀工艺路线和湿法腐蚀工艺路线制备了面阵规模为320×256、像元中心距为30μm的InAs/GaSbⅡ类超晶格长/长波双色红外焦平面器件,并对其台面形貌、接触孔形貌、伏安特性以及互连读出电路并封入杜瓦后的中测性能进行了对比...
关键词：INAS/GASB Ⅱ类超晶格 焦平面 双色 
氮气体积流量对磁控溅射氮化硅薄膜性能的影响被引量：1
《微纳电子技术》2023年第1期148-153,共6页徐好 孙卫华 韩建强 施阁 
浙江省自然科学基金重点项目(LZ22F040002)。
磁控溅射法制备氮化硅薄膜具有工艺简单、粉尘少等优点,氮化硅薄膜在微电子机械系统(MEMS)领域中可用作腐蚀掩蔽层和力学结构层。以氮化硅为靶材、高纯氮气为反应气体,采用射频磁控溅射法在硅衬底上制备氮化硅薄膜,在射频功率150 W、偏...
关键词：微电子机械系统(MEMS) 氮化硅(SiN)薄膜 磁控溅射 湿法腐蚀 残余应力 
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