场效应管

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高功率宽调谐声光调制器驱动源的研究
《量子电子学报》2025年第2期238-245,共8页王锦荣 吴双娥 米成栋 朱梦琦 程子源 高旭珍 史旭蓉 杜胜利 
山西省高等学校科技创新项目(2021L562,2022L573);吕梁市引进高层次科技人才重点研发项目(2021RC-2-27);吕梁市社会发展领域重点研发项目(2022SHFZ43)。
声光调制器是一种重要的光学器件,其性能在很大程度上依赖于驱动源的性能。因此,针对不同的应用场景,研制高性能的声光调制器驱动源具有重要意义。本文针对量子光学领域真空压缩光制备中光学参量振荡腔腔长锁定对声光调制器的应用需求,...
关键词：光电子学 声光调制器驱动源 射频金属氧化物半导体(MOS)场效应管 连续调谐 自动关断保护电路 
基于同步脉冲补偿的Buck DC/DC变换器共模EMI抑制方法
《中国电机工程学报》2025年第7期2732-2743,I0024,共13页罗嗣勇 毕闯 陈允 张鹏飞 崔博源 成林 
国家电网有限公司科技项目(5500-202255135A-1-1-ZN)。
碳化硅场效应管(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,SiC MOSFET)在快速导通关断时会产生高的dv/dt和di/dt,进而对其他设备造成严重的共模电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)。因此,为了提高...
关键词：碳化硅场效应管 电磁干扰 共模噪声 数字电磁干扰滤波器 同步脉冲补偿 
金属卤素钙钛矿场效管各向异性迁移率TCAD仿真
《电子器件》2025年第1期15-19,共5页杨帆 周贤中 
国家自然科学基金青年科学基金项目(61704032)。
利用TCAD软件对低成本、易处理的金属卤素钙钛矿材料CsPbBr_(3)制造的场效应管进行仿真,探讨其各向异性迁移率对器件性能的影响。场效应管是集成电路制造中重要的元器件之一,其材料选择和物理参数直接决定了器件性能和成本。在常温下,Cs...
关键词：金属卤素钙钛矿 各向异性迁移率 场效应管 
浅谈IRFP350场效应管的使用及故障维修
《山西电子技术》2025年第1期96-98,共3页李子龙 
随着全固态中波广播发射机完全取代了传统电子管中波发射机,全固态中波广播发射机使用到场效应管,IRFP350场效应管是全固态中波广播发射机上使用最多的电子元器件之一,非常重要。基于此介绍了IRFP350场效应管的结构、参数、判断好坏的...
关键词：IRFP350场效应管 全固态中波广播发射机 实际应用 
B/N掺杂单栅GFET的自洽模型研究
《传感器与微系统》2025年第2期57-61,66,共6页刘杰 王军 
国家自然科学基金资助项目(699010003);四川省教育厅科研基金重点资助项目(18ZA0502)。
建立了B/N掺杂单栅石墨烯场效应管(GFET)全工作区域下的漏极电流模型。利用自洽方法获取精确的电势-电荷关系,解决了建模过程中的多重对数问题。该模型明确捕捉到产生非零带隙和狄拉克(Dirac)点偏移对载流子片电荷密度和迁移率等参数的...
关键词：石墨烯场效应管 B/N掺杂 自洽方法 半经典扩散迁移率 
《半导体器件与集成电路设计基础》课程实践教学改革——场效应管中Si纳米线湿法腐蚀
《广州化工》2025年第1期208-211,共4页张杰 范瑜 
硅湿法腐蚀工艺作为硅基集成电路制造中最基础、最关键技术之一,已被广泛地应用于实际生产中。利用硅各向异性湿法腐蚀,我们设计制作了场效应管中Si纳米线沟道。该实践教学覆盖了《半导体器件与集成电路设计基础》课程中多个重要知识点...
关键词：半导体器件 集成电路制造工艺 实践课程 场效应管 硅湿法腐蚀 
低功耗热发射极晶体管
《物理》2024年第12期836-838,共3页刘驰 王鑫哲 孙东明 
集成电路是现代信息技术的基石,而晶体管则是集成电路的基本单元。沿着摩尔定律[1]发展,现代集成电路的集成度不断提升,目前单个芯片上已经可以集成数百亿个晶体管[2]。然而,晶体管的功耗问题成为了限制集成电路进一步发展的主要瓶颈[3...
关键词：亚阈值摆幅 场效应管 集成电路 玻尔兹曼分布 摩尔定律 栅极电压 电流变化 现代信息技术 
全包围栅极鳍式场效应管专利态势与技术发展研究
《中国发明与专利》2024年第S02期62-69,共8页董巍 李海龙 
随着集成电路技术日新月异的发展,器件尺寸不断缩小,在突破10nm工艺节点后,短沟道效应等问题成为了制约场效应管发展的主要因素。全包围栅极鳍式场效应管作为3D场效应管的一个最新发展分支,由于良好的性能具备巨大的发展潜力。本文从全...
关键词：集成电路 全包围栅极鳍式场效应管 专利分析 
单层SnS场效应晶体管的第一性原理研究
《物理学报》2024年第20期266-276,共11页郭颖 潘峰 姚彬彬 孟豪 吕劲 
国家自然科学基金(批准号:Z20230015,12174238);陕西省自然科学基础研究计划项目(批准号:2022JM-051);陕西理工大学人才引进项目(批准号:SLGRC202401)资助的课题.
基于硅基材料的逻辑器件由于其短沟道效应,使摩尔定律失效,二维半导体材料被认为是继续缩小晶体管尺寸以生产更多摩尔电子器件的潜在沟道材料.最近在实验上突破了技术瓶颈的限制,实现了二维场效应晶体管突破亚1 nm沟道极限,并且表现出...
关键词：量子输运模拟 单层SnS 亚5nm场效应管 开态电流 
振动筒传感器自动增益谐振电路仿真设计和测试
《传感器与微系统》2024年第10期88-91,共4页陈晓锦 康志宏 姚敏强 宋继红 
基于结型场效应管(JFET)可变电阻区和夹断区的特性,对振动筒传感器自动增益谐振电路进行仿真设计和测试。重点论述了激励信号占空比与振动筒电气特性的关系,自动增益控制谐振电路的实现方式和谐振电路激励端输出信号的波形、幅值和占空...
关键词：结型场效应管 可变电阻区 夹断区 自动增益 占空比 
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